[發(fā)明專利]聚合電荷轉(zhuǎn)移層和含有其的有機電子裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580069908.0 | 申請日: | 2015-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN107112438B | 公開(公告)日: | 2019-10-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | L·斯賓塞;劉淳;朱敏榮;N·T·麥克杜格爾;馮少光;P·特雷福納斯三世;D·D·德沃爾;唐錚銘;馮繼昌;A·索科洛夫 | 申請(專利權(quán))人: | 陶氏環(huán)球技術(shù)有限責任公司;羅門哈斯電子材料有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L51/54 | 分類號: | H01L51/54 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 樊云飛 |
| 地址: | 美國密*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 聚合 電荷 轉(zhuǎn)移 含有 有機 電子 裝置 | ||
1.一種聚合電荷轉(zhuǎn)移層,其由包含聚合物的組合物形成,所述聚合物包含作為聚合單元的單體A和單體C交聯(lián)劑;其中單體A具有結(jié)構(gòu)A:
其中A和M各自為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳香族部分或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的雜芳族部分;并且
其中n為2到10;并且
其中R1到R3各自獨立地選自以下:氫;氘;烴基;經(jīng)取代的烴基;雜烴基;經(jīng)取代的雜烴基;鹵素;氰基;芳基;經(jīng)取代的芳基;雜芳基;經(jīng)取代的雜芳基;并且其中L1選自雜原子、芳香族部分、雜芳族部分、C1-C100烴基、C1-C100經(jīng)取代的烴基、C1-C100雜烴基和C1-C100經(jīng)取代的雜烴基;
單體C交聯(lián)劑具有結(jié)構(gòu)C-2:
其中C為芳香族部分、雜芳族部分、C1-C50烴基、C1-C50經(jīng)取代的烴基、C1-C50雜烴基或C1-C50經(jīng)取代的雜烴基;并且
其中R10到R17各自獨立地選自以下:氫、氘、C1-C50烴基、C1-C50經(jīng)取代的烴基、C1-C50雜烴基、C1-C50經(jīng)取代的雜烴基、鹵素、氰基、C5-C50芳基、C5-C50經(jīng)取代的芳基、C5-C50雜芳基、C5-C50經(jīng)取代的雜芳基;并且
其中L2選自雜原子、芳香族部分、雜芳族部分、C1-C100烴基、C1-C100經(jīng)取代的烴基、C1-C100雜烴基或C1-C100經(jīng)取代的雜烴基;并且L2的每個化學基團獨立地鍵合到C和R10到R17中的一個;并且
其中m為2到25;其中所述聚合物進一步包含具有結(jié)構(gòu)B的單體B:
其中B為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳香族部分或經(jīng)取代或未經(jīng)取代的雜芳族部分;并且
其中x為2到10;并且
其中L3選自雜原子、芳香族部分、雜芳族部分、C1-C100烴基、C1-C100經(jīng)取代的烴基、C1-C100雜烴基和C1-C100經(jīng)取代的雜烴基;并且
其中R7到R9各自獨立地選自以下:氫、氘、C1-C50烴基、C1-C50經(jīng)取代的烴基、C1-C50雜烴基、C1-C50經(jīng)取代的雜烴基、鹵素、氰基、C5-C50芳基、C5-C50經(jīng)取代的芳基、C5-C50雜芳基和C5-C50經(jīng)取代的雜芳基。
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H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
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