[發明專利]鰭下器件隔離

在審

• 申請號: 201580069804.X
• 申請日: 2015-12-03
• 公開（公告）號: CN107112282A
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發明（設計）人: S·S·宋;J·J·徐;V·馬赫卡奧特桑;M·巴達羅格魯;C·F·耶普
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/66;H01L29/78
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 陳煒,袁逸

1.一種用于隔離基板上的基于鰭的結構的摻雜部分的方法，包括：

在所述基于鰭的結構的多個鰭上沉積摻雜隔離內襯；

在所述摻雜隔離內襯的側壁上、在所述多個鰭之間沉積第一層隔離材料；

暴露所述多個鰭上的所述摻雜隔離內襯的一部分；

蝕刻所述多個鰭上的所述摻雜隔離內襯以暴露所述多個鰭的有源部分；

將所述摻雜隔離內襯中的摻雜劑驅入所述多個鰭的包括無襯摻雜部分的所述摻雜部分中；以及

在所述多個鰭的所述無襯摻雜部分和所述第一層隔離材料上沉積第二層隔離材料至所述多個鰭的所述有源部分與所述摻雜部分之間的邊界。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括：在所述第一層隔離材料與所述摻雜隔離內襯之間沉積分隔層。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述分隔層是基于氮化物的摻雜劑阻擋層。

4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，蝕刻所述摻雜隔離內襯進一步包括：

移除所述分隔層的一部分以暴露所述摻雜隔離內襯；以及

蝕刻所述摻雜隔離內襯以暴露所述多個鰭的所述有源部分。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括：在沉積所述第一層隔離材料之前，減薄摻雜氧化物以形成所述摻雜隔離內襯。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，驅入進一步包括：對所述摻雜隔離內襯進行退火以將所述摻雜隔離內襯中的所述摻雜劑納入到所述多個鰭的包括所述無襯摻雜部分的所述摻雜部分中。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，暴露所述摻雜隔離內襯的一部分包括：將所述第一層隔離材料凹陷以暴露所述多個鰭上的所述摻雜隔離內襯的所述部分。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于鰭的結構被集成到移動電話、機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設備、計算機、手持式個人通信系統(PCS)單元、便攜式數據單元、和/或固定位置數據單元中。

9.一種基于鰭的結構，包括：

在半導體基板的表面上的多個鰭，每個鰭包括鄰近所述半導體基板的所述表面的摻雜部分；

隔離層，所述隔離層被設置在所述多個鰭之間和所述半導體基板的所述表面上；以及

在所述多個鰭的所述摻雜部分的側壁上的凹陷隔離內襯，所述多個鰭的無襯摻雜部分從所述凹陷隔離內襯延伸到所述隔離層的表面，所述隔離層暴露所述多個鰭的有源部分并且被設置在所述多個鰭的所述無襯摻雜部分上。

10.如權利要求9所述的基于鰭的結構，其特征在于，進一步包括分隔層，所述分隔層被設置在所述隔離層與所述凹陷隔離內襯之間。

11.如權利要求10所述的基于鰭的結構，其特征在于，所述分隔層是基于氮化物的摻雜劑阻擋層。

12.如權利要求9所述的基于鰭的結構，其特征在于，所述凹陷隔離內襯進一步包括在所述多個鰭的所述摻雜部分的側壁上的摻雜隔離內襯，所述摻雜隔離內襯從所述半導體基板的所述表面延伸到所述多個鰭的所述無襯摻雜部分。

13.如權利要求9所述的基于鰭的結構，其特征在于，所述隔離層包括第一層和第二層，所述第一層被設置在所述多個鰭之間，所述第二層在所述多個鰭的所述有源部分的基底處并且被設置在所述多個鰭的所述無襯摻雜部分上。

14.如權利要求9所述的基于鰭的結構，其特征在于，所述基于鰭的結構被集成到移動電話、機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設備、計算機、手持式個人通信系統(PCS)單元、便攜式數據單元、和/或固定位置數據單元中。

15.一種基于鰭的結構，包括：

在半導體基板的表面上的多個鰭，每個鰭包括鄰近所述半導體基板的所述表面的摻雜部分；

用于隔離的裝置，所述用于隔離的裝置被設置在所述多個鰭之間和所述半導體基板的所述表面上；以及

在所述多個鰭的所述摻雜部分的側壁上的凹陷隔離內襯，所述多個鰭的無襯摻雜部分從所述凹陷隔離內襯延伸到所述多個鰭的有源部分、所述隔離裝置的表面，所述隔離裝置被設置在所述多個鰭的所述無襯摻雜部分上。