[發(fā)明專利]反射鏡裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580069606.3 | 申請(qǐng)日: | 2015-12-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107111246B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-01-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | Y.薩羅夫;M.霍爾茲;F.哈克;M.C.溫格勒;M.豪夫 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 卡爾蔡司SMT有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | G03F7/20 | 分類號(hào): | G03F7/20 |
| 代理公司: | 11105 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人: | 邱軍 |
| 地址: | 德國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 德國(guó);DE |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 反射 裝置 | ||
1.一種反射鏡裝置(29),包括
1.1.具有反射鏡體(35)的至少一個(gè)反射鏡(27),所述反射鏡體(35)具有
1.1.1.朝前的前側(cè),
1.1.2.后側(cè)(21),以及
1.1.3.至少一個(gè)側(cè)表面(22),以及
1.2.至少兩個(gè)分開(kāi)的導(dǎo)電屏蔽元件(25),
1.2.1.能夠通過(guò)至少兩個(gè)供電線路(64)對(duì)所述至少兩個(gè)分開(kāi)的導(dǎo)電屏蔽元件(25)施加不同電壓(Ur1,Ur2);并且
1.2.2.所述至少兩個(gè)分開(kāi)的導(dǎo)電屏蔽元件(25)形成在與所述至少一個(gè)側(cè)表面(22)和/或所述后側(cè)(21)相鄰的區(qū)域中產(chǎn)生電場(chǎng)的機(jī)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的反射鏡裝置(29),其特征在于,所述導(dǎo)電屏蔽元件(25)中的至少一個(gè)布置在所述至少一個(gè)側(cè)表面(22)的區(qū)域中和/或在所述反射鏡(27)的所述后側(cè)(21)上或后面的區(qū)域中。
3.如權(quán)利要求1或2所述的反射鏡裝置(29),其特征在于電壓源(63),所述電壓源(63)對(duì)所述導(dǎo)電屏蔽元件(25)中的至少一個(gè)施加-300V至300V范圍內(nèi)的電壓。
4.如權(quán)利要求1或2所述的反射鏡裝置(29),其特征在于控制裝置(60),所述控制裝置(60)控制對(duì)所述導(dǎo)電屏蔽元件(25)中的至少一個(gè)所施加的電壓。
5.如權(quán)利要求1或2所述的反射鏡裝置(29),其特征在于,能夠通過(guò)所述反射鏡體(35)中的供電線路對(duì)所述導(dǎo)電屏蔽元件(25)施加電壓(Ur1,Ur2)。
6.如權(quán)利要求1或2所述的反射鏡裝置(29),其特征在于,至少兩個(gè)導(dǎo)電屏蔽元件(25)布置在所述反射鏡體(35)中的一個(gè)的不同側(cè)表面(22)中或上。
7.如權(quán)利要求1或2所述的反射鏡裝置(29),其特征在于,所述反射鏡裝置包括多個(gè)反射鏡(27)。
8.如權(quán)利要求7所述的反射鏡裝置(29),其特征在于,至少一個(gè)導(dǎo)電屏蔽元件(25)分別布置在兩個(gè)相鄰反射鏡(27)之間的空隙后面的區(qū)域中。
9.如權(quán)利要求7所述的反射鏡裝置(29),其特征在于,兩個(gè)導(dǎo)電屏蔽元件(25)分別成對(duì)布置在相鄰反射鏡(27)的相對(duì)的側(cè)表面(22)的區(qū)域中。
10.一種投射曝光設(shè)備(1)的照明光學(xué)單元(4),包括至少一個(gè)如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)中所述的反射鏡裝置(29)。
11.一種微光刻投射曝光設(shè)備(1)的照明系統(tǒng)(2),包括
11.1.如權(quán)利要求10所述的照明光學(xué)單元(4),以及
11.2.產(chǎn)生照明輻射(10)的輻射源(3)。
12.一種微光刻投射曝光設(shè)備(1),包括
12.1.如權(quán)利要求10所述的照明光學(xué)單元(4),以及
12.2.投射光學(xué)單元(7),所述投射光學(xué)單元(7)將照明輻射(10)從物場(chǎng)(5)投射到像場(chǎng)(8)中。
13.一種制造微結(jié)構(gòu)化或納米結(jié)構(gòu)化部件的方法,
13.1.提供掩模母版(30),
13.2.提供晶片,所述晶片具有對(duì)照明輻射(10)敏感的涂層,
13.3.借助于如權(quán)利要求12所述的微光刻投射曝光設(shè)備(1),將所述掩模母版(30)的至少一個(gè)區(qū)段投射到所述晶片上,
13.4.將所述晶片上已經(jīng)由所述照明輻射(10)曝光的光敏層顯影。
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