[發明專利]晶圓組、晶圓的制造裝置及晶圓的制造方法

有效

• 申請號: 201580069413.8
• 申請日: 2015-12-09
• 公開（公告）號: CN107112227B
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 東海林慎也;石井誠人;梅津一之;杉浦淳二
• 申請（專利權）人: 同和電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;B28D5/00
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

本發明的一個課題在于，提供一種在各晶圓之間組成是變動的晶圓組，自該晶圓組制造的產品容易確保均勻性。本發明的另一個課題在于，提供一種技術，利用該技術能夠排除形成OF時的不確定因素，并能夠以極高的概率和極高的精度來形成OF。本發明提供晶圓組和與其相關的技術，該晶圓組由自同一個鑄錠得到的多個晶圓構成，而且所有的晶圓都具有OF，其中，該晶圓組由70張以上的晶圓構成，各晶圓的OF方位精度在±0.010°以內。

技術領域

本發明涉及晶圓組、晶圓的制造裝置及晶圓的制造方法，特別是涉及具有兩個相對的主面和通過劈開形成的定位平面(OF)的晶圓組、晶圓的制造裝置及晶圓的制造方法。

背景技術

作為半導體裝置用途，主要使用晶圓(例如硅晶圓、GaAs晶圓)。如專利文獻1所示，通過將鑄錠切片來制作該晶圓。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2005－243976號公報

發明內容

發明要解決的問題

在晶圓中，為了控制結晶的電特性，添加了作為雜質的預定的元素(以下稱作“載體”。)。不言而喻，這對于作為晶圓的基礎的鑄錠也是同樣的。載體具有在結晶熔體內偏析的傾向。因此，在利用結晶生長制作的鑄錠的從一端到另一端之間，載體的濃度變動(例如增加)。

這樣的話，在自同一個鑄錠得到的晶圓中，理所當然在晶圓之間載體濃度并不恒定。詳細地講，在自同一個鑄錠切下來的多個晶圓中，從自鑄錠的一端附近切下來的晶圓A1觀看時與另一端側相鄰的晶圓A2的載體濃度增加。這一點，在從晶圓A2觀看并著眼于與另一端側相鄰的晶圓A3的載體濃度時也是同樣的。

假定設想自同一個鑄錠切下100張晶圓的情況。對于從鑄錠的一端附近切下來的晶圓A1～從另一端附近切下來的晶圓A100，在將各晶圓的編號(A“1”，A“2”，···A“99”，A“100”)設為X軸、將各晶圓內的載體濃度設為Y軸時形成的曲線圖成為具有連續性的直線或者曲線。其原因在于，各晶圓是由同一個鑄錠制作的。

另外，這一點對于在鑄錠內產生的缺陷也是同樣的。也就是說，在按照上述的編號順序觀察各晶圓時，各晶圓內的缺陷的位置、大小一點點地變動。

另外，圖1是該曲線圖為直線的情況的圖表。另外，為了便于說明，Y軸將各晶圓的編號增加時的載體濃度的變動量(在此是增量)作為1個單位來計算。以下，在易于理解地說明本實施方式的關系上，使用圖1或者將其變形而成的圖(圖2)進行說明。

原本，無論在組成的方面還是在缺陷的位置、大小的方面，都優選在晶圓之間是完全相同的。其原因在于，若是完全相同的，則即使在使用晶圓制造半導體裝置等的情況下，也不必針對各晶圓逐個地變動在晶圓上設置其他物質時的條件，能夠在相同的條件下進行制造工序。

但是，在自鑄錠制作各晶圓的條件下，載體濃度的變動是不可避免的。這樣的話，在使用晶圓制造半導體裝置等的情況下，會使在晶圓上設置其他物質時的條件變動。但另一方面，在自同一個鑄錠制作的各晶圓中，只要預先明確載體濃度如何變動、換一種說法就是載體濃度的連續性，就也可以與載體濃度的連續性相應地使在晶圓上設置其他物質時的條件也連續地變化。由此，能夠使最終制造的半導體裝置等的各種特性在各半導體裝置等中均勻化。

但是，在此產生與晶圓的定位平面(以下簡稱作“OF”。)相關的較大的課題。