[發(fā)明專利]光學(xué)半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580068863.5
• 申請(qǐng)日: 2015-10-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107112722B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 倉(cāng)本大;風(fēng)田川統(tǒng)之;濱口達(dá)史;泉將一郎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號(hào): H01S5/343
• 分類號(hào): H01S5/343;H01L21/205;H01L33/06;H01L33/32;H01S5/183;H01S5/22
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種光學(xué)半導(dǎo)體裝置，包括層壓結(jié)構(gòu)體，在所述層壓結(jié)構(gòu)體中，依次層壓n型化合物半導(dǎo)體層、有源層和p型化合物半導(dǎo)體層，

其中，所述有源層包括含有隧道勢(shì)壘層的多量子阱結(jié)構(gòu)，并且所述有源層由AlInGaN基化合物半導(dǎo)體制成，在銦的組分和在所述組分中的銦原子的數(shù)量由直方圖表示的情況下，其中水平軸表示所述銦的組分并且垂直軸表示所述組分中的所述銦原子的數(shù)量，與p型化合物半導(dǎo)體層相鄰的阱層的直方圖的半值寬度、方差或標(biāo)準(zhǔn)偏差的值大于另一個(gè)阱層的直方圖的半值寬度、方差或標(biāo)準(zhǔn)偏差的值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)半導(dǎo)體裝置，其中，與所述p型化合物半導(dǎo)體層相鄰的所述阱層的帶隙能量小于所述另一個(gè)阱層的帶隙能量。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)半導(dǎo)體裝置，其中，與所述p型化合物半導(dǎo)體層相鄰的所述阱層的厚度大于所述另一個(gè)阱層的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)半導(dǎo)體裝置，其中，與所述p型化合物半導(dǎo)體層相鄰的所述阱層的帶隙能量小于所述另一個(gè)阱層的帶隙能量。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)半導(dǎo)體裝置，其中，所述隧道勢(shì)壘層形成在阱層與勢(shì)壘層之間。