[發(fā)明專利]圖像取得裝置、生物體信息取得裝置、電子設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580068618.4 | 申請(qǐng)日: | 2015-11-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107148673A | 公開(公告)日: | 2017-09-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 土屋仁 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 精工愛普生株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146;A61B5/02;A61B5/1455;G02B3/00;H01L27/14;H01L27/15;H01L31/0232;H01L31/12;H01L51/50;H04N5/369;H04N5/374;H05B33/24 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 圖像 取得 裝置 生物體 信息 電子設(shè)備 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種圖像取得裝置、生物體信息取得裝置、電子設(shè)備。
背景技術(shù)
公開有對(duì)被攝體進(jìn)行攝像而取得圖像的攝像裝置(專利文獻(xiàn)1)。專利文獻(xiàn)1中所例示的攝像裝置成為依次層壓有受光部、遮光部、發(fā)光部、聚光部的結(jié)構(gòu)。在來自通過從發(fā)光部射出的攝像光而被照明的被攝體的入射光在聚光部中被聚光之后,透過在發(fā)光部和遮光部上分別設(shè)置的開口部而到達(dá)位于最底層的受光部。受光部成為如下結(jié)構(gòu),即,具有多個(gè)受光元件,并對(duì)分別入射到多個(gè)受光元件中的來自被攝體的入射光的強(qiáng)度進(jìn)行圖像處理,從而獲得被攝體的圖像信息的結(jié)構(gòu)。
在上述攝像裝置中所例示的發(fā)光部具有:第一電極層以及第二電極層;和被夾在兩個(gè)電極層之間并由有機(jī)EL(Electro Luminescence:電致發(fā)光)材料形成的發(fā)光層。發(fā)光部中的發(fā)光區(qū)域通過絕緣層而被規(guī)定,所述絕緣層以對(duì)第一電極層與發(fā)光層相接的區(qū)域進(jìn)行包圍的方式而被設(shè)置。在上述專利文獻(xiàn)1中公開了如下的示例,即,對(duì)發(fā)光區(qū)域相對(duì)于透鏡的光軸的位置進(jìn)行規(guī)定,以使除了來自被照明的被攝體的入射光以外的、從發(fā)光部射出的攝像光中的在作為聚光部的透鏡的表面上反射的光不會(huì)入射到受光元件的受光面上。
在先技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開2014-67577號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題
然而,在上述專利文獻(xiàn)1的攝像裝置中,發(fā)光部的第二電極層作為多個(gè)第一電極層所共用的共用電極而被設(shè)置,并且包含被設(shè)置在發(fā)光區(qū)域以外且隔著絕緣層而與第一電極層對(duì)置的部分。由于第一電極層的表面具有光反射性并且絕緣層與第二電極層由折射率不同的材料構(gòu)成,因此存在如下的可能,即,從發(fā)光層發(fā)出的光例如在發(fā)光區(qū)域以外的第一電極層的表面上反射,而且還在絕緣層與第二電極層之間的界面上再次反射,從而產(chǎn)生所謂的雜散光。當(dāng)這種雜散光入射到受光元件的受光面上時(shí),有可能會(huì)影響來自被攝體的入射光的強(qiáng)度而變得無法獲得清晰的被攝體的圖像。另外,雜散光不僅包含在絕緣層與第二電極層之間的界面上反射的光,還包含在聚光部到受光部之間光在所透過的部件的界面上發(fā)生折射的光。
用于解決課題的方法
本發(fā)明是用于解決上述的課題中的至少一部分而被完成的,并且能夠作為以下的方式或者應(yīng)用例而實(shí)現(xiàn)。
[應(yīng)用例]
本應(yīng)用例所涉及的圖像取得裝置的特征在于,具備:具有受光元件的攝像部;遮光部;和具有發(fā)光元件的發(fā)光部,其中,所述遮光部具有:透光性的基板;被設(shè)置在所述基板的與所述攝像部對(duì)置的表面上的遮光層;和以對(duì)應(yīng)于所述攝像部中的所述受光元件的配置的方式而被設(shè)置在所述遮光層上的開口部,在所述發(fā)光部與所述遮光部之間具有折射率與所述遮光部的所述基板的折射率相比較小的透光層,在將所述受光元件的受光面的直徑設(shè)為d,將所述開口部的直徑設(shè)為a,將所述受光元件的配置間距設(shè)為p,將所述透光層的折射率設(shè)為n1,將所述基板的折射率設(shè)為n2,并將所述受光元件與所述遮光層之間的距離設(shè)為h時(shí),滿足以下的數(shù)學(xué)式,即,Arctan((p-a/2-d/2)/h)≥Arcsin(n1/n2)。
根據(jù)斯涅耳定律,Arcsin(n1/n2)表示從遮光部的基板入射到透光層的光的臨界角(以下設(shè)為臨界角θm)。與此相對(duì),Arctan((p-a/2-d/2)/h)表示從遮光部上的相鄰的開口部中的一個(gè)開口部入射的光入射到與另一個(gè)開口部對(duì)置的受光元件的受光面時(shí)的角度θ。從透光層入射到遮光部的基板上而發(fā)生折射并入射到遮光部的開口部中的光的入射角度與臨界角θm相比較小。即,只要上述角度θ的值大于或等于臨界角θm,那么入射到遮光部的一個(gè)開口部中的光便不會(huì)入射到與另一個(gè)開口部對(duì)置的受光元件的受光面上。
根據(jù)本應(yīng)用例,能夠減少由發(fā)光部發(fā)出的光產(chǎn)生的雜散光從開口部入射到受光元件的受光面上的情況。故此,減少了雜散光入射到受光元件的受光面上的情況,從而能夠提供一種可取得清晰的圖像的圖像取得裝置。
在上述應(yīng)用例所述的圖像取得裝置中,優(yōu)選為,在所述攝像部與所述遮光部之間具有粘合層,所述粘合層的折射率n3與所述基板的折射率n2基本相同。
根據(jù)該結(jié)構(gòu),即使通過粘合層而將攝像部與遮光部牢固地粘合,并且雜散光入射到開口部中,也由于雜散光從開口部射出的射出角度不易發(fā)生變化,因此雜散光不易到達(dá)受光元件的受光面。即,能夠提供一種可取得清晰的圖像并且在耐久性方面較優(yōu)異的圖像取得裝置。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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