[發(fā)明專利]用于先進(jìn)互連應(yīng)用的超薄電介質(zhì)擴(kuò)散阻擋層與蝕刻終止層

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580068587.2
• 申請(qǐng)日: 2015-11-17
• 公開（公告）號(hào): CN107112278B
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D·帕德希;陳一宏;K·陳;A·B·瑪里克;A·T·迪莫斯;M·斯利尼瓦薩恩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L23/532;C23C16/30;C23C16/452;C23C16/455
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖

1.一種沉積層的方法，包含以下步驟：

將基板定位在工藝腔室的處理區(qū)域中，其中所述基板具有設(shè)置在所述基板的表面上的電介質(zhì)層，且在所述電介質(zhì)層內(nèi)設(shè)置導(dǎo)電接觸件；

輸送工藝氣體到所述處理區(qū)域，所述工藝氣體包含含鋁氣體與含硅氣體；

活化反應(yīng)物氣體，所述反應(yīng)物氣體包含含氮?dú)怏w；

輸送所述反應(yīng)物氣體到所述工藝氣體以產(chǎn)生沉積氣體，所述沉積氣體將含硅與鋁層沉積在所述電介質(zhì)層上；及

凈化所述處理區(qū)域。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述含硅與鋁層包含SiAlN、SiAlCN、或SiAlON。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中活化所述反應(yīng)物氣體的步驟包含以下步驟：在輸送所述反應(yīng)物氣體到所述工藝氣體之前，將所述反應(yīng)物氣體轉(zhuǎn)變成等離子體。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述反應(yīng)物氣體在所述工藝氣體的存在下被活化。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述反應(yīng)物氣體包含NH₃、N₂、H₂、或上述的組合物。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述含鋁氣體是三甲基鋁(TMA)。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述含硅氣體是三甲基硅烷(TMS)。

8.一種沉積層的方法，包含以下步驟：

將基板定位在工藝腔室的處理區(qū)域中；

在所述基板上沉積含硅層，包含以下步驟：

輸送第一工藝氣體到所述處理區(qū)域，所述第一工藝氣體包含含硅氣體；

活化第一反應(yīng)物氣體，以產(chǎn)生經(jīng)活化的第一反應(yīng)物氣體，所述第一反應(yīng)物氣體包含含氮?dú)怏w、含氫氣體、或上述的組合物；

輸送所述經(jīng)活化的第一反應(yīng)物氣體到所述第一工藝氣體以產(chǎn)生第一沉積氣體；及

凈化所述處理區(qū)域；

在所述含硅層上沉積含鋁層，包含以下步驟：

輸送第二工藝氣體到所述處理區(qū)域，所述第二工藝氣體包含含鋁氣體；

活化第二反應(yīng)物氣體，以產(chǎn)生經(jīng)活化的第二反應(yīng)物氣體，所述第二反應(yīng)物氣體包含含氮?dú)怏w、含氫氣體、或上述的組合物；

輸送所述經(jīng)活化的第二反應(yīng)物氣體到所述第二工藝氣體以產(chǎn)生第二沉積氣體；及

凈化所述處理區(qū)域；及

提供后沉積處理，所述后沉積處理結(jié)合所述含鋁層與所述含硅層。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述后沉積處理包含惰性等離子體處理，所述惰性等離子體處理被輸送到所述含鋁層以及所述含硅層。

10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述含鋁層包含AlN，并且所述含硅層包含SiN、SiCN、或SiON。

11.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述活化所述第一反應(yīng)物氣體或所述第二反應(yīng)物氣體包含以下步驟：在輸送所述第一反應(yīng)物氣體或所述第二反應(yīng)物氣體到所述工藝氣體之前，將所述第一反應(yīng)物氣體或所述第二反應(yīng)物氣體轉(zhuǎn)變成等離子體。

12.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第一反應(yīng)物氣體或所述第二反應(yīng)物氣體分別在所述第一工藝氣體或所述第二工藝氣體的存在下被活化。

13.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第一反應(yīng)物氣體或所述第二反應(yīng)物氣體包含NH₃、N₂、H₂、或上述的組合物。

14.如權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括：重復(fù)所述沉積含鋁層和所述沉積含硅層。

15.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述含鋁氣體是三甲基鋁(TMA)。