[發明專利]用于沉積多晶硅的反應器

在審

• 申請號: 201580068577.9
• 申請日: 2015-12-18
• 公開（公告）號: CN107735361A
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發明（設計）人: T·魏斯;H·克勞斯
• 申請（專利權）人: 瓦克化學股份公司
• 主分類號: C01B33/035
• 分類號: C01B33/035;C21D7/00;C22F1/14;C23C10/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司72002
• 代理人: 李振東,過曉東

1.用于沉積多晶硅的反應器，其包括金屬底板、放置在所述底板上并與所述底板形成氣密密封的可冷卻的鐘形罩、用于供應氣體的噴嘴和用于除去反應氣體的開口，以及用于絲棒的固定器和用于電流的輸入引線和輸出引線，其中所述鐘形罩的內壁涂布金屬或金屬合金，其特征在于，通過熱成形和/或冷成形對涂層進行機械后處理，使得所述涂層在機械處理期間經歷塑性變形。

2.根據權利要求1的反應器，其中所述鐘形罩的內壁和所述底板是經涂布的。

3.根據權利要求1或2的反應器，其中所述涂層的厚度為0.5至5mm。

4.根據權利要求3的反應器，其中所述涂層的厚度為0.5至3.5mm。

5.根據權利要求1至4之一的反應器，其中所述涂層是包含銀的涂層。

6.根據權利要求5的反應器，其中所述涂層是包含純銀的涂層。

7.根據權利要求6的反應器，其中所述涂層是包含細晶粒銀的涂層。

8.根據權利要求1至7之一的反應器，其中成形后所述涂層包含壓痕。

9.根據權利要求1至8之一的反應器，其中所述反應器的內壁和所述底板由鋼或不銹鋼制成并且鍍銀，其中銀鍍層是經錘打的。

10.生產多晶硅的方法，其包括通過一個或多個噴嘴將包含含硅組分和氫氣的反應氣體引入根據權利要求1至9之一的反應器中，所述反應器包括在其上沉積硅的至少一個加熱的絲棒。