[發(fā)明專利]低剖面加強層疊封裝半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580068185.2
• 申請日: 2015-12-15
• 公開（公告）號: CN107112321B
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: H·B·蔚;D·W·金;K-P·黃;Y·K·宋
• 申請（專利權(quán)）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01L25/10
• 分類號: H01L25/10;H01L21/60
• 代理公司: 上海專利商標事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 袁逸;陳煒

1.一種層疊封裝半導(dǎo)體器件，包括：

第一半導(dǎo)體封裝，所述第一半導(dǎo)體封裝包括：

陽極化金屬蓋結(jié)構(gòu)，其包括(i)具有中央空腔開口方向的中央空腔和(ii)具有面對與所述中央空腔開口方向相反的方向的周界空腔開口方向的至少一個周界空腔；

布置在所述陽極化金屬蓋結(jié)構(gòu)的所述中央空腔中的第一半導(dǎo)體器件；

電耦合到所述第一半導(dǎo)體器件的重分布層，其中形成在所述重分布層中的導(dǎo)電跡線向所述至少一個周界空腔曝露；以及

布置在所述至少一個周界空腔中的焊料材料；以及

第二半導(dǎo)體封裝，所述第二半導(dǎo)體封裝包括至少一個導(dǎo)電樁，其中所述至少一個導(dǎo)電樁電耦合到布置在所述至少一個周界空腔中的所述焊料材料。

2.如權(quán)利要求1所述的層疊封裝半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述陽極化金屬蓋結(jié)構(gòu)進一步包括配置成容適電荷從形成在所述重分布層中的所述導(dǎo)電跡線向所述焊料材料的轉(zhuǎn)移的孔洞。

3.如權(quán)利要求1所述的層疊封裝半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體器件用第一接合劑接合到所述中央空腔的表面。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述重分布層是光刻重分布層。

5.如權(quán)利要求1所述的層疊封裝半導(dǎo)體器件，其特征在于，進一步包括焊球，所述焊球在所述重分布層的與所述半導(dǎo)體器件被耦合到的所述重分布層的那側(cè)相反的一側(cè)上被耦合到所述重分布層。

6.如權(quán)利要求1所述的層疊封裝半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體封裝是用第二接合劑來接合到所述第一半導(dǎo)體封裝的。

7.如權(quán)利要求6所述的層疊封裝半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體封裝被壓縮接合到所述第一半導(dǎo)體封裝。

8.如權(quán)利要求6所述的層疊封裝半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體封裝的第二半導(dǎo)體器件經(jīng)由所述至少一個導(dǎo)電樁和所述焊料材料被電耦合到所述第一半導(dǎo)體封裝的所述第一半導(dǎo)體器件。

9.如權(quán)利要求1所述的層疊封裝半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述層疊封裝半導(dǎo)體具有600μm到800μm的高度。

10.一種包括如權(quán)利要求1所述的層疊封裝半導(dǎo)體器件的設(shè)備，所述設(shè)備選自包括機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、個人數(shù)字助理、固定位置數(shù)據(jù)單元和計算機的組。

11.一種制造層疊封裝半導(dǎo)體器件的方法，包括：

形成陽極化金屬蓋結(jié)構(gòu)，其中形成所述陽極化金屬蓋結(jié)構(gòu)包括：

在所述陽極化金屬蓋結(jié)構(gòu)中定義具有中央空腔開口方向的中央空腔；以及

在所述陽極化金屬蓋結(jié)構(gòu)中定義具有周界空腔開口方向的至少一個周界空腔，其中所述周界空腔開口方向面向與所述中央空腔開口方向相反的方向；

將第一半導(dǎo)體器件放置在所述陽極化金屬蓋結(jié)構(gòu)的所述中央空腔中；

提供第一半導(dǎo)體封裝，其中提供所述第一半導(dǎo)體封裝包括將所述第一半導(dǎo)體器件電耦合到重分布層，以及形成在所述重分布層中形成的導(dǎo)電跡線，從而所述導(dǎo)電跡線向所述至少一個周界空腔曝露；

用焊料材料填充所述至少一個周界空腔的至少一部分；以及

通過將至少一個導(dǎo)電樁耦合到所述焊料材料來將具有所述至少一個導(dǎo)電樁的第二半導(dǎo)體封裝耦合到所述第一半導(dǎo)體封裝。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，形成所述陽極化金屬蓋結(jié)構(gòu)進一步包括：

在金屬板中形成孔洞；以及

陽極化所述金屬板。

13.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，將所述第一半導(dǎo)體器件放置到所述中央空腔中包括用第一接合劑將所述第一半導(dǎo)體器件接合到所述中央空腔。