[發(fā)明專利]用于電子束直寫（EBDW）光刻的下方吸收或傳導層

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201580068104.9
• 申請日: 2015-06-18
• 公開（公告）號: CN107004576A
• 公開（公告）日: 2017-08-01
• 發(fā)明（設計）人: S·坦登;Y·A·波羅多維斯基;C·H·華萊士;P·A·尼許斯
• 申請（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司72002
• 代理人: 陳松濤,王英

1.一種使用電子束工具圖案化抗蝕劑層的方法，所述方法包括：

在下方吸收或傳導層上提供具有抗蝕劑層的晶片；以及

執(zhí)行電子束直寫光刻以用入射電子圖案化所述抗蝕劑層，其中，所述吸收或傳導層吸收、反射或傳導出大部分所述入射電子，以減少反向散射。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述下方吸收或傳導層是選自于由以下各項構(gòu)成的組中的材料層：鉻(Cr)層、硅化鉬(MoSi)層、氮化鈦(TiN)層、氮化鉭(TaN)層、硅(Si)層、諸如石墨烯層之類的碳旋涂層、CVD沉積的碳層、旋涂玻璃層、鎢(W)層、銅(Cu)層、鈷(Co)層、氮化硅(SiN)層、碳化硅(SiC)層和二氧化硅(SiO₂)層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述下方吸收或傳導層是選自于由以下各項構(gòu)成的組中的材料層：釕(Ru)層、鈦(Ti)層、鎳(Ni)層、鋁(Al)層、鉿(Hf)層、鉭(Ta)層、鋯(Zr)層或其合金層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述下方吸收或傳導層是單一材料層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述下方吸收或傳導層是多個材料層的疊置體。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述下方吸收或傳導層具有的厚度大約在1-200納米的范圍內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述晶片進一步提供有上部電荷耗散層，所述上部電荷耗散層設置在所述抗蝕劑層上方。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括：

在執(zhí)行電子束直寫光刻后，顯影所述抗蝕劑層并蝕刻所述吸收或傳導層以及位于所述吸收或傳導層下方的層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，執(zhí)行所述電子束直寫光刻包括使用大約在10kEV至200kEV范圍內(nèi)的電子束，其中電流大約在幾uC/cm²至幾百uC/cm²的范圍內(nèi)。

10.一種使用電子束工具圖案化抗蝕劑層的方法，所述方法包括：

在下方吸收或傳導層上提供具有抗蝕劑層的晶片；以及

執(zhí)行電子束直寫光刻以用入射電子圖案化所述抗蝕劑層，其中，所述吸收或傳導層吸收、反射或傳導大部分所述入射電子以調(diào)節(jié)反向散射。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述下方吸收或傳導層是選自于由以下各項構(gòu)成的組中的材料層：鉻(Cr)層、硅化鉬(MoSi)層、氮化鈦(TiN)層、氮化鉭(TaN)層、硅(Si)層、諸如石墨烯層之類的碳旋涂層、CVD沉積的碳層、旋涂玻璃層、鎢(W)層、銅(Cu)層、鈷(Co)層、氮化硅(SiN)層、碳化硅(SiC)層和二氧化硅(SiO₂)層。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述下方吸收或傳導層是選自于由以下各項構(gòu)成的組中的材料層：釕(Ru)層、鈦(Ti)層、鎳(Ni)層、鋁(Al)層、鉿(Hf)層、鉭(Ta)層、鋯(Zr)層或其合金層。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述下方吸收或傳導層是單一材料層。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述下方吸收或傳導層是多個材料層的疊置體。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述下方吸收或傳導層具有的厚度大約在1-200納米的范圍內(nèi)。

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述晶片進一步提供有上部電荷耗散層，所述上部電荷耗散層設置在所述抗蝕劑層上方。

17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，進一步包括：

在執(zhí)行所述電子束直寫光刻后，顯影所述抗蝕劑層并蝕刻所述吸收或傳導層以及位于所述吸收或傳導層下方的層。

18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，執(zhí)行所述電子束直寫光刻包括使用大約在10kEV至200kEV范圍內(nèi)的電子束，其中電流大約在幾uC/cm²至幾百uC/cm²的范圍內(nèi)。