[發(fā)明專利]肖特基勢壘二極管及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580068085.X
• 申請日: 2015-10-19
• 公開（公告）號: CN107004725B
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 永岡達(dá)司;三宅裕樹;宮原真一朗;青井佐智子
• 申請（專利權(quán)）人: 豐田自動車株式會社;株式會社電裝
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/47
• 代理公司: 北京金信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11225
• 代理人: 蘇萌萌;范文萍

1.一種肖特基勢壘二極管，其具備半導(dǎo)體基板和與所述半導(dǎo)體基板的表面接觸的陽極電極，其中，

所述半導(dǎo)體基板具備：p型接觸區(qū)，其與所述陽極電極接觸；n型漂移區(qū)，其與所述陽極電極肖特基接觸，

所述p型接觸區(qū)具備：第一p型區(qū)域，其在所述陽極電極與所述半導(dǎo)體基板的接觸面處形成閉環(huán)，且具有以曲線狀延伸的角部；第二p型區(qū)域，其在所述接觸面處被配置于所述第一p型區(qū)域的內(nèi)周部，且與所述角部連接；邊緣填充部，其在所述第一p型區(qū)域與所述第二p型區(qū)域的連接部處與所述第一p型區(qū)域和所述第二p型區(qū)域相接，

在將所述第一p型區(qū)域的在未與所述邊緣填充部相接的范圍內(nèi)延伸的輪廓的向所述連接部側(cè)延長的延長線設(shè)為第一延長線，并將所述第二p型區(qū)域的在未與所述邊緣填充部相接的范圍內(nèi)延伸的輪廓的向所述連接部側(cè)延長的延長線設(shè)為第二延長線時，所述第一延長線與所述第二延長線以銳角交叉，

所述邊緣填充部填充被形成在所述第一延長線與所述第二延長線之間的銳角邊緣，

所述第二p型區(qū)域在所述接觸面處以帶狀延伸，

所述銳角為θ，

所述接觸面內(nèi)的所述角部的寬度為W1，

所述接觸面內(nèi)的所述第二p型區(qū)域的寬度為W2，

與將所述銳角二等分的直線正交的方向上的所述接觸面內(nèi)的所述邊緣填充部的位置處的所述p型接觸區(qū)的最大寬度為Wa，所述第一p型區(qū)域和所述第二p型區(qū)域的復(fù)合寬度為Wc，Wa與Wc相比較寬，

Wc＝(W1+W2)/cos(θ/2)。

2.如權(quán)利要求1所述的肖特基勢壘二極管，其中，

所述第一p型區(qū)域與所述邊緣填充部所形成的角在90度以上，所述第二p型區(qū)域與所述邊緣填充部所形成的角在90度以上。

3.如權(quán)利要求1或2所述的肖特基勢壘二極管，其中，

多條所述第二p型區(qū)域平行地延伸，

所述邊緣填充部的從所述第一p型區(qū)域離開所述邊緣填充部的位置到所述第二p型區(qū)域離開所述邊緣填充部的位置之間的輪廓與所述第二p型區(qū)域正交，

所述邊緣填充部的所述輪廓的長度在相鄰的所述第二p型區(qū)域之間的間隔的一半以下。

4.一種肖特基勢壘二極管的制造方法，其為制造肖特基勢壘二極管的方法，其中，

在n型的半導(dǎo)體基板的表面上形成掩膜，并且在所述掩膜上形成有具備以下特征的開口，即：

(a)形成有第一開口部、第二開口部和第三開口部，所述第一開口部形成閉環(huán)且具有以曲線狀延伸的角部，所述第二開口部被配置于所述第一開口部的內(nèi)周部且與所述角部連接，所述第三開口部被形成在所述第一開口部與所述第二開口部的連接部處；

(b)在將所述第一開口部的在未與所述第三開口部相接的范圍內(nèi)延伸的輪廓的向所述連接部側(cè)延長的延長線設(shè)為第一延長線，并將所述第二開口部的在未與所述第三開口部相接的范圍內(nèi)延伸的輪廓的向所述連接部側(cè)延長的延長線設(shè)為第二延長線時，所述第一延長線與所述第二延長線以銳角交叉；

(c)所述第三開口部形成在包括被形成于所述第一延長線與所述第二延長線之間的銳角邊緣在內(nèi)的范圍內(nèi)，

通過隔著所述掩膜而向所述半導(dǎo)體基板注入p型雜質(zhì)，從而在所述半導(dǎo)體基板中形成p型接觸區(qū)，

從所述表面去除所述掩膜，

在所述表面上形成陽極電極，所述陽極電極與所述p型接觸區(qū)接觸，并且與曾被所述掩膜所覆蓋的范圍內(nèi)的n型區(qū)域肖特基接觸，

所述第二開口部以帶狀延伸，

所述銳角為θ，

所述角部的寬度為W1，

所述第二開口部的寬度為W2，

與將所述銳角二等分的直線正交的方向上的所述第三開口部的位置處的所述開口部的最大寬度為Wa，所述第一開口部和所述第二開口部的復(fù)合寬度為Wc，Wa與Wc相比較寬，

Wc＝(W1+W2)/cos(θ/2)。