[發(fā)明專利]易失性/非易失性SRAM器件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580067948.1 | 申請(qǐng)日： | 2015-12-02 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107004445A | 公開（公告）日： | 2017-08-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳曉楠;Z·王;X·李 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G11C11/412 | 分類號(hào)： | G11C11/412;G11C14/00 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100 | 代理人： | 陳煒,袁逸 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 易失性 非易失性 sram 器件 | ||
1.一種操作靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)存儲(chǔ)元件的方法，所述方法包括：
在掉電事件之前將一值編程到所述SRAM存儲(chǔ)元件；以及
響應(yīng)于在所述掉電事件之后在所述SRAM存儲(chǔ)元件處的上電事件：
增加所述SRAM存儲(chǔ)元件的電源電壓；以及
感測所述SRAM存儲(chǔ)元件的狀態(tài)以確定在所述掉電事件之前被編程到所述SRAM存儲(chǔ)元件的所述值。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述SRAM存儲(chǔ)元件具有對(duì)所述狀態(tài)的易感性，并且其中，所述易感性是通過增加所述SRAM存儲(chǔ)元件的各晶體管之間的閾值電壓差異來創(chuàng)建的。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，增加所述閾值電壓差異包括：用第一偏置電壓來偏置所述SRAM存儲(chǔ)元件的第一晶體管的第一體端子。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，增加所述閾值電壓差異進(jìn)一步包括：用不同于所述第一偏置電壓的第二偏置電壓來偏置所述SRAM存儲(chǔ)元件的第二晶體管的第二體端子。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一偏置電壓是正電壓，并且其中，所述第二偏置電壓是接地電壓。
6.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述易感性對(duì)應(yīng)于與置位操作相關(guān)聯(lián)的第一邏輯值或者與復(fù)位操作相關(guān)聯(lián)的第二邏輯值。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，感測所述狀態(tài)包括：將所述電源電壓從低電壓電平斜升到電源電壓電平并檢測耦合到所述SRAM存儲(chǔ)元件的位線的電壓。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括：向所述SRAM存儲(chǔ)元件應(yīng)用易失性操作偏置方案以將所述SRAM存儲(chǔ)元件操作為易失性存儲(chǔ)元件。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述電源電壓是由耦合到所述SRAM存儲(chǔ)元件的控制電路系統(tǒng)提供的。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述SRAM存儲(chǔ)元件和所述控制電路系統(tǒng)被集成在選自以下各項(xiàng)的電子設(shè)備內(nèi)：移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、機(jī)頂盒、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、電視機(jī)、調(diào)諧器、無線電、音樂播放器、視頻播放器、或者其組合。
11.一種裝置，包括：
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)存儲(chǔ)元件；以及
耦合到所述SRAM存儲(chǔ)元件的控制電路系統(tǒng)，所述控制電路系統(tǒng)被配置成：在掉電事件之前將一值編程到所述SRAM存儲(chǔ)元件，所述控制電路系統(tǒng)被進(jìn)一步配置成：響應(yīng)于在所述掉電事件之后在所述SRAM存儲(chǔ)元件處的上電事件，增加所述SRAM存儲(chǔ)元件的電源電壓，并感測所述SRAM存儲(chǔ)元件的狀態(tài)以確定在所述掉電事件之前被編程到所述SRAM存儲(chǔ)元件的所述值。
12.如權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，所述控制電路系統(tǒng)被進(jìn)一步配置成：使用非易失性操作偏置方案來創(chuàng)建所述SRAM存儲(chǔ)元件對(duì)所述狀態(tài)的易感性。
13.如權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于，所述控制電路系統(tǒng)被進(jìn)一步配置成：使用指示第一邏輯值的第一偏置方案或指示第二邏輯值的第二偏置方案來創(chuàng)建所述易感性。
14.如權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，所述控制電路系統(tǒng)被進(jìn)一步配置成：用第一偏置電壓來偏置所述SRAM存儲(chǔ)元件的第一晶體管的第一體端子，并使用不同于所述第一偏置電壓的第二偏置電壓來偏置所述SRAM存儲(chǔ)元件的第二晶體管的第二體端子。
15.如權(quán)利要求14所述的裝置，其特征在于，所述第一偏置方案被使用，并且其中，所述第一偏置電壓是正電壓，并且其中，所述第二偏置電壓是接地電壓。
16.如權(quán)利要求14所述的裝置，其特征在于，所述第二偏置方案被使用，并且其中，所述第一偏置電壓是接地電壓，并且其中，所述第二偏置電壓是正電壓。
17.如權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，所述控制電路系統(tǒng)被進(jìn)一步配置成：使用第三偏置方案來感測所述狀態(tài)。
18.如權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，所述控制電路系統(tǒng)被進(jìn)一步配置成：使用易失性操作偏置方案將所述SRAM存儲(chǔ)元件操作為易失性存儲(chǔ)。
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