[發明專利]包括疊對誤差保護的圖案化方法有效
| 申請號: | 201580067587.0 | 申請日: | 2015-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN107004577B | 公開(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發明(設計)人: | 安東·J·德維利耶;杰弗里·史密斯 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/033 | 分類號: | H01L21/033 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡勝有;董文國 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 包括 誤差 保護 圖案 方法 | ||
1.一種用于圖案化基底的方法,所述方法包括:
提供具有位于目標層上的組合層的基底,所述組合層包括限定一個或更多個開口的第一浮雕圖案,所述開口使得所述目標層的部分在高度方向上露出;
在所述基底上保形地沉積間隔物材料,使得所述間隔物材料沉積在所述組合層和下面的層的露出表面上;
執行間隔物打開過程,其從所述組合層和所述下面的層的水平表面移除間隔物材料,使得間隔物材料保留在所述第一浮雕圖案的豎直表面上作為第一側壁間隔物;
將由所述第一浮雕圖案和所述第一側壁間隔物限定的第一組合圖案轉移至所述目標層中;
移除所述第一浮雕圖案,使得第一側壁間隔物保持位于所述目標層上方;
在所述基底上沉積提供平坦表面并且填充所述目標層中的開口的平坦化膜,以及將所述第一側壁間隔物埋置在所述平坦化膜內;
在所述平坦化膜中產生第二浮雕圖案,所述第二浮雕圖案限定一個或更多個開口,使得所述目標層的部分在高度方向上露出;
在第二浮雕圖案的豎直表面上形成第二側壁間隔物;以及
將由所述第二浮雕圖案、所述第一側壁間隔物和所述第二側壁間隔物限定的第二組合圖案轉移至所述目標層中。
2.根據權利要求1所述的方法,還包括:
從所述基底移除所述第二浮雕圖案和所述間隔物,所述目標層現在限定第三浮雕圖案,所述第三浮雕圖案是所述第一浮雕圖案和所述第二浮雕圖案的組合。
3.根據權利要求1所述的方法,其中所述第一浮雕圖案限定組合圖案的特征組分。
4.根據權利要求2所述的方法,還包括重復如下步驟:產生另外的浮雕圖案,將所述另外的浮雕圖案轉移至所述目標層中,以及移除所述另外的浮雕圖案。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





