[發明專利]用于制造寬帶隙結勢壘肖特基二極管的方法

有效

• 申請號: 201580066943.7
• 申請日: 2015-11-04
• 公開（公告）號: CN107251230B
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發明（設計）人: R.米納米薩瓦;M.拉希莫
• 申請（專利權）人: ABB瑞士股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/16;H01L29/40;H01L21/329;H01L29/872;H01L29/20;H01L29/45;H01L29/47
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 肖日松;李強

1.一種用于制造具有陽極側(10)和與所述陽極側(10)相對的陰極側(15)的寬帶隙結勢壘肖特基二極管(1)的方法，其中

第一導電性類型的陰極層(2)布置在所述陰極側(15)上，

與所述第一導電性類型不同的第二導電性類型的至少一個陽極層(3)布置在所述陽極側(10)上，

所述第一導電性類型的漂移層(4)布置在所述陰極層(2)和所述至少一個陽極層(3)之間，所述漂移層(4)延伸至所述陽極側(10)，

其中執行以下制造步驟：

a)提供寬帶隙基底(100)，其形成成品二極管(1)中的陰極層(2)，

b)在所述陰極層(2)的與所述陰極側(15)相對的側上產生所述漂移層(4)，

c)在所述陽極側(10)上在所述漂移層(4)上產生所述至少一個陽極層(3)，

d)在所述陽極側(10)上將具有第一金屬層厚度(52)的第一金屬層(5)施加到所述漂移層(4)的頂部上以形成肖特基接觸(55)，所述第一金屬層(5)接觸所述漂移層(4)，其特征在于，

e)在至少一個陽極層(3)的頂部上產生具有第二金屬層厚度(62)的第二金屬層(6)，所述第二金屬層(6)接觸所述至少一個陽極層(3)，

其中在產生所述第一金屬層(5)和所述第二金屬層(6)之后，所述至少一個陽極層(3)的頂部上的所有金屬層的總厚度是第二厚度(64)，且所述漂移層(4)的頂部上的所有金屬層的總厚度是第一厚度(54)，其中所述第二厚度(64)小于所述第一厚度(54)，

f)然后在第一溫度下在所述第二金屬層(6)和所述至少一個陽極層(3)的界面處執行第一加熱步驟(63)，由此，由于所述第二厚度(64)小于所述第一厚度(54)，故在所述第二金屬層(6)以及第二金屬層(6)施加到其上的所述至少一個陽極層(3)之間的界面處形成歐姆接觸(65)，其中執行所述第一加熱步驟(63)，使得所述第一金屬層(5)下方的溫度保持低于用于形成歐姆接觸的溫度，以便形成肖特基接觸。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟e)中，將所述第二金屬層(6)施加為連續層，其覆蓋所述第一金屬層(5)，其中所述第一厚度(54)包括所述第一金屬層厚度(52)和所述第二金屬層厚度(62)。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟d)之后，在低于800℃且高于400℃的第二溫度下在所述第一金屬層(5)和所述漂移層(4)的界面處執行第二加熱步驟(53)，由此在所述第一金屬層(5)和所述漂移層(4)之間的界面處改善所述肖特基接觸(55)。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二溫度低于650℃且高于400℃。

5.根據權利要求1至權利要求4中任一項所述的方法，其特征在于，在步驟f)中，所述第一金屬層(5)下方的溫度保持低于800℃。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在步驟f)中，所述第一金屬層(5)下方的溫度保持低于700℃。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，在步驟f)中，所述第一金屬層(5)下方的溫度保持低于650℃。

8.根據權利要求1至權利要求4中任一項所述的方法，其特征在于，所述寬帶隙基底(100)是碳化硅基底。

9.根據權利要求1至權利要求4中任一項所述的方法，其特征在于，在步驟c)中，產生具有第一寬度(33)的所述第二導電性類型的至少一個阱區域(32)和具有大于所述第一寬度(33)的第二寬度(35)的所述第二導電性類型的至少一個浪涌區域(34)，其中所述至少一個阱區域(32)和所述至少一個浪涌區域(34)形成所述至少一個陽極層(3)。