[發(fā)明專利]功率場效應晶體管(FET)、預驅(qū)動器、控制器和感測電阻器的集成

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580066697.5
• 申請日: 2015-12-10
• 公開（公告）號: CN107006123A
• 公開（公告）日: 2017-08-01
• 發(fā)明（設計）人: I·W·蘭穆圖
• 申請（專利權）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: H05K1/14
• 分類號: H05K1/14
• 代理公司: 北京紀凱知識產(chǎn)權代理有限公司11245
• 代理人: 趙志剛,趙蓉民

1.一種多芯片封裝，其包括：

至少兩個低側場效應晶體管即LS FET；

至少兩個高側FET即HS FET；以及

管芯，其包括所述至少兩個HS FET或所述至少兩個LS FET。

2.根據(jù)權利要求1所述的多芯片封裝，其中所述管芯是包括所述至少兩個HS FET的第一管芯，并且其中所述多芯片封裝還包括：

第二管芯，其包括所述至少兩個LS FET的第一LS FET；以及

第三管芯，其包括所述至少兩個LS FET的第二LS FET。

3.根據(jù)權利要求2所述的多芯片封裝，其還包括：

第四管芯，其包括控制器電路或驅(qū)動器電路中的至少一個。

4.根據(jù)權利要求3所述的多芯片封裝，其還包括：

第一電阻器，其耦合到所述第一LS FET的源極電極；以及

第二電阻器，其耦合到所述第二LS FET的源極電極。

5.根據(jù)權利要求1所述的多芯片封裝，其中所述管芯是包括所述至少兩個HS FET的第一管芯，其中所述多芯片封裝還包括：

第二管芯，其包括所述兩個LS FET中的至少一個。

6.根據(jù)權利要求5所述的多芯片封裝，其還包括：

熱焊盤；

第三管芯，其包括控制器電路或驅(qū)動器電路中的至少一個；其中所述第二管芯和所述第三管芯設置在所述熱焊盤上。

7.根據(jù)權利要求6所述的多芯片封裝，其中所述第二管芯包括所述LS FET中的至少兩個。

8.根據(jù)權利要求6所述的多芯片封裝，其中所述至少兩個HS FET是漏極襯底HS FET，并且其中所述至少兩個LS FET是源極襯底LS FET。

9.根據(jù)權利要求1所述的多芯片封裝，其中所述管芯是包括所述至少兩個HS FET的第一管芯，并且其中所述至少兩個HS FET是漏極襯底HS FET。

10.根據(jù)權利要求1所述的多芯片封裝，其中所述管芯是包括所述至少兩個LS FET的第一管芯，并且其中所述多芯片封裝還包括：

第二管芯，其包括所述至少兩個HS FET的第一HS FET；以及

第三管芯，其包括所述至少兩個HS FET的第二HS FET，其中所述第二管芯和所述第三管芯垂直堆疊在所述第一管芯的頂部上。

11.根據(jù)權利要求10所述的多芯片封裝，其還包括：

第一夾具，其位于所述第一管芯與所述第二管芯之間，并且耦合到所述至少兩個LS FET的所述第一LS FET的漏極電極，并耦合到所述第一HS FET的源極電極；以及

第二夾具，其位于所述第一管芯與所述第三管芯之間，并且耦合到所述至少兩個LS FET的第二LS FET的漏極電極，并耦合到所述第二HS FET的源極電極。

12.根據(jù)權利要求10所述的多芯片封裝，其還包括：

第四管芯，其包括控制器電路或驅(qū)動器電路中的至少一個。

13.根據(jù)權利要求10所述的多芯片封裝，其還包括：

第一電阻器，其耦合到所述第一HS FET的漏極電極；以及

第二電阻器，其耦合到所述第二HS FET的漏極電極。

14.根據(jù)權利要求1所述的多芯片封裝，其中所述管芯是包括所述至少兩個LS FET的第一管芯，其中所述多芯片封裝還包括：

第二管芯，其包括所述至少兩個HS FET，其中所述第二管芯垂直堆疊在所述第一管芯的頂部上。

15.根據(jù)權利要求14所述的多芯片封裝，其還包括：

第三管芯，其包括控制器電路或驅(qū)動器電路中的至少一個。

16.根據(jù)權利要求14所述的多芯片封裝，其還包括：

電阻器，其耦合到所述第一HS FET和所述第二HS FET的漏極電極。