[發(fā)明專利]可UV硬化的CMP研磨墊及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580066123.8 | 申請(qǐng)日： | 2015-11-19 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN107000170B | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-09-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | M·C·奧里拉利;R·巴賈杰;F·C·雷德克 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號(hào)： | B24D3/32 | 分類號(hào)： | B24D3/32;B24D11/00;B29C35/08 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 侯穎媖 |
| 地址： | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | uv 硬化 cmp 研磨 及其 制造 方法 | ||
1.一種制造化學(xué)機(jī)械研磨墊的方法，包含以下步驟：
將含有丙烯酸酯官能團(tuán)的聚合物前體引入模具中；
在所述聚合物前體中提供磨料顆粒和光引發(fā)劑以形成混合物，其中氣泡或成孔劑被引入以在要形成的研磨層中提供孔；
在所述混合物被容納于所述模具的底板和頂蓋之間時(shí)，通過(guò)所述模具的紫外線透明區(qū)段使所述混合物暴露于紫外線輻射，以使所述聚合物前體形成自由基，以及
通過(guò)使所述自由基彼此交聯(lián)而從所述聚合物前體形成聚合物基質(zhì)，所述研磨層包含所述聚合物基質(zhì)，所述聚合物基質(zhì)具有分散在其中的磨料顆粒。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包含以下步驟：
在氣體存在的情況下混合所述聚合物前體、所述磨料顆粒、及所述光引發(fā)劑，所述混合被足夠迅速地執(zhí)行，以在所述混合物中產(chǎn)生氣泡，以及
立即使所述混合物暴露于紫外線輻射，以在所述研磨層中捕獲所述氣泡。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包含以下步驟：
在混合所述聚合物前體、所述磨料顆粒、所述光引發(fā)劑之前，將氣泡引入所述聚合物前體中，以及
在混合所述聚合物前體之后，立即使所述混合物暴露于紫外線輻射。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包含以下步驟：在使所述混合物暴露于紫外線輻射之前，將成孔劑引入所述混合物中，以在所述研磨層中提供孔。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包含以下步驟：使所述混合物暴露于紅外線輻射，并使用熱引發(fā)劑來(lái)激活所述聚合物前體的硬化，所述熱引發(fā)劑被配置成在所述混合物中產(chǎn)生氣泡，并捕獲所述氣泡以在所述研磨層中產(chǎn)生孔隙度。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中使所述混合物暴露于紫外線輻射的步驟包含以下步驟：首先使所述混合物暴露于在第一波長(zhǎng)帶中的紫外線輻射，然后使所述混合物暴露于在第二波長(zhǎng)帶中的紫外線輻射，所述第二波長(zhǎng)帶的波長(zhǎng)比所述第一波長(zhǎng)帶的波長(zhǎng)短。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述磨料顆粒具有5納米-50微米之間的尺寸，并包含SiO2、CeO2、TiO2、Al2O3、BaTiO3、HfO2、SrTiO3、ZrO2、SnO2、MgO、CaO、Y2O3、或CaCO3中的一者或更多者。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述磨料顆粒進(jìn)一步包含被安置在其表面上的表面活性劑，其中所述表面活性劑減少所述磨料顆粒在所述混合物中的沉降。
9.一種用于制造化學(xué)機(jī)械研磨墊的系統(tǒng)，包含：
輸送帶，所述輸送帶具有寬度；
模具，所述模具被配置成在所述模具的底板和頂蓋之間容納聚合物前體，所述模具被配置成由所述輸送帶支撐和傳送，所述模具具有的寬度小于所述輸送帶的寬度；
分配器，所述分配器用以將混合物分配到所述模具中，所述混合物包含所述聚合物前體、磨料顆粒及引發(fā)劑；
用于將氣泡引入所述混合物中的裝置；
輻射源陣列，所述輻射源陣列被橫跨所述輸送帶的寬度而安裝，所述模具上方的所述頂蓋具有紫外線透明區(qū)段，來(lái)自所述輻射源陣列的輻射能夠通過(guò)所述紫外線透明區(qū)段而硬化所述模具中的所述混合物，以形成研磨層的整個(gè)厚度，所述研磨層包含孔，所述頂蓋被配置成在所述混合物的直接面對(duì)所述輻射源陣列的表面上形成平整輪廓，以及
裝置，所述裝置被配置成從所述底板和所述頂蓋分離所述研磨層。
10.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中所述輻射源陣列包含紫外線輻射源，而且所述輻射源陣列沿著所述輸送帶的行進(jìn)方向在摻雜鐵的D燈泡陣列前方包含摻雜鎵的V燈泡陣列。
11.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中所述輻射源陣列包含紅外線源。
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