[發(fā)明專利]散熱基板和該散熱基板的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580065996.7
• 申請(qǐng)日: 2015-11-27
• 公開（公告）號(hào): CN107004654A
• 公開（公告）日: 2017-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 福井彰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社半導(dǎo)體熱研究所
• 主分類號(hào): H01L23/373
• 分類號(hào): H01L23/373;H01L23/12;H01L23/36
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇,李茂家

1.一種散熱基板的制造方法，其特征在于，

制作將Mo或W的顆粒、和Cu作為主要成分的合金復(fù)合體，

對(duì)所述合金復(fù)合體進(jìn)行致密化，

對(duì)所述致密化后的合金復(fù)合體進(jìn)行橫軋。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱基板的制造方法，其特征在于，

在所述橫軋之前，對(duì)所述致密化了的合金復(fù)合體進(jìn)行固相處理。

3.一種散熱基板的制造方法，其特征在于，

制作將90wt％以上為15μm以上且200μm以下的Mo或W的顆粒、和Cu作為主要成分的CuMo或CuW的合金復(fù)合體，

對(duì)所述合金復(fù)合體進(jìn)行致密化而使該合金復(fù)合體的相對(duì)密度提高，

對(duì)該致密化后的合金復(fù)合體進(jìn)行固相燒結(jié)，

對(duì)所述固相燒結(jié)后的合金復(fù)合體進(jìn)行橫軋，

由此制造在平行于表面的面內(nèi)的任意方向上、在25℃以上且800℃以下的線膨脹系數(shù)的最大值為10ppm/K以下、在溫度200℃下的熱導(dǎo)率為250W/m·K以上的散熱基板。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的散熱基板的制造方法，其特征在于，

通過對(duì)所述合金復(fù)合體進(jìn)行軋制來進(jìn)行所述致密化而使該合金復(fù)合體的相對(duì)密度為99％以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的散熱基板的制造方法，其特征在于，

在進(jìn)行裝罐并脫氣的狀態(tài)下進(jìn)行所述軋制。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的散熱基板的制造方法，其特征在于，

在進(jìn)行所述橫軋之前，對(duì)所述致密化了的合金復(fù)合體實(shí)施金屬的鍍覆處理。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的散熱基板的制造方法，其特征在于，

所述橫軋是溫軋、熱軋、冷軋或組合了它們的橫軋。

8.一種散熱基板，其特征在于，

其是以將Mo或W的顆粒、和Cu作為主要成分的合金復(fù)合體為主體的散熱基板，

在平行于表面的面內(nèi)的任意方向上、在25℃以上且800℃以下的X軸和Y軸的最大線膨脹系數(shù)為10ppm/K以下、在200℃下的熱導(dǎo)率為250W/m·K以上。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的散熱基板，其特征在于，

分布于所述散熱基板的內(nèi)部的所述Mo或W的顆粒為擴(kuò)散在平行于所述散熱基板的表面的面內(nèi)的扁平的形狀，該Mo或W的顆粒的90wt％以上的顆粒在所述面內(nèi)的最大直徑為17μm以上且366μm以下。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的散熱基板，其特征在于，

在所述合金復(fù)合體的表面形成有厚度1μm以上的金屬層。

11.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的散熱基板，其特征在于，

分別在所述合金復(fù)合體的表面和背面形成有1個(gè)至多個(gè)金屬層。

12.一種半導(dǎo)體用封裝體，其特征在于，

其具備權(quán)利要求8至11中任一項(xiàng)所述的散熱基板。

13.一種半導(dǎo)體用組件，其特征在于，

其具備權(quán)利要求8至11中任一項(xiàng)所述的散熱基板。

14.一種半導(dǎo)體組件，其特征在于，

在權(quán)利要求8至11中任一項(xiàng)所述的散熱基板的表面隔著Ni系鍍層所實(shí)施的軟釬焊的孔隙率為5％以下。