[發明專利]薄膜晶體管陣列基板

有效

• 申請號: 201580065784.9
• 申請日: 2015-12-16
• 公開（公告）號: CN107004721B
• 公開（公告）日: 2020-10-20
• 發明（設計）人: 白朱爀;裵鐘旭;塞魯恩特·洪;李道炯;樸泰昱
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;董文國

1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括：

基板；

位于所述基板上的有源層；

位于所述有源層上的柵極絕緣膜；

位于所述柵極絕緣膜上的柵電極；

位于所述柵電極上的層間絕緣膜；以及

位于所述層間絕緣膜上并且連接至所述有源層的源電極和漏電極；

其中由包含第IV族元素的氧化物半導體制成的中間層位于所述有源層與所述柵極絕緣膜之間；

其中所述中間層設置在所述有源層上，以及

其中所述中間層的寬度，柵極絕緣膜的寬度，以及柵電極的寬度彼此相同。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述中間層包含銦、鎵和鋅，并且還包含第IV族元素。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述中間層具有In_1.1Ga₁Zn₁Si_(0.5～2)O_(7.3～8.15)的原子比。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述中間層具有至的厚度。

5.根據權利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述第IV族元素是硅。

6.根據權利要求5所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述硅的含量在2.9×10²²cm^-3至3.2×10²²cm^-3之間。

7.根據權利要求5所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述中間層還包含氫，以及所述氫的含量在1.2×10²¹cm^-3至1.6×10²¹cm^-3之間。

8.根據權利要求5所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述中間層具有至的厚度。

9.一種薄膜晶體管陣列基板，包括：

基板；

位于所述基板上并且包括下部有源層和中間層的有源層；

位于所述有源層上的柵極絕緣膜；

位于所述柵極絕緣膜上的柵電極；

位于所述柵電極上的層間絕緣膜；以及

位于所述層間絕緣膜上并且連接至所述有源層的源電極和漏電極，

其中所述中間層由包含第IV族元素的氧化物半導體制成，以及

其中所述中間層具有In₅Ga₁Zn₁Si_(12～13)O₃₅的原子比。

10.根據權利要求9所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述中間層包含銦、鎵和鋅，并且還包含第IV族元素。

11.根據權利要求9所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述中間層具有至的厚度。