[發明專利]污損抑制涂膜的增強方法有效
| 申請號: | 201580065491.0 | 申請日: | 2015-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN106999981B | 公開(公告)日: | 2020-12-04 |
| 發明(設計)人: | 谷野聰一郎;浦野友梨惠;田中秀幸 | 申請(專利權)人: | 中國涂料株式會社 |
| 主分類號: | B05D7/24 | 分類號: | B05D7/24;B32B27/00;C09D5/16;C09D7/63;C09D183/04 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 劉多益;張佳鑫 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 污損 抑制 增強 方法 | ||
1.一種污損抑制涂膜的增強方法,其特征在于,
該方法具有:對增強用涂料組合物〔o〕進行涂布固化,形成增強涂膜(O)的工序,和
將對污損抑制涂料組合物〔x〕進行涂布固化而形成的污損抑制涂膜(X)設于所述增強涂膜(O)上的工序;
所述增強用涂料組合物〔o〕含有(AO)在1個分子中具有2個以上硅烷醇基或水解性基團的有機聚硅氧烷、以及(BO)下述通式[I]所表示的吡啶硫酮鹽化合物,
[化1]
式[I]中,R1分別獨立地表示氫原子、碳原子數1~6的烷基、碳原子數3~6的環狀烷基、碳原子數2~6的鏈烯基、碳原子數6的芳基、碳原子數1~6的烷氧基、或碳原子數1~6的鹵代烷基,
M表示Cu、Zn、Na、Mg、Ca、Ba、Fe、或Sr的金屬,
n為金屬M的原子價數;
所述污損抑制涂料組合物〔x〕含有(AX)在1個分子中具有2個以上硅烷醇基或水解性基團的有機聚硅氧烷、以及(BX)防污性賦予劑,
所述增強涂膜(O)中的所述吡啶硫酮鹽化合物(BO)的含量在10重量%以下,
通過所述增強涂膜(O)來增強所述污損抑制涂膜(X);
所述增強涂膜(O)中的所述吡啶硫酮鹽化合物(BO)的含量(重量%)比所述污損抑制涂膜(X)中的所述防污性賦予劑(BX)的含量(重量%)還少。
2.如權利要求1所述的污損抑制涂膜的增強方法,其特征在于,所述增強涂膜(O)中的所述吡啶硫酮鹽化合物(BO)的含量在5.5重量%以下。
3.如權利要求1所述的污損抑制涂膜的增強方法,其特征在于,所述通式[I]中,M為Cu及/或Zn。
4.如權利要求1所述的污損抑制涂膜的增強方法,其特征在于,所述污損抑制涂膜(X)中的所述防污性賦予劑(BX)為所述通式[I]中M為Cu的吡啶硫酮鹽化合物。
5.如權利要求1所述的污損抑制涂膜的增強方法,其特征在于,所述增強涂膜(O)中的所述吡啶硫酮鹽化合物(BO)中,所述通式[I]中M為Zn。
6.如權利要求1所述的污損抑制涂膜的增強方法,其特征在于,所述有機聚硅氧烷(AO)及/或所述有機聚硅氧烷(AX)為下述通式[II]所表示的化合物;
(W)rR2(3-r)Si-O-(SiR22-O)s-SiR2(3-r)(W)r…[II]
式[II]中,W分別獨立地為羥基或水解性基團,R2分別獨立地表示氫原子、碳原子數1~10的烷基、碳原子數2~10的鏈烯基、碳原子數6~10的芳基、碳原子數7~10的芳烷基、碳原子數1~10的烷氧基、或碳原子數1~10的鹵代烷基,
r為1~3的整數,
s為10~10000的整數。
7.如權利要求1所述的污損抑制涂膜的增強方法,其特征在于,所述增強用涂料組合物〔o〕還含有1種以上的(C)下述通式[III]所表示的、所述有機聚硅氧烷(AO)以外的有機聚硅氧烷;
R3-(SiR32-O)u-SiR33…[III]
式[III]中,u為1~10000的整數,
R3分別獨立地為可間隔-O-、-S-、或-NR-的:碳原子數1~30的烷基、碳原子數2~30的鏈烯基、碳原子數6~30的芳基、碳原子數7~10的芳烷基、或碳原子數1~30的鹵代烷基;所述R為氫原子或碳數1~5的烷基。
8.如權利要求7所述的污損抑制涂膜的增強方法,其特征在于,所述通式[III]中,R3為烷基及/或芳基。
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