[發明專利]光耦合裝置

有效

• 申請號: 201580065460.5
• 申請日: 2015-11-20
• 公開（公告）號: CN107003478B
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: 湯姆·柯林斯;馬科·蘭波尼
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: G02B6/26
• 分類號: G02B6/26;G02B6/42
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種光耦合裝置(10)，其特征在于，包括：

光波電路LC(100)；

耦合元件(200)；

光波導元件(300)；

其中，所述LC(100)具有第一表面區域(110)；

所述耦合元件(200)附接到所述第一表面區域(110)，使得光信號從所述LC(100)傳輸到所述耦合元件(200)；

所述光波導元件(300)在第一接合區(202)處附接到所述耦合元件(200)，使得所述光信號從所述耦合元件(200)傳輸到所述光波導元件(300)；

所述耦合元件(200)用于對從所述LC(100)傳輸到所述光波導元件(300)的所述光信號進行模式轉換；

光波導(120)布置在所述LC(100)的所述第一表面區域(110)處，所述耦合元件(200)和耦合區域(20)用于將光信號傳輸到所述光波導(120)；

所述光波導(120)包括：芯層(122)、上包層(123)和下包層(124)；

所述上包層(123)的折射率低于所述耦合元件(200)中的光路(220)的折射率；

所述光波導(120)的所述上包層(123)包括第二凹槽(125)，并且所述耦合元件(200)布置在所述第二凹槽(125)中。

2.根據權利要求1所述的光耦合裝置(10)，其特征在于：

所述第一接合區(202)布置在所述耦合元件(200)的橫向表面區域(210)處；

所述耦合元件(200)的所述橫向表面區域(210)垂直于所述LC(100)的所述第一表面區域(110)延伸。

3.根據權利要求2所述的光耦合裝置(10)，其特征在于：

所述耦合元件(200)是一種包括至少一個光路(220)的元件，所述至少一個光路(220)將所述第一接合區(202)與所述LC(100)的所述第一表面區域(110)光學連接。

4.根據權利要求3所述的光耦合裝置(10)，其特征在于：

所述至少一個光路(220)垂直于所述橫向表面區域(210)并沿著所述耦合元件(200)的底表面區域(230)延伸。

5.根據權利要求1所述的光耦合裝置(10)，其特征在于：

所述耦合元件(200)是一種用作所述LC(100)與所述光波導元件(300)之間的模式轉換器的玻璃塊。

6.根據權利要求1所述的光耦合裝置(10)，其特征在于：

所述光波導(120)至少部分地沿著所述耦合元件(200)的底表面區域延伸。

7.根據權利要求1所述的光耦合裝置(10)，其特征在于：

所述芯層(122)的末段(128)朝向所述光波導(120)的端(129)漸縮；或者，

所述光路(220)的末段(228)朝向所述光路(220)的端(229)漸縮。

8.根據權利要求7所述的光耦合裝置(10)，其特征在于：

所述光路(220)的所述末段(228)和所述光波導(120)的所述末段(128)布置在耦合區域(20)中，在所述耦合區域(20)中光從所述光路(220)和所述光波導(120)中的一個耦合到另一個。

9.根據權利要求6至8中的一項所述的光耦合裝置(10)，其特征在于：

在所述LC(100)的所述第一表面區域(110)中形成第一凹槽(130)，并且第一填充材料(135)嵌入在所述第一凹槽(130)中；

所述第一填充材料(135)的折射率低于所述上包層(123)和/或下包層(124)的折射率；

所述第一填充材料(135)至少部分地沿著所述耦合元件(200)的底表面區域(230)延伸。