[發(fā)明專(zhuān)利]用于高溫RF應(yīng)用的靜電吸盤(pán)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580065413.0
• 申請(qǐng)日: 2015-12-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107004628B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 瑞安·漢森;曼朱納塔·科普帕;維賈伊·D·帕克赫;約翰·C·福斯特;基思·A·米勒
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/683
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/683
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó);趙靜

1.一種靜電吸盤(pán)，包括：

圓盤(pán)，所述圓盤(pán)具有支撐表面以及相對(duì)的第二表面，當(dāng)基板設(shè)置于所述圓盤(pán)上時(shí)，所述支撐表面支撐所述基板，其中一或多個(gè)吸附電極嵌入于所述圓盤(pán)中；

主體，所述主體具有耦接至所述圓盤(pán)的所述第二表面的支撐表面以支撐所述圓盤(pán)；

DC電壓感測(cè)電路，所述DC電壓感測(cè)電路設(shè)置于所述圓盤(pán)的所述支撐表面上；及

電感器，所述電感器設(shè)置于所述主體中且靠近所述主體的支撐表面，其中所述電感器電耦接至所述DC電壓感測(cè)電路，并且其中所述電感器被配置為過(guò)濾高頻電流以準(zhǔn)確地測(cè)量所述基板上的DC電位。

2.在如權(quán)利要求1所述的靜電吸盤(pán)，其中所述圓盤(pán)是介電盤(pán)。

3.如權(quán)利要求1所述的靜電吸盤(pán)，其中所述DC電壓感測(cè)電路包括導(dǎo)電金屬跡線，所述導(dǎo)電金屬跡線靠近所述圓盤(pán)的中心部分且部分設(shè)置于所述圓盤(pán)的所述中心部分附近。

4.如權(quán)利要求3所述的靜電吸盤(pán)，其中所述導(dǎo)電金屬跡線包括從所述圓盤(pán)的所述中心部分徑向向外延伸0.5英寸至2.5英寸的線性跡線部分，其中所述線性跡線部分電耦接至電端子，且其中所述電端子與所述電感器電耦接。

5.如權(quán)利要求1所述的靜電吸盤(pán)，其中所述電感器被設(shè)置成距離所述圓盤(pán)的支撐表面0.5英寸至2.5英寸。

6.如權(quán)利要求1-5的任一項(xiàng)所述的靜電吸盤(pán)，其中所述電感器是陶瓷電感器。

7.如權(quán)利要求1-5的任一項(xiàng)所述的靜電吸盤(pán)，其中所述一或多個(gè)吸附電極包括嵌入于所述圓盤(pán)中的兩個(gè)獨(dú)立受控的電極。

8.如權(quán)利要求1-5的任一項(xiàng)所述的靜電吸盤(pán)，其中所述一或多個(gè)吸附電極的每一個(gè)的厚度是所述一或多個(gè)吸附電極的計(jì)算出的趨膚深度的3倍至5倍。

9.如權(quán)利要求1-5的任一項(xiàng)所述的靜電吸盤(pán)，所述一或多個(gè)吸附電極被配置為承載在13.56 MHz至40 MHz頻率下的功率。

10.如權(quán)利要求1-5的任一項(xiàng)所述的靜電吸盤(pán)，其中所述一或多個(gè)吸附電極的每一個(gè)由鎢制成且具有50微米至90微米的厚度。

11.如權(quán)利要求1-5的任一項(xiàng)所述的靜電吸盤(pán)，其中所述一或多個(gè)吸附電極經(jīng)由第一組一或多個(gè)高溫同軸纜線而耦接至吸附電源。

12.如權(quán)利要求11所述的靜電吸盤(pán)，其中所述第一組一或多個(gè)高溫同軸纜線包括高溫護(hù)套、固體金屬RF屏蔽、介電芯和中心導(dǎo)體，所述高溫護(hù)套能承受攝氏200度至攝氏500度的溫度。

13.一種靜電吸盤(pán)，包括：

圓盤(pán)，所述圓盤(pán)具有支撐表面以及相對(duì)的第二表面，當(dāng)基板設(shè)置于所述圓盤(pán)上時(shí)，所述支撐表面支撐所述基板，其中一或多個(gè)吸附電極嵌入于所述圓盤(pán)中，其中所述一或多個(gè)吸附電極的每一個(gè)的厚度是所述一或多個(gè)吸附電極的計(jì)算出的趨膚深度的3倍至5倍，并且其中所述一或多個(gè)吸附電極被配置為承載在13.56 MHz至40 MHz頻率下的功率；

DC電壓感測(cè)電路，所述DC電壓感測(cè)電路設(shè)置于所述圓盤(pán)的所述支撐表面上；

主體，所述主體具有耦接至所述圓盤(pán)的所述第二表面的支撐表面以支撐所述圓盤(pán)；及

電感器，所述電感器設(shè)置于所述主體中且靠近所述主體的所述支撐表面，其中所述電感器電耦接至所述DC電壓感測(cè)電路，并且其中所述電感器被配置為過(guò)濾高頻電流以準(zhǔn)確地測(cè)量所述基板上的DC電位。

14.如權(quán)利要求13所述的靜電吸盤(pán)，其中所述一或多個(gè)吸附電極的每一個(gè)由鎢制成且具有50微米至90微米的厚度。

15.一種靜電吸盤(pán)，包括：

圓盤(pán)，所述圓盤(pán)具有支撐表面以及相對(duì)的第二表面，當(dāng)基板設(shè)置于所述圓盤(pán)上時(shí)，所述支撐表面支撐所述基板，其中一或多個(gè)吸附電極嵌入于所述圓盤(pán)中，其中所述一或多個(gè)吸附電極的每一個(gè)的厚度是所述一或多個(gè)吸附電極的計(jì)算出的趨膚深度的3倍至5倍，并且其中所述一或多個(gè)吸附電極經(jīng)由一組一或多個(gè)高溫同軸纜線而耦接至吸附電源；

主體，所述主體具有耦接至所述圓盤(pán)的所述第二表面的支撐表面以支撐所述圓盤(pán)；

DC電壓感測(cè)電路，所述DC電壓感測(cè)電路設(shè)置于所述圓盤(pán)的所述支撐表面上；及

電感器，所述電感器設(shè)置于所述主體中且靠近所述主體的支撐表面，其中所述電感器電耦接至所述DC電壓感測(cè)電路，并且其中所述電感器被配置為過(guò)濾高頻電流以準(zhǔn)確地測(cè)量所述基板上的DC電位。