[發明專利]用于高溫RF應用的靜電吸盤

有效

• 申請號: 201580065413.0
• 申請日: 2015-12-08
• 公開（公告）號: CN107004628B
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: 瑞安·漢森;曼朱納塔·科普帕;維賈伊·D·帕克赫;約翰·C·福斯特;基思·A·米勒
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種靜電吸盤，包括：

圓盤，所述圓盤具有支撐表面以及相對的第二表面，當基板設置于所述圓盤上時，所述支撐表面支撐所述基板，其中一或多個吸附電極嵌入于所述圓盤中；

主體，所述主體具有耦接至所述圓盤的所述第二表面的支撐表面以支撐所述圓盤；

DC電壓感測電路，所述DC電壓感測電路設置于所述圓盤的所述支撐表面上；及

電感器，所述電感器設置于所述主體中且靠近所述主體的支撐表面，其中所述電感器電耦接至所述DC電壓感測電路，并且其中所述電感器被配置為過濾高頻電流以準確地測量所述基板上的DC電位。

2.在如權利要求1所述的靜電吸盤，其中所述圓盤是介電盤。

3.如權利要求1所述的靜電吸盤，其中所述DC電壓感測電路包括導電金屬跡線，所述導電金屬跡線靠近所述圓盤的中心部分且部分設置于所述圓盤的所述中心部分附近。

4.如權利要求3所述的靜電吸盤，其中所述導電金屬跡線包括從所述圓盤的所述中心部分徑向向外延伸0.5英寸至2.5英寸的線性跡線部分，其中所述線性跡線部分電耦接至電端子，且其中所述電端子與所述電感器電耦接。

5.如權利要求1所述的靜電吸盤，其中所述電感器被設置成距離所述圓盤的支撐表面0.5英寸至2.5英寸。

6.如權利要求1-5的任一項所述的靜電吸盤，其中所述電感器是陶瓷電感器。

7.如權利要求1-5的任一項所述的靜電吸盤，其中所述一或多個吸附電極包括嵌入于所述圓盤中的兩個獨立受控的電極。

8.如權利要求1-5的任一項所述的靜電吸盤，其中所述一或多個吸附電極的每一個的厚度是所述一或多個吸附電極的計算出的趨膚深度的3倍至5倍。

9.如權利要求1-5的任一項所述的靜電吸盤，所述一或多個吸附電極被配置為承載在13.56 MHz至40 MHz頻率下的功率。

10.如權利要求1-5的任一項所述的靜電吸盤，其中所述一或多個吸附電極的每一個由鎢制成且具有50微米至90微米的厚度。

11.如權利要求1-5的任一項所述的靜電吸盤，其中所述一或多個吸附電極經由第一組一或多個高溫同軸纜線而耦接至吸附電源。

12.如權利要求11所述的靜電吸盤，其中所述第一組一或多個高溫同軸纜線包括高溫護套、固體金屬RF屏蔽、介電芯和中心導體，所述高溫護套能承受攝氏200度至攝氏500度的溫度。

13.一種靜電吸盤，包括：

圓盤，所述圓盤具有支撐表面以及相對的第二表面，當基板設置于所述圓盤上時，所述支撐表面支撐所述基板，其中一或多個吸附電極嵌入于所述圓盤中，其中所述一或多個吸附電極的每一個的厚度是所述一或多個吸附電極的計算出的趨膚深度的3倍至5倍，并且其中所述一或多個吸附電極被配置為承載在13.56 MHz至40 MHz頻率下的功率；

DC電壓感測電路，所述DC電壓感測電路設置于所述圓盤的所述支撐表面上；

主體，所述主體具有耦接至所述圓盤的所述第二表面的支撐表面以支撐所述圓盤；及

電感器，所述電感器設置于所述主體中且靠近所述主體的所述支撐表面，其中所述電感器電耦接至所述DC電壓感測電路，并且其中所述電感器被配置為過濾高頻電流以準確地測量所述基板上的DC電位。

14.如權利要求13所述的靜電吸盤，其中所述一或多個吸附電極的每一個由鎢制成且具有50微米至90微米的厚度。

15.一種靜電吸盤，包括：

圓盤，所述圓盤具有支撐表面以及相對的第二表面，當基板設置于所述圓盤上時，所述支撐表面支撐所述基板，其中一或多個吸附電極嵌入于所述圓盤中，其中所述一或多個吸附電極的每一個的厚度是所述一或多個吸附電極的計算出的趨膚深度的3倍至5倍，并且其中所述一或多個吸附電極經由一組一或多個高溫同軸纜線而耦接至吸附電源；

主體，所述主體具有耦接至所述圓盤的所述第二表面的支撐表面以支撐所述圓盤；

DC電壓感測電路，所述DC電壓感測電路設置于所述圓盤的所述支撐表面上；及

電感器，所述電感器設置于所述主體中且靠近所述主體的支撐表面，其中所述電感器電耦接至所述DC電壓感測電路，并且其中所述電感器被配置為過濾高頻電流以準確地測量所述基板上的DC電位。