[發明專利]用于射頻應用的結構

有效

• 申請號: 201580065277.5
• 申請日: 2015-09-17
• 公開（公告）號: CN107004572B
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發明（設計）人: O·科農丘克;D·朗德呂;C·菲蓋
• 申請（專利權）人: SOITEC公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/762
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種用于射頻應用的結構(1,1’,11)，其包括：

·半導體支撐襯底(2)；

·捕獲層(3)，其布置在支撐襯底(2)上；

其中，捕獲層(3)的特征在于，其包括包含1％至20％的碳的多晶硅并且包括大于預定缺陷密度的缺陷密度，所述預定缺陷密度為這樣的缺陷密度：其使得在-20℃與+120℃之間的溫度范圍內，捕獲層(3)的電阻率大于或等于10kohm.cm。

2.根據權利要求1所述的用于射頻應用的結構(1,1’,11)，其中，捕獲層(3)在20℃具有大于10kOhm.cm的電阻率。

3.根據權利要求1所述的用于射頻應用的結構(1,1’,11)，其中，捕獲層(3)在20℃具有大于50kOhm.cm的電阻率。

4.根據上述權利要求中的任一項所述的用于射頻應用的結構(1,1’,11)，其中，在100℃與1200℃之間，捕獲層(3)與支撐襯底(2)之間的熱膨脹系數的差小于5ppm/K。

5.根據權利要求1所述的用于射頻應用的結構(1,1’,11)，其中，捕獲層(3)包括尺寸小于20nm的微結構。

6.根據權利要求1所述的用于射頻應用的結構(1,1’,11)，其中，捕獲層(3)包括尺寸小于10nm的微結構。

7.根據權利要求1所述的用于射頻應用的結構(1,1’,11)，其中，捕獲層(3)包括多孔材料或多晶材料。

8.根據權利要求1所述的用于射頻應用的結構(1,1’,11)，其中，捕獲層(3)的厚度在10μm與50μm之間。

9.根據權利要求1所述的用于射頻應用的結構(1,1’,11)，其中，捕獲層(3)的厚度在20μm與30μm之間。

10.根據權利要求1所述的用于射頻應用的結構(1,1’,11)，其中，支撐襯底(2)包括選自以下材料的至少一種材料：硅、硅鍺和碳化硅。

11.根據權利要求1所述的用于射頻應用的結構(1,1’,11)，其中，支撐襯底(2)的電阻率在10Ohm.cm與2000Ohm.cm之間。

12.根據權利要求1所述的用于射頻應用的結構(1,1’,11)，其中，有源層(5)布置在捕獲層(3)上。

13.根據權利要求12所述的用于射頻應用的結構(1,1’,11)，其中，有源層(5)由半導體材料形成。

14.根據權利要求12所述的用于射頻應用的結構(1,1’,11)，其中，有源層(5)由壓電材料形成。

15.根據權利要求12至14中的任一項所述的用于射頻應用的結構(1,1’,11)，其中，有源層(5)的厚度在10μm與50μm之間。

16.根據權利要求12至14中的任一項所述的用于射頻應用的結構(1,1’,11)，其中，電介質層(4)布置在捕獲層(3)與有源層(5)之間。

17.根據權利要求16所述的用于射頻應用的結構(1,1’,11)，其中，電介質層(4)在10nm與6μm之間。

18.根據權利要求12至14中的任一項所述的用于射頻應用的結構(1,1’,11)，其中，至少一個微電子器件存在于有源層(5)上或有源層(5)中，其中，所述微電子器件為開關電路或者天線適配電路或者射頻功率放大電路。