[發明專利]共享位線MRAM的系統和方法

有效

• 申請號: 201580065136.3
• 申請日: 2015-11-19
• 公開（公告）號: CN107004437B
• 公開（公告）日: 2018-09-18
• 發明（設計）人: X·朱;X·李;S·H·康
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: G11C7/18
• 分類號: G11C7/18;G11C11/16;H01L27/22
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳煒;袁逸

1.一種自旋轉移矩(STT)磁性存儲器，包括：

多列STT磁性存儲器元件，其中，各STT磁性存儲器元件包括頂部電極和底部電極；

多條共享位線，所述多條共享位線覆蓋所述多列STT磁性存儲器元件，其中，所述多條共享位線中的至少一條共享位線耦合到具有所述多列STT磁性存儲器元件中的至少兩列的組中的STT磁性存儲器元件的頂部電極；以及

多條源線，所述多條源線中的每條源線能夠切換地耦合到所述多列STT磁性存儲器元件中的對應一列中的STT磁性存儲器元件的底部電極；

其中，所述多條共享位線的至少子集中的每條共享位線耦合到具有所述多列STT磁性存儲器元件之中的至少R個毗鄰列的STT磁性存儲器元件的對應不同組中的STT磁性存儲器元件的頂部電極，其中，R是大于一的整數；

其中，所述多列STT磁性存儲器元件中的所述至少R個毗鄰列、或所述多列STT磁性存儲器元件中的另一至少R個毗鄰列、或兩者由中心到中心列間距間隔開，其中，所述多條共享位線中的至少兩條共享位線彼此毗鄰地延伸并且由共享位線間距間隔開，并且其中，所述共享位線間距是所述中心到中心列間距的大約R倍。

2.如權利要求1所述的STT磁性存儲器，其特征在于，所述多條共享位線被配置在上部金屬化層中。

3.如權利要求1所述的STT磁性存儲器，其特征在于，所述具有所述多列STT磁性存儲器元件中的至少兩列的組包括具有所述多列STT磁性存儲器元件中的至少兩列的第一組，其中，所述多條共享位線中的第一共享位線耦合到所述具有至少兩列STT磁性存儲器元件的第一組中的STT磁性存儲器元件的頂部電極，并且其中，所述多條共享位線中的第二共享位線耦合到具有所述多列STT磁性存儲器元件中的至少兩列的第二組中的STT磁性存儲器元件的頂部電極。

4.如權利要求3所述的STT磁性存儲器，其特征在于，所述具有所述多列STT磁性存儲器元件中的至少兩列的第一組包括所述多列STT磁性存儲器元件之中的至少兩個毗鄰列的STT磁性存儲器元件，并且其中，所述具有所述多列STT磁性存儲器元件中的至少兩列的第二組包括所述多列STT磁性存儲器元件之中的另一至少兩個毗鄰列的STT磁性存儲器元件。

5.如權利要求4所述的STT磁性存儲器，其特征在于，所述具有所述多列STT磁性存儲器元件中的至少兩列的第一組毗鄰于所述具有所述多列STT磁性存儲器元件中的至少兩列的第二組。

6.如權利要求5所述的STT磁性存儲器，其特征在于，所述至少兩個毗鄰列的STT磁性存儲器元件由中心到中心列間距間隔開，其中，所述另一至少兩個毗鄰列的STT磁性存儲器元件由所述中心到中心列間距間隔開，并且其中，所述第一共享位線與所述第二共享位線間隔開共享位線間距，所述共享位線間距大于所述中心到中心列間距。

7.如權利要求1所述的STT磁性存儲器，其特征在于，所述多條共享位線的至少所述子集中的每條共享位線在所述多列STT磁性存儲器元件中的至少R個毗鄰列上方延伸。

8.如權利要求1所述的STT磁性存儲器，其特征在于，R為2，并且其中，所述中心到中心列間距是所述共享位線間距的大約一半。

9.如權利要求1所述的STT磁性存儲器，其特征在于，R為4，并且其中，所述中心到中心列間距是所述共享位線間距的大約四分之一。

10.如權利要求1所述的STT磁性存儲器，其特征在于，所述多列STT磁性存儲器元件中的至少兩個毗鄰列中的STT磁性存儲器元件的頂部電極耦合到所述多條共享位線中的對應一條共享位線。

11.如權利要求10所述的STT磁性存儲器，其特征在于，所述多條共享位線中的對應一條共享位線在所述多列STT磁性存儲器元件中的所述至少兩個毗鄰列上方并與其平行延伸。