[發(fā)明專利]處理腔室

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580064762.0
• 申請(qǐng)日: 2015-11-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107109645B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 穆罕默德·圖格魯利·薩米爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號(hào): C23C16/455
• 分類號(hào): C23C16/455;C23C16/458;C23C16/48;C23C16/50;H01L21/67;H01L21/687
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó);趙靜

1.一種處理腔室，包括：

頂部、底部及側(cè)壁，所述頂部、所述底部及所述側(cè)壁耦接在一起以界定容積；

氣體分配器，所述氣體分配器圍繞所述側(cè)壁；

基板支撐件，所述基板支撐件安置在所述頂部和所述底部之間的所述容積中的旋轉(zhuǎn)組合件上，所述基板支撐件具有耦接到所述旋轉(zhuǎn)組合件的側(cè)壁、中心開(kāi)口、及圍繞所述中心開(kāi)口分布的多個(gè)基板位置，其中所述基板支撐件相對(duì)于所述底部可旋轉(zhuǎn)，并且其中所述氣體分配器具有多個(gè)氣體通路，所述多個(gè)氣體通路圍繞所述氣體分配器的圓周分布，并且所述氣體通路的一部分相對(duì)于所述氣體分配器的半徑傾斜以在所述氣體通路中提供氣體的旋轉(zhuǎn)流動(dòng)；

泵送口，所述泵送口定位于所述基板支撐件下方并且在所述基板支撐件的周邊內(nèi)；

能源，所述能源耦接至所述頂部或所述底部；以及

反射體，所述反射體安置在所述基板支撐件的側(cè)壁內(nèi)，其中多個(gè)通風(fēng)口形成在所述反射體和所述基板位置之間的所述基板支撐件的所述側(cè)壁中。

2.如權(quán)利要求1所述的處理腔室，其中所述能源是熱能源，并且所述處理腔室進(jìn)一步包括分離器，所述分離器將熱能從所述熱能源傳輸至所述容積內(nèi)。

3.如權(quán)利要求1所述的處理腔室，其中所述多個(gè)氣體通路的一部分向所述氣體分配器的頂表面或底表面傾斜。

4.如權(quán)利要求1所述的處理腔室，其中所述旋轉(zhuǎn)組合件包括空氣軸承及磁性定子。

5.如權(quán)利要求4所述的處理腔室，所述處理腔室進(jìn)一步包括在通道中沿所述底部的磁性轉(zhuǎn)子。

6.如權(quán)利要求5所述的處理腔室，所述處理腔室進(jìn)一步包括致動(dòng)器，所述致動(dòng)器穿過(guò)所述底部耦接至所述磁性轉(zhuǎn)子。

7.如權(quán)利要求1所述的處理腔室，其中所述能源是等離子體源。

8.如權(quán)利要求1所述的處理腔室，其中所述能源是紫外光源。

9.如權(quán)利要求1所述的處理腔室，其中所述反射體定位在所述基板支撐件和所述底部之間。

10.如權(quán)利要求1所述的處理腔室，進(jìn)一步包括分離器，所述分離器安置在所述能源與所述基板支撐件之間，其中所述分離器包括偏壓構(gòu)件，以促進(jìn)等離子體流動(dòng)。

11.如權(quán)利要求1所述的處理腔室，進(jìn)一步包括分離器及氣源，所述分離器安置在所述能源與所述基板支撐件之間，且所述氣源安置在所述分離器與所述能源之間。

12.如權(quán)利要求1所述的處理腔室，其中所述中心開(kāi)口是排氣裝置。

13.一種處理腔室，包括：

頂部、底部及側(cè)壁，所述頂部、所述底部及所述側(cè)壁耦接在一起以界定容積；

氣體分配器，所述氣體分配器圍繞所述側(cè)壁，其中所述氣體分配器具有多個(gè)氣體通路，所述多個(gè)氣體通路圍繞所述氣體分配器的圓周分布，并且所述氣體通路的一部分向所述氣體分配器的頂表面傾斜；

基板支撐件，所述基板支撐件安置在所述容積中定位在所述底部上方的旋轉(zhuǎn)組合件上，所述基板支撐件具有耦接至所述旋轉(zhuǎn)組合件的側(cè)壁、中心開(kāi)口、圍繞所述中心開(kāi)口分布的多個(gè)基板位置及磁性定子，其中所述基板位置的每個(gè)包括與升降桿對(duì)齊的多個(gè)開(kāi)口；

泵送口，所述泵送口定位于所述基板支撐件和所述底部之間并且在所述基板支撐件的周邊內(nèi)；

輻射能源，所述輻射能源耦接至所述頂部或所述底部；以及

反射體，所述反射體安置在所述基板支撐件的側(cè)壁內(nèi)，其中多個(gè)通風(fēng)口形成在所述反射體和所述基板位置之間的所述基板支撐件的所述側(cè)壁中。

14.如權(quán)利要求13所述的處理腔室，所述處理腔室進(jìn)一步包括在通道中沿所述底部的磁性轉(zhuǎn)子以及在所述磁性轉(zhuǎn)子與所述基板支撐件之間的空氣軸承。