[發明專利]光電組件以及用于制造光電組件的方法

有效

• 申請號: 201580064555.5
• 申請日: 2015-11-19
• 公開（公告）號: CN107251342B
• 公開（公告）日: 2020-01-10
• 發明（設計）人: S.格哈德;A.萊爾
• 申請（專利權）人: 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司
• 主分類號: H01S5/02
• 分類號: H01S5/02
• 代理公司: 72001 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 胡莉莉;劉春元

1.一種光電組件，包括層結構（2），所述層結構（2）包括用于生成電磁輻射的有源區（1），其中所述有源區（1）被布置在第一平面中，其中凹陷（6、25）被引入到所述層結構（2）的表面中，其中所述凹陷（6、25）毗鄰所述組件的端面（13），其中所述端面（13）被布置在第二平面中，其中所述第二平面被布置為垂直于所述第一平面，其中所述凹陷（6、25）包括底面（9）和側面（7、8），其中所述側面（7、8）被布置為垂直于所述端面（13），其中所述側面（7、8）整體上是以相對于所述有源區的所述第一平面按不等于90°的角度傾斜的方式布置的，其中所述底面（9）被布置在從所述有源區的所述第一平面上方200nm至所述有源區的所述第一平面下方200nm的范圍中,

其中所述凹陷（6、25）的至少一個側面（7、8）包括梯級式形狀，所述梯級式形狀包括至少兩個側區段，其中以橫向偏移方式布置所述側區段，其中所述側區段經由第二底面（23、24）彼此連接，并且其中至少一個側區段被形成為傾斜側面。

2.如權利要求1所述的組件，其中上側區段（19、21）被形成為傾斜側面。

3.如權利要求1所述的組件，其中下側區段（20、22）被形成為傾斜側面。

4.如權利要求2所述的組件，其中與所述有源區的所述第一平面相比，所述至少兩個側區段的下側區段（20、22）被垂直地布置。

5.如權利要求1所述的組件，其中所述底面（9）被布置在所述層結構（2）的表面（5）之下100nm和800nm之間的深度處。

6.如權利要求1所述的組件，其中所述側面（7、8）是以按95°-160°的角度傾斜的方式布置的。

7.如權利要求6所述的組件，其中所述側面（7、8）是以按在98°和130°之間的角度傾斜的方式布置的。

8.如權利要求1所述的組件，其中，所述凹陷包括第一側面和第二側面，并且其中所述第二側面與所述第一側面相對地布置。

9.如權利要求8所述的組件，其中，按不同的角度布置所述第一側面和所述第二側面。

10.如權利要求1所述的組件，其中所述側面（7、8）包括相對于所述第一平面垂直地布置的面區段以及傾斜的面區段，其中所述側面的所述傾斜的面區段相對于所述側面的深度被布置在所述側面（7、8）的上側區段（19、21）中，并且其中所述垂直地布置的面區段被布置在所述側面（7、8）的下側區段（20、22）中。

11.如權利要求1所述的組件，其中所述側面（7、8）包括相對于所述第一平面垂直地布置的面區段以及傾斜的面區段，其中所述側面的所述傾斜的面區段相對于所述側面的深度被布置在所述側面（7、8）的下側區段（20、22）中，并且其中所述垂直地布置的面區段被布置在所述側面（7、8）的上側區段（19、21）中。

12.如權利要求1所述的組件，其中，所述凹陷（6、25）在平行于所述第二平面的平面中包括在所述凹陷（6、25）的所述側面（7、8）與所述層結構（2）的頂側和/或所述凹陷的底面（9、23）之間的至少一個圓狀過渡（17、18）。

13.如權利要求1所述的組件，其中所述凹陷（6、25）包括處于10μm至200μm的范圍中的在所述第二平面中的寬度。

14.如權利要求1所述的組件，其中所述凹陷（6、25）包括處于10μm至150μm的范圍中的距脊（3）的距離。