[發(fā)明專利]晶體管器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580064397.3
• 申請(qǐng)日: 2015-10-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107004702B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: H·斯林豪斯;K·邦戈;V·佩庫(kù)尼亞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 劍橋企業(yè)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/49
• 分類號(hào): H01L29/49;H01L21/34;H01L29/786
• 代理公司: 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 歐陽(yáng)帆

1.一種生產(chǎn)晶體管器件的方法，包括：(a)通過(guò)包括從金屬有機(jī)前驅(qū)體的溶液形成前驅(qū)體膜以及在存在水的情況下以150-350℃之間的溫度對(duì)所述前驅(qū)體膜進(jìn)行退火的方法，形成氧化物半導(dǎo)體溝道材料的沉積物；以及(b)通過(guò)最大處理溫度小于80℃的沉積工藝將有機(jī)聚合物柵極電介質(zhì)沉積在所述氧化物半導(dǎo)體溝道材料的沉積物的頂部上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)晶體管器件的方法，其中氧化物半導(dǎo)體溝道的沉積物在沉積有機(jī)聚合物柵極電介質(zhì)之前包括10％-30％的金屬氫氧化物物質(zhì)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的生產(chǎn)晶體管器件的方法，其中所述金屬有機(jī)前驅(qū)體是溶解在乙醇或水溶劑中的金屬醇鹽或金屬硝酸鹽。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的生產(chǎn)晶體管器件的方法，其中所述氧化物半導(dǎo)體溝道材料的沉積物在所述有機(jī)聚合物柵極電介質(zhì)的沉積之后包括至少10％的金屬氫氧化物物質(zhì)。

5.一種生產(chǎn)晶體管器件的方法，包括：(a)通過(guò)包括從金屬有機(jī)前驅(qū)體的溶液形成前驅(qū)體膜以及在存在水的情況下以150-350℃之間的溫度對(duì)所述前驅(qū)體膜進(jìn)行退火的方法，形成氧化物半導(dǎo)體溝道材料的沉積物；以及(b)將有機(jī)聚合物柵極電介質(zhì)沉積在氧化物半導(dǎo)體溝道的頂部上；其中所述氧化物半導(dǎo)體溝道材料的沉積物在所述有機(jī)聚合物柵極電介質(zhì)的沉積之后包括至少10％的金屬氫氧化物物質(zhì)。