[發明專利]使用遠紫外線輻射光刻的材料、組件和方法，及其它應用

有效

• 申請號: 201580064372.3
• 申請日: 2015-11-25
• 公開（公告）號: CN107209293B
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 蘇普利亞·杰西瓦爾
• 申請（專利權）人: 蘇普利亞·杰西瓦爾
• 主分類號: G02B5/08
• 分類號: G02B5/08;G02B5/20;G02B1/115
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 董科

1.一種制造一個光學元件的方法，元件用于在一個0.1至250納米的單一目標波長的范圍內是反射的和透射的，包含：

提供一個基底；

將一組納米級建筑模塊裝配入一個具有預定義設置的配置或支架結構；

使用原子層沉積，沉積一個材料的單一正形層進入已裝配的配置或支架；

其中，組合的納米級建筑模塊和單一正形層與單一目標波長產生共振電磁相互作用，從而導致在目標波長產生增加的反射率或透射率。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，正形包覆的納米級建筑模塊旨在用于增加或減少超出沉積材料的對應容量的吸收。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在原子層沉積中使用一個釕、鈮、碳、氫或鉬前體的步驟。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在原子層沉積中使用一個有機前體的步驟。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述配置是一維、兩維或三維的。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述配置包含一個或多個層。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述配置包含一個或多個薄膜。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述配置包含一個或多個形狀，所述形狀包括球形、金字塔形、環、多孔結構、圓柱體、螺旋形的、手性結構或半球形。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述配置包含一個或多個塊。

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述配置包含一個或多個殼體。

11.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述配置包含一個或多個連接形狀、自由形式的形狀或片段。

12.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述建筑模塊包括金屬或有機材料。

13.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述建筑模塊包括氣體。

14.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述建筑模塊包括碳。

15.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述建筑模塊包括半導體或絕緣體。

16.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述建筑模塊包括聚合物。

17.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述建筑模塊包括化合物或石墨烯。

18.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述建筑模塊包括金屬有機材料。

19.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述建筑模塊包括單層材料；所述單層材料包括石墨烯、硅烯或鍺烯。

20.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述支架結構是犧牲的，并且在去除后，材料內的孔洞形成至少部分的已裝配配置。

21.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述材料在一個表面粗糙度小于1nm的表面上沉積，并具有足夠的正形性，使沉積的材料的拓撲結構能夠高度指示所述納米級建筑塊的形狀。

22.如權利要求1所述的方法，還包括使用一個掃描電子顯微鏡或原子力顯微鏡，對納米級建筑模塊成像的步驟。