[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201580064210.X
• 申請日: 2015-11-19
• 公開（公告）號: CN107004719B
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 北川英樹;大東徹;今井元;越智久雄;藤田哲生;菊池哲郞;川島慎吾;鈴木正彥
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;G02F1/1343;G02F1/1368;H01L21/28;H01L21/283;H01L21/306;H01L21/312;H01L21/316;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/532
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 薛曉偉

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

基板；

薄膜晶體管，被所述基板支撐，含有柵極電極、氧化物半導體層、形成于所述柵極電極與所述氧化物半導體層之間的柵極絕緣層以及與所述氧化物半導體層的上面相接的源極電極及漏極電極；

層間絕緣層，以覆蓋所述薄膜晶體管且與所述薄膜晶體管的通道區域相接的方式配置；

透明導電層，配置于所述層間絕緣層上，

所述源極電極及所述漏極電極各自具有銅層，

進一步具備銅氧化膜，所述銅氧化膜配置于所述源極電極及所述漏極電極與所述層間絕緣層之間，

所述層間絕緣層隔著所述銅氧化膜而覆蓋所述漏極電極，

所述透明導電層于形成在所述層間絕緣層的第一接觸孔內，未隔著所述銅氧化膜而與所述漏極電極的所述銅層直接相接，

進一步具備對準標記部，該對準標記具有標記層，該標記層由與所述源極電極及所述漏極電極相同的導電膜形成，

所述標記層的上面的一部分被所述銅氧化膜覆蓋，

所述層間絕緣層隔著所述銅氧化膜而與所述標記層的所述上面的所述一部分相接，且于所述標記層上具有開口部，

從所述基板的法線方向觀看時，于所述標記層的所述上面中與所述開口部重疊的部分未配置所述銅氧化膜。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述銅氧化膜與所述源極電極及所述漏極電極的所述銅層相接，

所述銅層與所述透明導電層的界面比所述銅層與所述層間絕緣層的界面更平坦。

3.根據權利要求1或權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，從所述基板的表面的法線方向觀看時，于所述第一接觸孔中，所述銅氧化膜的端部位于比所述層間絕緣層的端部更外側的位置。

4.根據權利要求1或權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，所述銅氧化膜的厚度為10nm以上且70nm以下。

5.根據權利要求1或權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，所述銅氧化膜為通過將所述銅層的表面進行氧化處理而形成的氧化膜。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述源極電極及所述漏極電極各自進一步具備被配置于所述銅層的所述基板側且與所述氧化物半導體層相接的下層，所述下層含有鈦或鉬。

7.根據權利要求1或權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，進一步具備形成于所述基板上的端子部，

所述端子部具有：

源極連接層，由與所述源極電極及所述漏極電極相同的導電膜形成；

所述層間絕緣層，于所述源極連接層上延伸；

上部導電層，由與所述透明導電層相同的透明導電膜形成，

所述源極連接層的上面的一部分被所述銅氧化膜覆蓋，

所述層間絕緣層隔著所述銅氧化膜而覆蓋所述源極連接層，

所述上部導電層于形成在所述層間絕緣層的第二接觸孔內，未隔著所述銅氧化膜而與所述源極連接層直接相接。

8.根據權利要求1或權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，所述薄膜晶體管具有通道蝕刻結構。

9.根據權利要求1或權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，所述氧化物半導體層含有In─Ga─Zn─O系半導體。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，所述氧化物半導體層含有結晶質部分。