[發明專利]增進工藝均勻性的方法及系統

有效

• 申請號: 201580064178.5
• 申請日: 2015-11-09
• 公開（公告）號: CN107004560B
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發明（設計）人: S·辛格;A·曹;張景春;李子匯;張漢申;D·盧博米爾斯基
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖

1.一種半導體處理腔室，包括：

遠程等離子體區域；和

處理區域，所述處理區域與所述遠程等離子體區域流體耦接，其中：

所述處理區域配置為在支撐基座上容納基板，

所述支撐基座包括在所述基座的內側區域的第一材料，

所述支撐基座包括與所述基座的遠程部分耦接的環形構件，

所述環形構件沿著所述環形構件的全部內表面保持與所述支撐基座接觸，且

所述環形構件包括與所述第一材料不同的第二材料，其中所述環形構件包括鍍有所述第二材料的第一材料，其中所述第二材料包含鎳或鉑，且其中所述第二材料未設置于所述環形構件的與所述支撐基座接觸的表面上。

2.如權利要求1所述的半導體處理腔室，其中所述環形構件沿著所述基座的外部邊緣朝所述基座的桿件區域延伸。

3.如權利要求1所述的半導體處理腔室，其中所述支撐基座包括上表面，且其中所述環形構件在所述支撐基座的所述上表面的上方豎直地延伸。

4.如權利要求1所述的半導體處理腔室，其中所述環形構件是在超過置中的基板區域的大小的邊緣區域處與所述支撐基座耦接。

5.如權利要求1所述的半導體處理腔室，其中氟對所述第二材料具有比對所述第一材料更高的親合性。

6.如權利要求1所述的半導體處理腔室，其中所述處理區域由側壁和噴淋頭而至少部分地被界定，并且其中所述側壁包含所述第二材料。

7.如權利要求6所述的半導體處理腔室，其中側壁加熱組件被鑲嵌在鄰近所述噴淋頭的所述側壁中。

8.如權利要求7所述的半導體處理腔室，其中所述支撐基座進一步包括基座溫度控制器。

9.如權利要求8所述的半導體處理腔室，其中所述基座溫度控制器被配置為將所述基座保持在第一溫度，其中所述側壁加熱組件被配置為將所述環形構件保持在第二溫度，其中所述第二溫度大于所述第一溫度。

10.一種半導體處理腔室，包括：

遠程等離子體區域；和

處理區域，所述處理區域與所述遠程等離子體區域流體耦接，其中：

所述處理區域通過一噴淋頭、基板支撐基座和側壁的每一者而至少部分地被界定，所述基板支撐基座包括第一材料，所述基板支撐基座包括環形構件，所述環形構件與所述基板支撐基座的遠程部分耦接并且沿著所述環形構件的全部內表面保持與所述基板支撐基座接觸，

所述側壁包含位于內側腔室表面上的襯墊，所述襯墊包括與所述第一材料不同的第二材料，其中所述基座包括與桿件耦接的平臺，并且其中當所述平臺位于升高的操作位置時，所述襯墊被設置在所述側壁上，從所述噴淋頭至靠近、位于或低于所述平臺的表面的高度的距離處，其中所述第二材料包含鎳或鉑，且其中所述第二材料未設置于所述環形構件的與所述支撐基座接觸的表面上，以及

電阻加熱器是鑲嵌于所述側壁中。

11.如權利要求10所述的半導體處理腔室，其中所述基座包括溫度控制器，并且其中所述溫度控制器被配置為將基板溫度保持在至少低于由所述電阻加熱器所保持的所述側壁溫度20℃以下。

12.如權利要求10所述的半導體處理腔室，其中所述電阻加熱器位于鄰近所述噴淋頭的所述側壁內。