[發(fā)明專利]智能電力傳遞網(wǎng)絡(luò)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580064151.6 | 申請(qǐng)日: | 2015-11-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107005050B | 公開(公告)日: | 2021-03-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | H·K·克里西那莫西;K·Z·阿蒙德;K·拉維錢德蘭 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 英特爾公司 |
| 主分類號(hào): | H02J3/00 | 分類號(hào): | H02J3/00 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 黃嵩泉 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 智能 電力 傳遞 網(wǎng)絡(luò) | ||
示例可以包括一種智能電力傳遞網(wǎng)絡(luò),所述智能電力傳遞網(wǎng)絡(luò)使用電壓調(diào)節(jié)器來供應(yīng)足以滿足從來自多個(gè)可能負(fù)載當(dāng)中的一個(gè)負(fù)載所產(chǎn)生的峰值負(fù)載需求的組合電力。一種具有控制器的電力選通器件的系統(tǒng)可以輔助將由所述電壓調(diào)節(jié)器驅(qū)動(dòng)的電流動(dòng)態(tài)地操控至所述多個(gè)可能負(fù)載。
技術(shù)領(lǐng)域
在此描述的示例總體上涉及對(duì)從多個(gè)電壓調(diào)節(jié)器供應(yīng)的電力進(jìn)行路由。
背景技術(shù)
當(dāng)今的微處理器中的一些被設(shè)計(jì)成采用被稱為睿頻加速(turbo boost)或動(dòng)態(tài)超頻的性能增強(qiáng)技術(shù)。睿頻加速可以通過利用從早期低功率操作或模式中累積的能量積分(credit)來增強(qiáng)性能。能夠進(jìn)行睿頻加速的微處理器可以置于的更低性能和更低熱操作模式下以便使得微處理器的元件(例如,核)能夠兌換能量積分并且將微處理器和/或主機(jī)計(jì)算平臺(tái)推到熱設(shè)計(jì)點(diǎn)(TDP)之上。這些類型的微處理器的電力傳遞單元需要包括電壓調(diào)節(jié)器,所述電壓調(diào)節(jié)器具有供應(yīng)充分電力以滿足在睿頻加速期間生成的峰值負(fù)載需求的傳遞能力。
附圖說明
圖1展示了示例第一系統(tǒng)。
圖2展示了示例第一供電場(chǎng)景。
圖3展示了示例第二、第三和第四供電場(chǎng)景。
圖4展示了示例第二系統(tǒng)。
圖5展示了邏輯流程的示例。
圖6展示了電壓識(shí)別(VID)控制器的示例。
圖7展示了第一系統(tǒng)的子系統(tǒng)的示例。
圖8展示了示例第一分擔(dān)場(chǎng)景。
圖9展示了示例第一分擔(dān)場(chǎng)景。
圖10展示了示例第一分擔(dān)場(chǎng)景。
圖11展示了示例計(jì)算平臺(tái)。
具體實(shí)施方式
如在本公開中所設(shè)想的,能夠進(jìn)行睿頻加速或動(dòng)態(tài)超頻的微處理器的電力傳遞單元需要包括電壓調(diào)節(jié)器,所述電壓調(diào)節(jié)器具有供應(yīng)充分的電力以滿足在睿頻加速期間生成的峰值負(fù)載需求的傳遞能力。包括在具有這些類型的微處理器的相同管芯或芯片上的完全集成電壓調(diào)節(jié)器(FIVR)可以被設(shè)計(jì)成用于供應(yīng)電力滿足所述峰值負(fù)載需求。例如,所述峰值負(fù)載需求可以大約是多核處理器的單獨(dú)核的標(biāo)稱或低工作負(fù)載需求的3倍。例如,在具有四個(gè)核的多核微處理器系統(tǒng)中,所有FIVR的組合供電能力可以是供應(yīng)單個(gè)核的熱設(shè)計(jì)點(diǎn)(TDP)電流(Icc)所需的12倍。然而,能夠進(jìn)行睿頻加速的微處理器可以僅允許一個(gè)核在全睿頻加速模式下進(jìn)行操作同時(shí)其他核可以以僅具有標(biāo)稱負(fù)載需求的低工作負(fù)載下進(jìn)行操作。針對(duì)此示例,最大系統(tǒng)峰值需求不超過供應(yīng)單個(gè)核的TDP Icc所需的6x倍(=在睿頻(3xTDP)處的一個(gè)核以及在TDP處的其他三個(gè)核)。此過度設(shè)計(jì)可能導(dǎo)致管芯上電壓調(diào)節(jié)器占用管芯上的更多區(qū)域并且對(duì)于制造比可能需要支持睿頻加速峰值負(fù)載需求的成本更大。針對(duì)利用當(dāng)前工藝技術(shù)(例如,10納米(nm))的高端多核處理器,制造成本影響可能比較顯著。同樣,由于每個(gè)FIVR可以被設(shè)計(jì)為在大約3x TDP時(shí)最高效的,因此效率損失可以在不供應(yīng)滿足睿頻加速峰值負(fù)載需求(其可以大于通常操作環(huán)境的時(shí)間的99.9%)的電力時(shí)發(fā)生。因此,效率/功率損失由于此過度設(shè)計(jì)可能是有問題的。相對(duì)于這些和其他挑戰(zhàn),需要在此所描述的示例。
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H02J3-02 .應(yīng)用單個(gè)網(wǎng)絡(luò)以不同頻率同時(shí)配電的;應(yīng)用單個(gè)網(wǎng)絡(luò)對(duì)交流和直流同時(shí)配電的
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