[發(fā)明專利]用于硅光子的差動(dòng)TWE MZM驅(qū)動(dòng)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580063618.5
• 申請(qǐng)日: 2015-09-23
• 公開（公告）號(hào): CN107003585B
• 公開（公告）日: 2020-03-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: G·P·丹尼爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 菲尼薩公司
• 主分類號(hào): G02F1/225
• 分類號(hào): G02F1/225
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 陳紅

差動(dòng)TWE MZM包括差動(dòng)驅(qū)動(dòng)器、第一和第二電容器以及第一和第二端子。差動(dòng)驅(qū)動(dòng)器包括共同地形成差動(dòng)對(duì)的第一差動(dòng)輸出端和第二差動(dòng)輸出端。第一差動(dòng)輸出端DC耦合到TWE MZM的第一臂光學(xué)移相器的負(fù)極。第二差動(dòng)輸出端DC耦合到TWE MZM的第二臂光學(xué)移相器的負(fù)極。第一電容器將第二差動(dòng)輸出端AC耦合到第一臂光學(xué)移相器的正極。第二電容器將第一差動(dòng)輸出端AC耦合到第二臂光學(xué)移相器的正極。第一和第二端子分別耦合到第一或者第二臂光學(xué)移相器的負(fù)極和正極。

技術(shù)領(lǐng)域

這里討論的一些實(shí)施例涉及用于硅光子的差動(dòng)行波電極(TWE)mach-zehnder調(diào)制器(MZM)驅(qū)動(dòng)器。

背景技術(shù)

除非在此處另有陳述，在此處描述的資料對(duì)于在本申請(qǐng)中的權(quán)利要求不是現(xiàn)有技術(shù)，并且不應(yīng)因?yàn)榘ㄔ谶@個(gè)部分中而被看作是現(xiàn)有技術(shù)。

10/25/28千兆位/每秒(Gbps)數(shù)據(jù)速率的硅光學(xué)設(shè)備(調(diào)制器、鍺波導(dǎo)光電檢測(cè)器)已經(jīng)在商業(yè)上展示并引進(jìn)。也已經(jīng)報(bào)告了向?qū)崿F(xiàn)大于50Gbps速率的光信號(hào)的產(chǎn)生和檢測(cè)的進(jìn)步。

以太網(wǎng)和光纖信道以25.78Gbps和28Gbps串行速率收斂。雖然這些數(shù)據(jù)速率可以以成熟的直接調(diào)制III/V激光器(DML)(VCSEL/MMF和DFB/SMF)闡明并且滿足當(dāng)前的光纖鏈路標(biāo)準(zhǔn)和用戶需求，但今天仍然不清楚DML技術(shù)將能夠快速縮放超過28Gbps串行速率。

在此處要求的主題不局限于解決任何缺點(diǎn)或者僅僅在諸如如上所述的環(huán)境下操作的實(shí)施方式。而是本“背景技術(shù)”部分僅僅用于舉例說明這里描述的某些實(shí)施例可以實(shí)踐的一個(gè)示例技術(shù)領(lǐng)域。

發(fā)明內(nèi)容

這里公開的實(shí)施例涉及用于硅光子的差動(dòng)TWE MZM驅(qū)動(dòng)器。在此處描述的某些實(shí)施例提供在TWE MZM的每個(gè)臂中從驅(qū)動(dòng)器到每個(gè)光學(xué)移相器的正極的AC耦合的路徑，其與一系列RC端子結(jié)合可以形成電路拓?fù)洌涮峁┬盘?hào)均衡和擴(kuò)展TWE MZM的帶寬。在此處描述的實(shí)施例可以另外包括具有電阻R_B的一個(gè)或多個(gè)偏壓電阻器，其對(duì)光學(xué)移相器提供0伏(V)偏置。當(dāng)C_B＝C_MZM+C_T并且R_B＞＞R_T時(shí)，關(guān)于TWE MZM的傳遞函數(shù)可忽略該偏置，如以下更詳細(xì)描述的。

TWE MZM可以包括TWE，其是有耗電極。雖然電極的損耗特性可能降低TWE MZM的電光帶寬，但與無損耗的或者損耗最小化的電極相比較，該有耗電極可以提供對(duì)傳輸線反射增強(qiáng)的抗擾性。因而，與包括無損耗的或者損耗最小化的電極的TWE MZM相比，在此處描述的實(shí)施例中，傳輸線端子和信源端子可能不是關(guān)鍵的。

TWE MZM的某些或者所有部件可以集成在芯片上，或者TWE MZM的驅(qū)動(dòng)器上，或者TWE MZM的光子集成電路(PIC)上。PIC可以包括TWE MZM的多種部件，諸如一個(gè)或多個(gè)波導(dǎo)、分束器、光斑大小變換器、合成器，或者其它的光子部件。這樣的集成TWE MZM的建模可能比具有外部部件的TWE MZM更為容易，并且這樣的集成TWE MZM可以比具有外部部件的TWEMZM具有更小的印跡。

在一個(gè)示例實(shí)施例中，差動(dòng)TWE MZM包括差動(dòng)驅(qū)動(dòng)器、第一和第二電容器以及第一和第二端子。差動(dòng)驅(qū)動(dòng)器包括共同地形成差動(dòng)對(duì)的第一差動(dòng)輸出端和第二差動(dòng)輸出端。第一差動(dòng)輸出端DC耦合到TWE MZM的第一臂光學(xué)移相器的負(fù)極。第二差動(dòng)輸出端DC耦合到TWEMZM的第二臂光學(xué)移相器的負(fù)極。第一電容器將第二差動(dòng)輸出端AC耦合到第一臂光學(xué)移相器的正極。第二電容器將第一差動(dòng)輸出端AC耦合到第二臂光學(xué)移相器的正極。第一端子耦合到第一臂光學(xué)移相器的負(fù)極和正極。第二端子耦合到第二臂光學(xué)移相器的負(fù)極和正極。