[發(fā)明專利]可簡單制造的電子元器件和制造電子元器件的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580063060.0 | 申請日: | 2015-10-19 |
| 公開(公告)號: | CN107004664B | 公開(公告)日: | 2021-02-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 克里斯蒂安·鮑爾;漢斯·克呂格爾;于爾根·波特曼;阿洛伊斯·斯特爾茲利;沃爾夫?qū)づ翣?/a> | 申請(專利權(quán))人: | 追蹤有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/488 | 分類號: | H01L23/488;H01L21/48;H03H9/05 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 王茂華;呂世磊 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 簡單 制造 電子元器件 方法 | ||
1.一種電子元器件(B),其包含:
-具有至少一個聚合層(TSO)的載體襯底(TS);
-第一芯片(CH1),其在下側(cè)面上具有連接結(jié)構(gòu)(VBS)并且在下側(cè)面上具有金屬布線結(jié)構(gòu)(VSS),
其中
-所述第一芯片(CH1)被排布在所述載體襯底(TS)上;
-所述連接結(jié)構(gòu)(VBS)平放在所述聚合層(TSO)上或者嵌入所述聚合層(TSO)中,但并不穿透所述聚合層;且
-所述布線結(jié)構(gòu)(VSS)穿透所述聚合層(TSO),以及
-在所述第一芯片(CH1)和所述載體襯底(TS)之間的間隙,其中在所述第一芯片(CH1)的所述下側(cè)面上排布有敏感結(jié)構(gòu)(BES),所述敏感結(jié)構(gòu)(BES)不接觸所述載體襯底(TS),
-第二芯片(CH2),其排布在所述載體襯底(TS)上的所述第一芯片(CH1)旁邊且與所述第一芯片(CH1)電連接,
-其中所述第一芯片(CH1)或所述第二芯片(CH2)是傳感器芯片并且排布在蓋子(D)下方;
-其中所述傳感器芯片通過所述蓋子(D)中的洞口(L)與所述元器件(B)的周圍環(huán)境相連,且
-在所述蓋子(D)下方形成有背部體積(RV),且
其中所述電子元器件還包含暴露在所述載體襯底(TS)的上側(cè)面上的電路導(dǎo)體(SL),其采用這樣的設(shè)置,即通過接插連接與外部電路環(huán)境相連和互連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元器件,其中所述第一芯片(CH1)從以下芯片中選出:MEMS芯片、NEMS芯片、IC芯片、光電子學(xué)芯片、執(zhí)行器芯片、只包含無源電路元件的芯片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子元器件,其中所述載體襯底(TS)還包含分層結(jié)構(gòu)(TSU),其從以下層中選出:電路板、有機(jī)承載箔、無機(jī)承載箔、單晶襯底、多晶襯底、半導(dǎo)體襯底、陶瓷襯底、玻璃襯底。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子元器件,其中所述分層結(jié)構(gòu)(TSU)從以下層中選出:SESUB、LTCC襯底、HTCC襯底和金屬箔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元器件,其中間隙在側(cè)面通過在所述第一芯片的下側(cè)面上構(gòu)成框架(R)的所述連接結(jié)構(gòu)(VBS)限定,并且所述第一芯片(CH1)、所述框架(R)和所述載體襯底(TS)圍成了中空腔(H)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子元器件,其中
-所述連接結(jié)構(gòu)(VBS)具有聚合物、Cu、Al、Ag和Au作為主要組成部分;以及
-所述布線結(jié)構(gòu)(VSS)具有Cu、Al、Ag和Au作為主要組成部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子元器件,其中所述布線結(jié)構(gòu)(VSS)包含
-隆起的連接結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子元器件,其中所述布線結(jié)構(gòu)(VSS)包含:
-金屬柱體,或
-穿透所述第一芯片(CH1)和/或所述載體襯底(TS)的內(nèi)層連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的元器件,其中所述連接結(jié)構(gòu)(VBS)包含具有圓形或長方形橫截面的支管或支撐性框架(R)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子元器件,其還包含:
-封裝物,其具有薄板、模制材料(VM)、通過擠壓方法布置的材料或位于所述第一芯片(CH1)上方的箔片(F),和/或
-填充材料(UF),其直接排布在所述載體襯底的區(qū)域上并且填充芯片材料和所述載體襯底(TS)之間的間隙。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求1或2所述的電子元器件,其還包含位于所述第一芯片(CH1)之上的由金屬構(gòu)成的覆蓋分層結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元器件,
-其中所述元器件是麥克風(fēng);以及
-所述傳感器芯片包含電聲轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)。
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