[發明專利]輻射探測器芯組件在審
| 申請號: | 201580063027.8 | 申請日: | 2015-11-06 |
| 公開(公告)號: | CN107004687A | 公開(公告)日: | 2017-08-01 |
| 發明(設計)人: | F·韋爾巴凱爾;P·范德爾夫特 | 申請(專利權)人: | 皇家飛利浦有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司72002 | 代理人: | 王英,劉炳勝 |
| 地址: | 荷蘭艾*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 輻射 探測器 組件 | ||
1.一種用于構造輻射探測器芯組件的方法,包括以下步驟:
-從光子-電子轉換元件、集成電路和至少一個連接元件來組裝輻射探測器芯組件,所述至少一個連接元件被定位于所述光子-電子轉換元件與所述集成電路之間并且機械地連接所述光子-電子轉換元件與所述集成電路;
-在低于100度的溫度下在至少所述光子-電子轉換元件的所有外表面以及至少一個電連接元件的所有外表面上將氣態封裝材料沉積到所組裝的探測器芯組件上。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,所述溫度低于60攝氏度,優選為室溫。
3.根據權利要求1或2所述的方法,其中,所述氣態封裝材料是聚對二甲苯前驅體材料,所述聚對二甲苯前驅體材料在所述沉積的步驟期間或之后在所組裝的探測器芯組件上形成聚對二甲苯封裝層。
4.根據權利要求3所述的方法,其中,所述聚對二甲苯前驅體材料是對二甲苯基單體,任選是被置換的對二甲苯基單體,其優選是從對-環芳的熱分解形成的。
5.根據權利要求4所述的方法,其中,所述聚對二甲苯前驅體材料是在反應室中形成的,所述反應室被能控制地連接到在其中執行所述沉積的步驟的沉積室。
6.根據權利要求1至5中的任一項所述的方法,其中,所述至少一個連接元件包括:將所述光子-電子轉換元件與所述集成電路電氣地連接的電連接元件,諸如焊球或填充金屬的環氧樹脂滴;和/或將所述光子-電子轉換元件與所述集成電路光學地連接的光學連接元件。
7.一種通過根據權利要求1至6中的任一項所述的方法能獲得的濕氣阻隔的輻射探測器芯組件。
8.一種包括根據權利要求7所述的探測器芯組件的輻射探測器。
9.一種包括探測器芯組件的輻射探測器,包括:
-光子-電子轉換元件;
-集成電路;以及
-至少一個電連接元件,其實質上被定位于所述光子-電子轉換元件與所述集成電路之間并且電氣地和機械地連接所述光子-電子轉換元件與所述集成電路;其中,所述探測器芯組件包括對至少所述光子-電子轉換元件的所有外表面以及所述至少一個電連接元件的所有外表面適形的封裝層。
10.根據權利要求8或9所述的輻射探測器,其中,所述光子-電子轉換元件至少實質上包括直接轉換材料,優選為碲化鎘材料,并且更優選為碲鋅鎘材料。
11.根據權利要求8至10中的任一項所述的輻射探測器,其中,所述封裝層包括在低于100攝氏度的溫度下在氣相中能處理的封裝材料,所述封裝材料優選為聚對二甲苯,優選在低于60攝氏度的溫度下應用,并且更優選在室溫下應用。
12.根據權利要求8至11中的任一項所述的輻射探測器,其中,所述至少一個連接元件包括:將所述光子-電子轉換元件與所述集成電路電氣地連接的電連接元件,諸如焊球或填充金屬的環氧樹脂滴;和/或將所述光子-電子轉換元件與所述集成電路光學地連接的光學連接元件。
13.根據權利要求7至12中的任一項所述的輻射探測器,包括多個探測器芯組件,優選形成計算機斷層攝影輻射探測器。
14.一種包括根據權利要求7至13中的任一項所述的輻射探測器的輻射成像設備。
15.一種包括根據權利要求7至13中的任一項所述的輻射探測器的計算機斷層攝影成像系統。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





