[發(fā)明專利]用于過壓和/或過流保護的保護電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580062732.6 | 申請日: | 2015-11-03 |
| 公開(公告)號: | CN107251352B | 公開(公告)日: | 2020-04-17 |
| 發(fā)明(設計)人: | R·默騰布林克 | 申請(專利權)人: | 羅伯特·博世有限公司 |
| 主分類號: | H02H3/087 | 分類號: | H02H3/087;H02H3/20 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 鄭立柱 |
| 地址: | 德國斯*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 保護 電路 | ||
1.一種保護電路(204;304;403;411),所述保護電路用于對機動車的電子裝置(200;300;400;410)的設置用于與負載(RL)連接的裝置接口(202;PA_SPK-,PA_SPK+)的外部布線的過電壓保護和/或過電流保護,所述保護電路包括:比較級(SPR1),用于將由施加在所述外部布線上的電壓形成的測量電壓與比較電壓進行比較,所述比較電壓是與所述電子裝置(200;300;400;410)的供電電壓或由所述供電電壓獲得的電壓;以及串聯聯接地布置在所述裝置接口(202;PA_SPK-,PA_SPK+)和所述外部布線之間的、能由所述比較級(SPR1)控制的開關元件(UPR1,UPR2),用于將所述外部布線與所述裝置接口(202;PA_SPK-,PA_SPK+)分離。
2.根據權利要求1所述的保護電路(204;304;403;411),其特征在于,以至少一個電感電路元件(LPR;LFI;L1,L2)和/或至少一個電容電路元件(CFI)和/或至少一個電阻電路元件構造的至少一個限制電壓升高的元件,所述限制電壓升高的元件用于針對施加在所述外部布線上的所述電壓的時間改變來限制所述比較電壓的時間改變。
3.根據權利要求1或2所述的保護電路(204;304;403;411),其特征在于,以至少一個二極管(DPR1,DPR2)構造的至少一個電壓形成元件,所述至少一個電壓形成元件用于由施加在所述外部布線上的所述電壓形成所述測量電壓并且用于將所述測量電壓輸送到所述比較級(SPR1)上。
4.根據權利要求3所述的保護電路(204;304;403;411),其特征在于,所述至少一個電壓形成元件還以用于形成和/或存儲所述測量電壓的至少一個電壓存儲元件(CPRTP;CPRTP1)來構造。
5.根據權利要求1或2所述的保護電路(204;304;403;411),其特征在于,所述至少一個限制電壓升高的元件中的至少一個限制電壓升高的元件與所述開關元件(UPR1,UPR2)串聯聯接地和/或鏈式聯接地被布置在所述裝置接口(202;PA_SPK-,PA_SPK+)和所述外部布線之間。
6.根據權利要求5所述的保護電路(204;304;403;411),其特征在于,所述至少一個與所述開關元件(UPR1,UPR2)串聯聯接地和/或鏈式聯接地布置在所述裝置接口(202;PA_SPK-,PA_SPK+)和所述外部布線之間的限制電壓升高的元件中的至少一個限制電壓升高的元件由至少一個用于過濾可從所述裝置接口(202;PA_SPK-,PA_SPK+)輸送給所述外部布線的電壓的濾波元件(L1,L2,C1,C2)來構造。
7.根據權利要求1或2所述的保護電路(204;304;403;411),其特征在于,所述至少一個限制電壓升高的元件中的至少一個限制電壓升高的元件被串聯聯接地和/或鏈式聯接地布置在用于給所述電子裝置(200;300;400;410)供電的供電電壓源(UBAT12)和所述電子裝置(200;300;400;410)之間。
8.根據權利要求7所述的保護電路(204;304;403;411),其特征在于,所述至少一個串聯聯接地和/或鏈式聯接地布置在用于給所述電子裝置(200;300;400;410)供電的供電電壓源(UBAT12)和所述電子裝置(200;300;400;410)之間的限制電壓升高的元件中的至少一個限制電壓升高的元件由至少一個供電電壓平滑元件(LFI,CFI)來構造。
9.根據權利要求1或2所述的保護電路(204;304;403;411),其特征在于電荷泵電路(VPRCP;VPRCP1),通過所述電荷泵電路能夠由所述比較級(SPR1)控制用于將所述外部布線與所述裝置接口(202;PA_SPK-,PA_SPK+)分離的開關元件(UPR1,UPR2)。
10.根據權利要求1或2所述的保護電路(204;304;403;411),其特征在于,所述至少一個構造用于將所述裝置接口(202;PA_SPK-,PA_SPK+)與所述外部布線分離的開關元件(UPR1,UPR2)以至少一個MOSFET構成。
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