[發明專利]太陽能單電池和太陽能電池組件

有效

• 申請號: 201580062370.0
• 申請日: 2015-10-09
• 公開（公告）號: CN107004732B
• 公開（公告）日: 2020-10-20
• 發明（設計）人: 東方田悟司;神田雅央;湯川博喜
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: H01L31/0747
• 分類號: H01L31/0747
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種太陽能電池組件，其包括利用多個配線件電串聯連接的多個太陽能單電池，所述太陽能電池組件的特征在于：

所述多個太陽能單電池包括：

n型晶體半導體基片；

配置在所述n型晶體半導體基片的第一主面上的n型非晶半導體層；

設置在所述n型晶體半導體基片與所述n型非晶半導體層之間的i型非晶半導體層；

配置在所述n型非晶半導體層上的受光面電極；

配置在所述n型晶體半導體基片的第二主面上的p型非晶半導體層；

設置在所述n型晶體半導體基片與所述p型非晶半導體層之間的另一i型非晶半導體層；和

配置在所述p型非晶半導體層上的背面電極，

在所述n型晶體半導體基片中存在1×10¹⁷atoms/cm³～1×10¹⁸atoms/cm³的濃度的晶格間氧原子，

所述多個太陽能單電池的所述n型晶體半導體基片的電阻率，在7～13Ωcm的范圍具有偏差而不同以使得所述多個太陽能單電池的短路電流值的偏差處于0.5％以內。

2.如權利要求1所述的太陽能電池組件，其特征在于：

所述受光面電極具有形成在所述n型非晶半導體層上的第一透明導電層，并且所述背面電極具有形成在所述p型非晶半導體層上的第二透明導電層，

包括所述n型晶體半導體基片的電阻在內的所述第一透明導電層的薄膜電阻為50～90Ωcm，

包括所述n型晶體半導體基片的電阻在內的所述第二透明導電層的

薄膜電阻為50～90Ωcm。

3.如權利要求1所述的太陽能電池組件，其特征在于：

所述n型晶體半導體基片包含磷作為n型摻雜劑，

所述n型晶體半導體基片的磷濃度為3.4×10¹⁴/cm³～1.3×10¹⁵/cm³。

4.如權利要求1所述的太陽能電池組件，其特征在于：

所述n型晶體半導體基片包含磷作為n型摻雜劑，

所述n型晶體半導體基片的磷濃度為3.4×10¹⁴/cm³～9×10¹⁴/cm³。

5.如權利要求1所述的太陽能電池組件，其特征在于：

對所述n型晶體半導體基片的電子釋放有貢獻的氧濃度在全晶格間氧的0.1％以下。

6.如權利要求1所述的太陽能電池組件，其特征在于：

所述n型晶體半導體基片的厚度為50μm～150μm。

7.如權利要求1～6中任一項所述的太陽能電池組件，其特征在于：

所述背面電極的面積比所述受光面電極的面積大。