[發(fā)明專利]FinFET的摻雜方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580062264.2
• 申請日: 2015-01-08
• 公開（公告）號: CN107112239B
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪俊華;吳漢明;陳炯;張勁
• 申請（專利權(quán)）人: 上海凱世通半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 上海弼興律師事務(wù)所 31283
• 代理人: 薛琦

1.一種FinFET的摻雜方法，該FinFET包括襯底和位于襯底上平行間隔設(shè)置的Fin，每根Fin包括頂面、第一側(cè)壁和第二側(cè)壁，其特征在于，該摻雜方法包括以下步驟：

T1、在Fin的頂面、第一側(cè)壁和第二側(cè)壁中形成摻雜層；

T2、將襯底元素沿著該襯底的法線方向注入至Fin的頂面中以減小頂面中摻雜元素的濃度，

其中，摻雜元素的注入能量為200eV–2keV，

對于每根Fin來說，步驟T1還包括：

T11、使摻雜元素注入至該第一側(cè)壁中以及注入至該頂面中，

T12、使摻雜元素注入至該第二側(cè)壁中以及注入至該頂面中，

步驟T11中使摻雜元素注入至該第一側(cè)壁中以及注入至該頂面中直至該第一側(cè)壁中摻雜元素的劑量達(dá)到自飽和，和/或，步驟T12中使摻雜元素注入至該第二側(cè)壁中以及注入至該頂面中直至該第二側(cè)壁中摻雜元素的劑量達(dá)到自飽和，其中，自飽和為注入的摻雜元素和濺射出的摻雜元素相等的動(dòng)態(tài)平衡狀態(tài)，

或者，

對于每根Fin來說，步驟T1包括：

反復(fù)執(zhí)行步驟TP1和步驟TP2直至該第一側(cè)壁和該第二側(cè)壁中的摻雜元素的劑量達(dá)到自飽和，之后執(zhí)行步驟T2，

TP1、使摻雜元素注入至該第一側(cè)壁中以及注入至該頂面中；

TP2、使摻雜元素注入至該第二側(cè)壁中以及注入至該頂面中，

其中，自飽和為注入的摻雜元素和濺射出的摻雜元素相等的動(dòng)態(tài)平衡狀態(tài)。

2.如權(quán)利要求1所述的摻雜方法，其特征在于，步驟T2中襯底元素的注入深度與摻雜層的深度一致。

3.如權(quán)利要求1所述的摻雜方法，其特征在于，摻雜元素的注入方向與該襯底的法線所呈夾角為2°-45°，和/或，

該摻雜元素為砷、磷或硼，該襯底元素為硅或鍺。

4.一種FinFET的摻雜方法，該FinFET包括襯底和位于襯底上平行間隔設(shè)置的Fin，每根Fin包括頂面、第一側(cè)壁和第二側(cè)壁，其特征在于，該摻雜方法包括以下步驟：

R1、在Fin的頂面、第一側(cè)壁和第二側(cè)壁中形成摻雜層；

R2、將襯底元素沿著幾乎平行于該頂面的方向注入至Fin的頂面中以減小頂面中摻雜元素的劑量，其中幾乎平行于該頂面的方向表示注入方向與該頂面所呈夾角大于0°，小于等于5°，其中，摻雜元素的注入能量為200eV–2keV，

對于每根Fin來說，步驟R1還包括：

R11、使摻雜元素注入至該第一側(cè)壁中以及注入至該頂面中，

R12、使摻雜元素注入至該第二側(cè)壁中以及注入至該頂面中，

步驟R11中使摻雜元素注入至該第一側(cè)壁中以及注入至該頂面中直至該第一側(cè)壁中摻雜元素的劑量達(dá)到自飽和，和/或，步驟R12中使摻雜元素注入至該第二側(cè)壁中以及注入至該頂面中直至該第二側(cè)壁中摻雜元素的劑量達(dá)到自飽和，其中，自飽和為注入的摻雜元素和濺射出的摻雜元素相等的動(dòng)態(tài)平衡狀態(tài)，

或者，

對于每根Fin來說，步驟R1包括：

反復(fù)執(zhí)行步驟RP1和步驟RP2直至該第一側(cè)壁和該第二側(cè)壁中的摻雜元素的劑量達(dá)到自飽和，之后執(zhí)行步驟R2，

RP1、使摻雜元素注入至該第一側(cè)壁中以及注入至該頂面中；

RP2、使摻雜元素注入至該第二側(cè)壁中以及注入至該頂面中，

其中，自飽和為注入的摻雜元素和濺射出的摻雜元素相等的動(dòng)態(tài)平衡狀態(tài)。

5.如權(quán)利要求4所述的摻雜方法，其特征在于，摻雜元素的注入方向與該襯底的法線所呈夾角為2°-45°，和/或，

該摻雜元素為砷、磷或硼，該襯底元素為硅或鍺。