[發明專利]低電壓、高度精確的電流鏡

有效

• 申請號: 201580061940.4
• 申請日: 2015-10-23
• 公開（公告）號: CN107111329B
• 公開（公告）日: 2019-05-10
• 發明（設計）人: M·羅漢姆;戴亮
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: G05F3/26
• 分類號: G05F3/26;H03F3/347;H03F3/50
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張曦

1.一種電流鏡，包括：

第一對晶體管；

第二對晶體管，與所述第一對晶體管共源共柵；

切換網絡，耦合到所述第二對晶體管；

第三對晶體管，耦合到所述切換網絡，其中所述第一對晶體管與所述第二對晶體管之間的輸入節點被配置為接收用于所述電流鏡的輸入電流，并且其中所述第一對晶體管中的晶體管的端子被配置為匯集用于所述電流鏡的輸出電流，所述輸出電流與所述輸入電流成比例；以及

電流源，被配置為將偏置電流供應給所述第一對晶體管中的另一晶體管。

2.根據權利要求1所述的電流鏡，其中所述切換網絡被配置為周期性地交換所述第二對晶體管與所述第三對晶體管之間的連接。

3.根據權利要求1所述的電流鏡，其中所述切換網絡包括動態元件匹配(DEM)電路。

4.根據權利要求1所述的電流鏡，其中所述第一對晶體管中的所述另一晶體管的漏極耦合到所述電流源并且耦合到所述第三對晶體管的柵極。

5.根據權利要求1所述的電流鏡，其中所述偏置電流與所述輸入電流相比是可忽略的。

6.根據權利要求1所述的電流鏡，進一步包括源極跟隨器，所述源極跟隨器耦合至所述電流源并且耦合至所述第一對晶體管中的所述另一晶體管。

7.根據權利要求6所述的電流鏡，其中：

所述源極跟隨器包括第一晶體管和與所述第一晶體管共源共柵的第二晶體管；

所述第一晶體管的柵極耦合至所述電流源并且耦合至所述第一對晶體管中的所述另一晶體管的漏極；以及

所述第一晶體管的源極耦合至所述第二晶體管的漏極或所述第二晶體管的柵極中的至少一個。

8.根據權利要求7所述的電流鏡，其中所述源極跟隨器進一步包括下列中的至少一個：

第一電容器，連接在所述第一晶體管的所述柵極與所述第一晶體管的所述源極之間；或者

第二電容器，連接在所述第一晶體管的所述柵極與所述第一對晶體管中的所述另一晶體管的源極之間，其中所述第一對晶體管中的所述另一晶體管的所述源極耦合至所述輸入節點。

9.根據權利要求7所述的電流鏡，其中所述第二晶體管的所述柵極耦合至所述第三對晶體管的柵極。

10.根據權利要求1所述的電流鏡，其中所述第一對晶體管中的所述另一晶體管的源極耦合至所述輸入節點，并且其中所述第一對晶體管中的所述晶體管的漏極耦合至所述電流鏡的輸出節點。

11.根據權利要求1所述的電流鏡，其中所述電流源耦合至第一供電節點，并且其中所述第三對晶體管耦合至第二供電節點，所述第二供電節點具有比所述第一供電節點低的電壓。

12.根據權利要求1所述的電流鏡，其中所述電流鏡的所述輸入電流與所述電流鏡的所述輸出電流之間的比是15:1。

13.根據權利要求1所述的電流鏡，其中所述第二對晶體管中的晶體管將所述輸入節點與所述切換網絡分離。

14.根據權利要求1所述的電流鏡，其中所述輸入節點、所述第二對晶體管、所述切換網絡、以及所述第三對晶體管在低電壓域中操作，并且其中所述電流鏡的輸出節點和所述第一對晶體管在高電壓域中操作。

15.根據權利要求14所述的電流鏡，其中所述第二對晶體管被配置為減少所述低電壓域與所述高電壓域之間的電荷共享。