[發明專利]具有低的粘結劑含量及低的外表面積的由X沸石制備的沸石吸附劑、其制備方法及其用途

有效

• 申請號: 201580061488.1
• 申請日: 2015-11-13
• 公開（公告）號: CN107107026B
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發明（設計）人: L.布維爾;C.盧茨;C.拉羅什
• 申請（專利權）人: IFP新能源公司;阿科瑪法國公司
• 主分類號: B01J20/18
• 分類號: B01J20/18;B01J20/28;B01J20/30;C07C7/13;C07C29/76;C07C37/82
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 金擬粲

1.包含沸石基相及非沸石基相的吸附劑，所述吸附劑具有：

- 小于或等于30m²·g^-1的外表面積，

- 包括至少一種X型的FAU結構的沸石的沸石基相，

- 及如下的孔徑分布，其根據標準ASTM D 4284-83通過壓汞法測定及通過體積分布dV/dlogD_Hg表示，其中D_Hg為表觀孔徑及V為孔體積，其眾數在100nm與250nm之間，包含限值，

- 在0.15cm³·g^-1與0.5cm³·g^-1之間的包含于大孔及中孔中的總體積(大孔體積及中孔體積之和)，包含限值，根據標準ASTM D 4284-83通過壓汞法測量，

所述沸石為分級多孔的。

2.如權利要求1所述的吸附劑，其中所述外表面積小于或等于20m²·g^-1。

3.如權利要求1所述的吸附劑，其中該孔徑分布對應于單峰分布。

4.如權利要求1-3任一項所述的吸附劑，其由77K的溫度下的氮氣(N₂)吸附等溫線經由t-plot方法評估的微孔體積大于0.200cm³·g^-1。

5.如權利要求4所述的吸附劑，其由77K的溫度下的氮氣(N₂)吸附等溫線經由t-plot方法評估的微孔體積在0.205cm³·g^-1與0.300cm³·g^-1之間。

6.如權利要求4所述的吸附劑，其由77K的溫度下的氮氣(N₂)吸附等溫線經由t-plot方法評估的微孔體積在0.205cm³·g^-1與0.290cm³·g^-1之間。

7.如權利要求1-3任一項所述的吸附劑，其以相對于該吸附劑的總重量的在2重量%與8重量%之間的含量包含非沸石基相。

8.如權利要求1-3任一項所述的吸附劑，其包含鋇或鋇及鉀。

9.如權利要求1-3任一項所述的吸附劑，其具有在0.2與1之間的(大孔體積)/(大孔體積+中孔體積)的比率，包含限值。

10.如權利要求1-3任一項所述的吸附劑，其具有在1.00與1.50之間的Si/Al原子比，包含限值。

11.制備如權利要求1至10任一項所述的吸附劑的方法，其包括至少以下步驟：

a)用粘結劑與容許附聚材料成形的量的水使具有通過氮氣吸附測量的大于20m²·g^-1的外表面積的至少一種FAU沸石的晶體附聚，隨后將附聚物干燥并煅燒；

b)通過將步驟a)中獲得的附聚物與堿性水溶液接觸使全部或部分粘結劑沸石化，任選地在至少一種結構化劑的存在下；

c)任選地除去任選地存在的結構化劑；

d)通過將步驟b)或c)中的附聚物與鋇離子溶液或鋇離子及鉀離子的溶液接觸進行陽離子交換；

e)任選地通過將步驟d)的附聚物與鉀離子的溶液接觸進行額外的陽離子交換；

f)將步驟d)或e)中獲得的附聚物洗滌并干燥，在50℃與150℃之間的溫度下；及

g)在100℃與400℃之間的溫度下，通過將步驟f)中獲得的附聚物在氧化和/或惰性氣體流下活化而產生沸石基吸附劑。