[發(fā)明專利]具有硫醇-烯烴基體的量子點(diǎn)制品有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580061101.2 | 申請(qǐng)日: | 2015-11-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107109209B | 公開(公告)日: | 2020-11-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 裘再明;J·M·皮珀;E·W·納爾遜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 3M創(chuàng)新有限公司 |
| 主分類號(hào): | C09K11/02 | 分類號(hào): | C09K11/02 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 陳長(zhǎng)會(huì);徐志明 |
| 地址: | 美國(guó)明*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 硫醇 烯烴 基體 量子 制品 | ||
1.一種量子點(diǎn)膜制品,所述量子點(diǎn)膜制品包括:
第一阻擋層;
第二阻擋層;以及
位于所述第一阻擋層與所述第二阻擋層之間的量子點(diǎn)層,所述量子點(diǎn)層包括經(jīng)有機(jī)配體穩(wěn)定并且分散在胺官能有機(jī)硅載液中的CdSe/ZnS量子點(diǎn),所述穩(wěn)定的量子點(diǎn)分散在包括Tg20℃的經(jīng)固化的硫醇-烯烴樹脂的基體中;其中所述基體在85℃下500小時(shí)后具有小于0.5mm的濕氣和氧氣侵入。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)膜制品,其中所述官能化有機(jī)硅包含60重量%的所述穩(wěn)定的量子點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)膜制品,其中所述官能化有機(jī)硅和所述經(jīng)固化的硫醇-烯烴基體的折射率的差值≥0.05。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)膜制品,其中所述配體具有下式:
R8-(X)p IV
其中
R8為具有C2至C30碳原子的烴基基團(tuán)或雜烴基基團(tuán);
p為至少1;
X為供電子基團(tuán)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)膜制品,其中所述硫醇-烯烴衍生自至少一種多硫醇和至少一種聚烯烴,其中兩者中的至少一者具有2的官能度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的量子點(diǎn)膜制品,其中所述聚烯烴具有下式:
其中
R1為多價(jià)烴基基團(tuán)或雜烴基基團(tuán),
R10和R11中的每個(gè)獨(dú)立地為H或C1-C4烷基;
并且x≥2。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的量子點(diǎn)膜制品,其中所述聚烯烴為聚乙烯醚。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的量子點(diǎn)膜制品,其中R1為環(huán)狀脂族基團(tuán),任選地包含由酯、酰胺、醚、硫醚、氨基甲酸酯、脲官能團(tuán)組成的一個(gè)或多個(gè),并且x≥2。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的量子點(diǎn)膜制品,其中R1為脂族或芳族基團(tuán),任選地包含由酯、酰胺、醚、氨基甲酸酯、硫醚、脲官能團(tuán)組成的一個(gè)或多個(gè),并且x≥2。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的量子點(diǎn)膜制品,其中所述多硫醇具有下式:
R2(SH)y,其中R2為y價(jià)的烴基基團(tuán)或雜烴基基團(tuán),并且y≥2。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的量子點(diǎn)膜制品,其中R2為脂族或芳族基團(tuán),任選地包含由酯、酰胺、醚、氨基甲酸酯、硫醚和脲官能團(tuán)組成的一個(gè)或多個(gè),并且y≥2。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的量子點(diǎn)膜制品,其中R2為脂族部分、脂環(huán)族部分、芳族部分或烷基取代的芳族部分,其具有1至30個(gè)碳原子和任選1至4個(gè)氧、氮或硫的鏈中雜原子。
13.根據(jù)權(quán)利要求5所述的量子點(diǎn)膜制品,其中所述多硫醇是通過多元醇與末端硫醇取代的羧酸的酯化作用獲得的。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)膜制品,其中所述硫醇-烯烴不具有(甲基)丙烯酸酯或炔基基團(tuán)。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)膜制品,還包括設(shè)置在所述阻擋層和所述量子點(diǎn)層之間的底漆層。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)膜制品,還不包括設(shè)置在所述阻擋層和所述量子點(diǎn)層之間的底漆層。
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