[發明專利]具有優化的混合漏極接觸的場效應晶體管及其制造方法

在審

• 申請號: 201580060895.0
• 申請日: 2015-09-30
• 公開（公告）號: CN107078153A
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發明（設計）人: S·德拉熱;B·卡內茲;R·奧布里;O·雅德爾;N·米歇爾;M·瓦利
• 申請（專利權）人: 泰勒斯公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/778;H01L29/812
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司11314
• 代理人: 程偉,王錦陽

1.一種包括襯底和具有溝道區域的半導體結構的場效應晶體管，所述晶體管包括漏極接觸、源極接觸和柵極，所述源極接觸和漏極接觸能夠在溝道區域中形成電荷載流子流，所述流受到所述柵極控制，其特征在于：

-所述漏極接觸是包括至少一個基本歐姆連續漏極接觸(C_{D oh})和一個基本肖特基漏極接觸(C_{D sch})的混合漏極接觸，所述混合漏極接觸與所述半導體結構齊平；

-所述基本肖特基漏極接觸(C_{D sch})部分或完全重疊所述基本歐姆漏極接觸(C_{D oh})。

2.根據權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于，源極接觸是包括至少一個基本歐姆源極接觸(C_{S oh})和一個基本肖特基源極接觸(C_{S sch})混合接觸。

3.根據權利要求1或2所述的場效應晶體管，其特征在于，所述基本肖特基漏極接觸(C_{D sch})和/或基本肖特基源極接觸(C_{S sch})與基本歐姆漏極接觸(C_{D oh})和/或基本歐姆源極接觸(C_{S oh})部分地重疊。

4.根據權利要求1或3所述的場效應晶體管，其特征在于，所述柵極包括肖特基類型的接觸：金屬/導體。

5.根據權利要求1至4中的任一項所述的場效應晶體管，其特征在于，所述柵極具有復雜形式，包括：

-所謂的底部部分，其被稱為柵極腳，其與包括溝道區域的半導體結構相接觸，并具有第一截面；

-第二所謂的頂部部分，其被稱為柵極帽，其與所述底部部分相接觸，并具有第二截面；

-所述第一截面小于所述第二截面。

6.根據權利要求1至5中的任一項所述的場效應晶體管，其特征在于，半導體結構包括成組的III-V材料的層，所述III-V材料中的至少兩種材料展現出不同的禁帶，最大的禁帶用于限制最小的禁帶中的自由載流子。

7.根據權利要求1至6中的任一項所述的場效應晶體管，其特征在于，其包括覆蓋源極接觸和/或漏極接觸和/或柵極的電介質層。

8.根據權利要求7所述的場效應晶體管，其特征在于，其包括在所述柵極的水平位于所述電介質上的金屬場板。

9.一種包括成組的場效應晶體管的元件，其包括多個根據權利要求1至8中的任一項所述的晶體管的子集：

-晶體管(STi)的子集的特征為：對于所述子集的晶體管中的每個，柵極和混合漏極接觸之間的寬度(Li_G-D)以及所述柵極和所述混合漏極接觸的基本歐姆接觸之間的寬度(Li _{G-CD oh})；

-從一個子集到另一個子集，所述柵極和混合漏極接觸之間的寬度(Li_G-D)是不同的；

-從一個子集到另一個子集，所述柵極和所述混合漏極接觸的基本歐姆接觸之間的寬度(Li_{G-CD oh})是相同的。

10.一種用于制造根據權利要求1至8中的任一項所述的場效應晶體管的至少一個的方法，其特征在于，其包括以下步驟：

-在半導體結構的表面上制造至少一個基本歐姆源極接觸(C_{S oh})和一個基本歐姆連續漏極接觸(C_{D oh})；

-制造柵極；

-制造至少一個基本肖特基漏極接觸(C_{D sch})，從而制造包括至少一個基本歐姆接觸(C_{D oh})和一個基本肖特基接觸(C_{D sch})的混合漏極接觸。

11.根據權利要求10所述的用于制造場效應晶體管的方法，其特征在于，其包括制造基本肖特基源極接觸(C_{S sch})，從而制造包括至少一個基本歐姆接觸(C_{S oh})和一個基本肖特基接觸(C_{S sch})的混合源極接觸。

12.根據權利要求11所述的用于制造場效應晶體管的方法，其特征在于，通過分別與相關的所述基本歐姆漏極接觸和/或源極接觸部分重疊而進行基本肖特基漏極接觸和/或源極接觸的制造。