[發明專利]雙模式離子遷移譜儀在審
| 申請號: | 201580060875.3 | 申請日: | 2015-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN107076704A | 公開(公告)日: | 2017-08-18 |
| 發明(設計)人: | W·A·芒羅 | 申請(專利權)人: | 史密斯探測-沃特福特有限公司 |
| 主分類號: | G01N27/62 | 分類號: | G01N27/62 |
| 代理公司: | 北京潤平知識產權代理有限公司11283 | 代理人: | 金旭鵬,肖冰濱 |
| 地址: | 英國赫*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 雙模 離子 遷移 | ||
1.一種離子遷移譜儀,該離子遷移譜儀包括:
第一離子源,用于提供將被分析的正離子,被布置成提供電場的電場施加器,該電場被配置成按照第一方向向適用于檢測所述正離子的第一離子檢測器移動所述正離子,以及
第二離子源,用于提供將被分析的負離子,其中所述電場施加器被布置成以不同于所述第一方向的第二方向向所述第一離子源并向適用于檢測所述負離子的第二離子檢測器移動所述負離子。
2.根據權利要求1所述的離子遷移譜儀,其中所述第一離子源包括第一離子發生器,該第一離子發生器被配置成通過將離子化能量施加至氣態流體來提供離子,且所述離子遷移譜儀包括控制器,該控制器被配置成基于所述第一離子發生器的操作的定時來選擇所述第二檢測器的操作的定時。
3.根據前述權利要求中任一者所述的離子遷移譜儀,其中所述第二離子源包括第二離子發生器,該第二離子發生器被配置成通過將離子化能量施加至氣態流體來提供離子,且所述離子遷移譜儀包括控制器,該控制器被配置成基于所述第二離子發生器的操作的定時來選擇所述第一檢測器的操作的定時。
4.根據前述權利要求中任一者所述的離子遷移譜儀,該離子遷移譜儀包括第一離子門和第二離子門,所述第一離子門被布置成控制離子從所述第一離子源通向所述第一檢測器,以及所述第二離子門被布置成控制離子從所述第二離子源向所述第二檢測器的流動。
5.根據權利要求4所述的離子遷移譜儀,其中所述第二檢測器被耦合以檢測到達所述第一離子門的離子。
6.根據權利要求5所述的離子遷移譜儀,其中所述第一離子門可操作于門控模式以控制離子從所述第一離子源通向所述第一檢測器,以及所述第一離子門可操作于離子檢測模式以收集將被檢測的離子。
7.根據權利要求1至4中任一者所述的離子遷移譜儀,其中所述第一離子源包括第一排斥極,該第一排斥極可操作用于將正離子向著所述第一檢測器移動,并且進一步可操作用于檢測負離子的到達。
8.根據權利要求7所述的離子遷移譜儀,其中所述第二檢測器包括所述第一排斥極。
9.根據權利要求7或8所述的離子遷移譜儀,該離子遷移譜儀包括第一屏蔽電極,該第一屏蔽電極被布置成抑制從所述第二離子源行進的離子在到達所述第一排斥極之前從所述第一排斥極感應電流。
10.根據前述權利要求中的任一者所述的離子遷移譜儀,其中所述第一離子源和所述第二離子源通過漂移區域彼此分離。
11.根據權利要求10所述的離子遷移譜儀,其中所述電場施加器被布置成以提供電壓分布,該電壓分布關于所述漂移室的中點對稱。
12.根據權利要求11所述的離子遷移譜儀,其中在所述漂移室的中點處的電壓分布是基于參考電壓的。
13.根據權利要求10、11或12所述的離子遷移譜儀,該離子遷移譜儀包括所述漂移區域中的漂移氣體入口,該漂移氣體入口被布置成提供向所述第一離子源和向所述第二離子源的漂移氣體流。
14.根據權利要求13所述的離子遷移譜儀,該離子遷移譜儀包括第一漂移氣體出口,該第一漂移氣體出口被布置成使得漂移氣體從所述漂移氣體入口流至所述第一離子源并流出所述第一漂移氣體出口。
15.根據權利要求13或14所述的離子遷移譜儀,該離子遷移譜儀包括第二漂移氣體出口,該第二漂移氣體出口被布置成使得漂移氣體從所述漂移氣體入口流至所述第二離子源并流出所述第二漂移氣體出口。
16.根據前述權利要求中任一者所述的離子遷移譜儀,該離子遷移譜儀包括布置成提供氣態流體流通過第一入口和第二入口的流通道,該第一入口被布置成將來自所述流的將被離子化的樣本提供至所述第一離子源,該第二入口被布置成將來自所述流的將被離子化的樣本提供至所述第二離子源。
17.根據權利要求16所述的離子遷移譜儀,其中所述第一入口和所述第二入口包括孔和膜中的一者。
18.根據前述權利要求中的任一者所述的離子遷移譜儀,該離子遷移譜儀包括控制器,該控制器被配置成基于來自所述第一離子源和所述第二離子源中一者的離子釋放的定時來控制來自所述第一離子源和所述第二離子源中相應的另一者的離子釋放。
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