[發明專利]半導體晶圓的支撐方法及其支撐裝置有效
| 申請號: | 201580060866.4 | 申請日: | 2015-08-26 |
| 公開(公告)號: | CN107112215B | 公開(公告)日: | 2020-04-10 |
| 發明(設計)人: | 中山孝;松山博行;蛇川順博 | 申請(專利權)人: | 勝高股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/26 | 分類號: | H01L21/26;H01L21/683 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;姜甜 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 支撐 方法 及其 裝置 | ||
1.一種半導體晶圓的支撐方法,對于通過利用加熱燈的快速升降溫熱處理裝置來熱處理的半導體晶圓,利用固定在底盤的至少3條支撐銷在所述底盤的上方在所述晶圓的下表面水平地進行支撐,其特征在于,
所述支撐銷整體地形成有:具有與所述半導體晶圓的下表面接觸的接觸部的前端部、固定在所述底盤的基部、以及從所述前端部到所述基部為止的筒狀部,
所述前端部形成為尖端比所述筒狀部細,
以所述筒狀部及所述基部不與從所述接觸部向所述底盤側垂下的垂直線接觸的方式傾斜地配置所述支撐銷。
2.如權利要求1所述的支撐方法,其中,在所述底盤的上表面形成有凹部,所述基部插入所述凹部而固定于所述底盤。
3.如權利要求2所述的支撐方法,其中,所述基部插入所述凹部并利用焊接直接固定在所述底盤。
4.如權利要求1所述的支撐方法,其中,在所述底盤的上表面固接有保持所述基部或所述基部和所述筒狀部的銷支架,且所述銷支架以不與從所述接觸部向所述底盤側垂下的垂直線接觸的方式配置。
5.如權利要求1所述的支撐方法,其中,在所述底盤形成有使所述基部或所述基部能夠貫通的貫通孔,在所述底盤的下表面固接有保持貫通所述貫通孔的所述基部或所述基部和所述筒狀部的銷支架,且所述銷支架以不與從所述接觸部向所述底盤側垂下的垂直線接觸的方式配置。
6.如權利要求1至5任一項所述的支撐方法,其中,所述支撐銷的材質為石英或SiC,所述底盤的材質為石英。
7.如權利要求1至6任一項所述的支撐方法,其中,所述支撐銷以所述前端部比所述基部更靠所述底盤的外側的方式傾斜地配置。
8.如權利要求1至6任一項所述的支撐方法,其中,所述支撐銷以所述前端部比所述基部更靠所述底盤的內側的方式傾斜地配置。
9.一種半導體晶圓的支撐裝置,水平地支撐通過利用加熱燈的快速升降溫熱處理裝置進行熱處理的半導體晶圓,其特征在于,具有至少3條支撐銷和用于固定所述支撐銷的底盤,所述支撐銷整體地形成有:具有與所述半導體晶圓的下表面接觸的接觸部的前端部、固定在所述底盤的基部、以及從所述前端部到所述基部為止的筒狀部,所述前端部形成為尖端比所述筒狀部細,以所述筒狀部及所述基部不與從所述接觸部向所述底盤側垂下的垂直線接觸的方式傾斜地配置所述支撐銷。
10.如權利要求9所述的支撐裝置,其中,在所述底盤的上表面形成有凹部,所述基部插入所述凹部而固定于所述底盤。
11.如權利要求10所述的支撐裝置,其中,所述基部插入所述凹部并利用焊接直接固定在所述底盤。
12.如權利要求9所述的支撐裝置,其中,在所述底盤的上表面固接有保持所述基部或所述基部和所述筒狀部的銷支架,且所述銷支架以不與從所述接觸部向所述底盤側垂下的垂直線接觸的方式配置。
13.如權利要求9所述的支撐裝置,其中,在所述底盤形成有使所述基部或所述基部能夠貫通的貫通孔,在所述底盤的下表面固接有保持貫通所述貫通孔的所述基部或所述基部和所述筒狀部的銷支架,且所述銷支架以不與從所述接觸部向所述底盤側垂下的垂直線接觸的方式配置。
14.如權利要求9至13任一項所述的支撐裝置,其中,所述支撐銷的材質為石英或SiC,所述底盤的材質為石英。
15.如權利要求9至14任一項所述的支撐裝置,其中,所述支撐銷以所述前端部比所述基部更靠所述底盤的外側的方式傾斜地配置。
16.如權利要求9至14任一項所述的支撐裝置,其中,所述支撐銷以所述前端部比所述基部更靠所述底盤的內側的方式傾斜地配置。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于勝高股份有限公司,未經勝高股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201580060866.4/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:在低溫下生長薄外延膜的方法
- 下一篇:硅化合物用蝕刻氣體組合物及蝕刻方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





