[發明專利]高電壓重置MEMS麥克風網絡和檢測其缺陷的方法有效
| 申請號: | 201580060812.8 | 申請日: | 2015-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN107079224B | 公開(公告)日: | 2020-01-21 |
| 發明(設計)人: | M.澤萊茲尼克 | 申請(專利權)人: | 羅伯特·博世有限公司 |
| 主分類號: | H04R19/00 | 分類號: | H04R19/00 |
| 代理公司: | 72001 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 畢錚;杜荔南 |
| 地址: | 德國斯*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電壓 重置 mems 麥克風 網絡 檢測 缺陷 方法 | ||
1.一種檢測MEMS麥克風傳感器接口電路的高阻抗網絡中的缺陷的方法,所述方法包括:
向高電壓高阻抗網絡添加高電壓重置開關;
在MEMS麥克風傳感器接口電路的啟動階段期間閉合高電壓重置開關;
在啟動階段期間閉合低電壓高阻抗網絡的低電壓重置開關;
在啟動階段的結尾處使高電壓重置開關和低電壓重置開關同時開路;以及
在使高電壓重置開關和低電壓重置開關開路之后立即檢測高電壓高阻抗網絡或低電壓高阻抗網絡中的缺陷。
2.如權利要求1所述的方法,其中缺陷是MEMS麥克風傳感器接口電路的偏置節點與地之間的漏電流。
3.如權利要求1所述的方法,其中缺陷是MEMS麥克風傳感器接口電路的偏置節點與MEMS麥克風傳感器接口電路的感測節點之間的漏電流。
4.如權利要求1所述的方法,其中缺陷由顆粒、表面污染或體塊材料缺陷導致。
5.如權利要求1所述的方法,其中缺陷是通過高電壓高阻抗網絡或低電壓高阻抗網絡的反并聯二極管的一個或多個二極管的漏電流。
6.一種高電壓重置MEMS麥克風傳感器接口電路,所述電路包括:
電荷泵;
低電壓高阻抗網絡,其耦合到直流電位和感測節點,低電壓高阻抗網絡包括一組反并聯二極管和低電壓重置開關;
高電壓高阻抗網絡,其耦合到電荷泵和偏置節點,高電壓高阻抗網絡包括一組反并聯二極管和高電壓重置開關;
感測電容器,其耦合在感測節點與偏置節點之間;
高阻抗放大器,其耦合到感測節點;以及
輸出電容器,其耦合在偏置節點與地之間;
其中低電壓重置開關和高電壓重置開關在MEMS麥克風傳感器接口電路的啟動階段期間閉合并且在啟動階段的結尾處同時開路。
7.如權利要求6所述的高電壓重置MEMS麥克風傳感器接口電路,其中在低電壓重置開關和高電壓重置開關開路之后立即檢測低電壓高阻抗網絡或高電壓高阻抗網絡中的缺陷。
8.如權利要求7所述的高電壓重置MEMS麥克風傳感器接口電路,其中缺陷是MEMS麥克風傳感器接口電路的偏置節點與地之間的漏電流。
9.如權利要求7所述的高電壓重置MEMS麥克風傳感器接口電路,其中缺陷是MEMS麥克風傳感器接口電路的偏置節點與MEMS麥克風傳感器接口電路的感測節點之間的漏電流。
10.如權利要求7所述的高電壓重置MEMS麥克風傳感器接口電路,其中缺陷由顆粒、表面污染或體塊材料缺陷導致。
11.如權利要求7所述的高電壓重置MEMS麥克風傳感器接口電路,其中缺陷是通過高電壓高阻抗網絡或低電壓高阻抗網絡的反并聯二極管的一個或多個二極管的漏電流。
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