[發明專利]基板處理裝置以及基板處理方法

在審

• 申請號: 201580060810.9
• 申請日: 2015-12-17
• 公開（公告）號: CN107004581A
• 公開（公告）日: 2017-08-01
• 發明（設計）人: 藤倉序章;今野泰一郎;野中岳宏;沼田隆之
• 申請（專利權）人: 住友化學株式會社
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;C23C16/44;C30B25/12
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 齊秀鳳

技術領域

本發明涉及基板處理裝置以及基板處理方法。

背景技術

以前，提出了一種基板處理裝置，其具備：處理室，對基板進行處理；基板支承部，在處理室內對基板進行支承；以及處理氣體供給部，設置在處理室內，對處理室內的基板供給通過使金屬原料和反應氣體反應而生成的處理氣體(例如，參照專利文獻1)。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2013-58741號公報

發明內容

發明要解決的課題

然而，在上述的基板處理裝置中，有時即使在停止從處理氣體供給部對處理室內供給處理氣體之后，殘留在處理氣體供給部等的處理氣體仍會噴射到處理室內的基板。即，有時在停止從處理氣體供給部對處理室內供給處理氣體之后，會進行并未打算進行的基板的處理。

本發明的目的在于，解決上述課題，提供一種抑制在結束了給定的基板的處理之后進行并未打算進行的基板的處理的技術。

用于解決課題的技術方案

根據本發明的一個方式，提供一種基板處理裝置，具備：

處理室，對基板進行處理；

基板支承部，在所述處理室內對所述基板進行支承；

處理氣體供給部，對所述處理室內供給；以及

移動機構，在所述處理室內使所述基板支承部在第一位置與第二位置之間移動，所述第一位置被噴射從所述處理氣體供給部供給的處理氣體，所述第二位置不被噴射從所述處理氣體供給部供給的處理氣體。

根據本發明的另一個方式，提供一種基板處理方法，其具有在處理室內對基板進行處理的工序，

在處理所述基板的工序中，

對處于被噴射從處理氣體供給部供給到處理室內的處理氣體的第一位置的所述基板，從所述處理氣體供給部噴射處理氣體，從而進行基板的處理，

通過所述移動機構使支承所述基板的所述基板支承部移動到不被噴射從所述處理氣體供給部供給到所述處理室內的處理氣體的第二位置，從而結束處理。

發明效果

根據本發明，能夠提供一種抑制在結束了給定的基板的處理之后進行并未打算進行的基板的處理的技術。

附圖說明

圖1是本發明的一個實施方式涉及的基板處理裝置的縱截面概略圖。

圖2是示出距使用本發明的一個實施例涉及的基板處理裝置進行成膜的GaN膜的表面的距離與作為雜質的Si濃度的關系的曲線圖。

具體實施方式

(發明人等得到的見解)

在說明本發明的實施方式之前，對本發明人等得到的見解進行說明。作為基板處理裝置，例如有具備處理氣體生成器的基板處理裝置，該處理氣體生成器通過使在高溫環境下金屬原料進行熔融而生成的液體原料與反應氣體進行反應，從而生成進行基板的處理的處理氣體。在該基板處理裝置中，一邊在處理氣體生成器內生成處理氣體，一邊從處理氣體生成器對處理室內供給處理氣體，并對處理室內的基板噴射處理氣體，從而進行基板的處理。

然而，在這樣的基板處理裝置中，即使在給定的基板的處理結束(例如，經過了給定的基板處理時間)并停止了向處理氣體生成器內供給反應氣體的情況下，在處理氣體生成器內也會殘留有反應氣體。通過將向處理氣體生成器內供給的氣體從反應氣體(包含的氣體包含反應氣體)切換為不包含反應氣體的氣體(氫氣(H₂)、氮氣(N₂)或者混合了它們的氣體等凈化氣體)，從而結束一般的基板的處理，但是在切換該氣體的時間點，會在處理氣體生成器內殘留有反應氣體。因此，即使在停止了向處理氣體生成器內供給反應氣體之后，有時也會由于殘留在處理氣體生成器內的反應氣體而在處理氣體生成器內繼續生成處理氣體，并對處理室內繼續供給處理氣體。其結果是，有時在打算結束處理的時間點之后，仍會對處理室內的基板繼續噴射處理氣體，從而對已處理的基板進行并未打算進行的基板處理。

此外，通常在停止了向處理氣體生成器內供給反應氣體之后，會繼續向處理氣體生成器供給不包含反應氣體的氣體，因此在處理氣體生成器內生成的處理氣體的濃度會漸漸降低。即，在停止了向處理氣體生成器內供給反應氣體之后，有時對處理室內供給的處理氣體的供給條件會變化。

如果在給定的基板處理結束后對已處理的基板進行并未打算進行的基板處理，則有時基板的表面的組成、品質會變化。例如，由于進行并未打算進行的基板處理，所以有時會在已處理的基板上形成膜的厚度方向上的組成、膜的厚度等不固定的過渡層。