[發明專利]用于集成電壓調節器的嵌入式薄膜磁載體

有效

• 申請號: 201580060565.1
• 申請日: 2015-11-05
• 公開（公告）號: CN107077950B
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 梅特·埃蒂爾克;拉溫德拉·瓦曼·謝諾伊;賴關余;日塔伊·基姆;唐納德·威廉·小基德韋爾;喬恩·布拉德利·拉斯特;詹姆斯·托馬斯·多伊爾;奧馬爾·詹姆斯·貝希爾
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01F17/00
• 分類號: H01F17/00;H01F41/04
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勛

1.一種電感器，其包括：

第一襯底，其形成于第二封裝襯底內；

第一磁件，其連接到所述第一襯底的第一側；

第三磁件，其連接到所述第一襯底的第二側，所述第二側與所述第一側相對；和

導體，其形成于所述第二封裝襯底內或所述第二封裝襯底上中的至少一個，具有輸入和輸出，并且經配置以環繞所述第一襯底，但不與所述第一襯底接觸并且不與所述第一磁件或所述第三磁件接觸，其中所述導體的至少一個第一部分形成于所述第二封裝襯底的至少一個通孔中。

2.根據權利要求1所述的電感器，其中所述第一襯底由包括玻璃的材料制成。

3.根據權利要求1所述的電感器，其中所述第一襯底由介電材料制成。

4.根據權利要求1所述的電感器，其中所述第一襯底由有機材料制成。

5.根據權利要求1所述的電感器，其中所述第一襯底由第一材料制成并且所述第二封裝襯底由第二材料制成，所述第二材料不同于所述第一材料。

6.根據權利要求1所述的電感器，其中所述第一襯底由具有小于或等于100埃的均方根輪廓粗糙度參數的材料制成。

7.根據權利要求1所述的電感器，其中所述第一磁件由包括鈷鉭鋯、鈷鐵或鎳鐵合金中的至少一者的材料制成。

8.根據權利要求1所述的電感器，其進一步包括：

介電件，其連接到所述第一磁件；和

第二磁件，其連接到所述介電件。

9.根據權利要求1所述的電感器，其中所述導體的至少一個第二部分形成為至少一個傳導墊，所述至少一個傳導墊形成于所述第二封裝襯底的第一層與所述第二封裝襯底的第二層的結合部處。

10.根據權利要求9所述的電感器，其中所述導體的至少一個第三部分形成為所述第二封裝襯底內或所述第二封裝襯底上中的至少一者的至少一個互連件。

11.一種半導體裝置，其包括：

電感器，其具有在第一磁件和第三磁件之間的第一襯底，以及導體，所述第一磁件連接到所述第一襯底的第一表面，所述第三磁件連接到所述第一襯底的第二表面，所述第二表面與所述第一表面相對，所述導體經配置以環繞所述第一襯底但不與所述第一襯底接觸并且不與所述第一磁件或所述第三磁件接觸，其中所述導體的至少一個第一部分形成于第二封裝襯底的至少一個通孔中，所述電感器嵌入于所述第二封裝襯底中；和

集成電路，其形成為具有電壓調節器和電路，所述集成電路連接到所述第二封裝襯底，所述電路經配置以從所述電壓調節器接收電壓，所述電壓調節器連接到所述電感器。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中所述第一襯底由包括以下各項的材料中的至少一者制成：玻璃、介電材料、有機材料、或具有小于或等于100埃的均方根輪廓粗糙度參數的材料。

13.根據權利要求11所述的半導體裝置，其進一步包括嵌入于所述第二封裝襯底中并且連接到所述電壓調節器的電容器。

14.根據權利要求11所述的半導體裝置，其進一步包括連接到所述第二封裝襯底并且連接到所述電壓調節器的電容器。

15.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中所述第二封裝襯底經配置以連接到印刷電路板。