[發(fā)明專利]波導極化旋轉器及其構造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580060515.3 | 申請日: | 2015-11-03 |
| 公開(公告)號: | CN107003533B | 公開(公告)日: | 2019-08-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 帕特瑞克·杜麥思 | 申請(專利權)人: | 華為技術有限公司 |
| 主分類號: | G02B27/28 | 分類號: | G02B27/28;G02B6/126 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬爽;臧建明 |
| 地址: | 518129 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光波導 覆蓋帶 極化 極化旋轉器 橫向偏移 第一端 可操作 輸出端 輸出光 輸入端 波導 輸入光信號 第一偏移 接收輸入 偏移距離 非正交 正交 輸出 | ||
1.一種波導極化旋轉器,包括:
光波導,具有相對地設置在所述光波導上的輸入端和輸出端,所述光波導可操作用于:
在所述輸入端接收輸入光信號,所述輸入光信號具備具有輸入極化的模式,以及
在所述輸出端生成輸出光信號,所述輸出光信號具有正交于所述輸入極化的輸出極化;和
覆蓋帶,設置在所述光波導上并且與所述光波導非正交地交叉,并且具有第一端和第二端,所述第一端從所述光波導橫向偏移第一偏移距離,所述第二端從所述光波導橫向偏移第二偏移距離,
其中所述光波導的基本模式等于所述波導極化旋轉器在所述覆蓋帶的所述第一端和所述第二端的基本模式。
2.如權利要求1所述的波導極化旋轉器,其中所述覆蓋帶包括多晶硅。
3.如權利要求1所述的波導極化旋轉器,其中所述光波導具有波導寬度,并且所述覆蓋帶具有不大于所述波導寬度的覆蓋寬度。
4.如權利要求1所述的波導極化旋轉器,還包括設置在所述光波導和所述覆蓋帶之間的包層。
5.如權利要求1所述的波導極化旋轉器,其中所述光波導包括硅納米線波導。
6.如權利要求1所述的波導極化旋轉器,其中所述覆蓋帶以大于零度且小于90度的角度與所述光波導交叉。
7.如權利要求1所述的波導極化旋轉器,其中所述輸入光信號的模式的主軸平行于所述波導極化旋轉器的基片平面。
8.一種構造波導極化旋轉器的方法,包括:
形成光波導,所述光波導具有在其上相對設置的輸入端和輸出端;
在所述光波導上方形成包層;
套準覆蓋帶,所述覆蓋帶具有在其上相對設置的第一端和第二端,其中:
所述第一端從所述光波導橫向偏移第一偏移距離,并且所述第二端從所述光波導橫向偏移第二偏移距離,以及
所述第一端和所述第二端相對地設置在所述光波導的兩側上;和
根據(jù)所述套準在所述包層上形成所述覆蓋帶,
其中所述光波導的基本模式等于所述波導極化旋轉器在所述覆蓋帶的所述第一端和所述第二端的基本模式。
9.如權利要求8所述的方法,其中所述形成所述光波導包括在絕緣基片上形成硅。
10.如權利要求8所述的方法,其中所述形成所述包層包括在所述光波導周圍形成二氧化硅。
11.如根據(jù)權利要求8所述的方法,其中所述形成所述覆蓋帶包括在所述包層上形成多晶硅。
12.如權利要求8所述的方法,其中所述第一偏移距離包括容差部分,所述容差部分根據(jù)所述形成所述光波導和所述形成所述覆蓋帶的加工容差而確定。
13.如權利要求8所述的方法,其中所述形成所述覆蓋帶包括:
形成第一絕熱旋轉區(qū)域,在其中所述覆蓋帶在最靠近所述覆蓋帶的所述第一端處開始與所述光波導交叉;和
形成第二絕熱旋轉區(qū)域,在其中所述覆蓋帶在最靠近所述覆蓋帶的所述第二端處開始與所述光波導交叉。
14.如權利要求13所述的方法,其中所述第一絕熱旋轉區(qū)域可操作用于將模式的極化相對于所述光波導的基片平面旋轉至少30度。
15.如權利要求14所述的方法,其中所述模式是橫磁TM模式。
16.如權利要求8所述的方法,其中所述形成所述覆蓋帶包括形成具有覆蓋寬度和覆蓋長度的多晶硅層,所述覆蓋寬度不大于所述光波導的波導寬度,所述覆蓋長度至少足夠長以滿足所述第一偏移距離和所述第二偏移距離。
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