[發(fā)明專(zhuān)利]電壓補(bǔ)償?shù)拈_(kāi)關(guān)堆疊

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580060317.7
• 申請(qǐng)日: 2015-09-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107078737B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: H.富;A.馬登;G.A.布林;F.阿爾圖恩基利克
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 天工方案公司
• 主分類(lèi)號(hào): H03K17/693
• 分類(lèi)號(hào): H03K17/693;H01L23/64;H04W88/02;H01L27/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 于小寧

1.一種射頻開(kāi)關(guān)裝置，包括：

地平面；

與所述地平面相關(guān)地布置的堆疊，所述堆疊包含多個(gè)彼此串聯(lián)耦合的開(kāi)關(guān)元件；以及

多個(gè)電容元件，每個(gè)電容元件具有相應(yīng)的電容值并且每個(gè)相應(yīng)的電容元件提供跨相應(yīng)的開(kāi)關(guān)元件的相應(yīng)端子的相應(yīng)的電容路徑，并且所述多個(gè)電容元件的每個(gè)相應(yīng)的電容值跨所述堆疊單調(diào)增加或者減少。

2.如權(quán)利要求1所述的射頻開(kāi)關(guān)裝置，其中，所述多個(gè)開(kāi)關(guān)元件包含場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，至少一些所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管的每一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極與一個(gè)或者多個(gè)相鄰的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極耦合。

3.如權(quán)利要求1所述的射頻開(kāi)關(guān)裝置，其中，所述多個(gè)開(kāi)關(guān)元件包含場(chǎng)效應(yīng)晶體管、雙極結(jié)型晶體管、GaAs晶體管、二極管以及微機(jī)電器件中的至少一個(gè)。

4.如權(quán)利要求1所述的射頻開(kāi)關(guān)裝置，其中，所述地平面包括至少部分半導(dǎo)體基底。

5.如權(quán)利要求1所述的射頻開(kāi)關(guān)裝置，其中，所述多個(gè)電容元件中的至少一些利用半導(dǎo)體制造工藝中可用的附加的通孔和金屬來(lái)形成。

6.如權(quán)利要求1所述的射頻開(kāi)關(guān)裝置，其中，所述多個(gè)電容元件中的至少一些中的每一個(gè)電容元件在對(duì)應(yīng)的被用作開(kāi)關(guān)元件的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極與源極之間提供相應(yīng)的側(cè)向電容。

7.一種射頻開(kāi)關(guān)模塊，包括：

封裝基底，被配置為容納多個(gè)組件；

地平面，被布置在所述封裝基底的第一側(cè)上；

與地平面相關(guān)地布置在所述封裝基底的第二側(cè)上的堆疊，所述堆疊包含多個(gè)彼此串聯(lián)耦合的開(kāi)關(guān)元件；以及

多個(gè)電容元件，每個(gè)電容元件具有相應(yīng)的電容值并且每個(gè)相應(yīng)的電容元件提供跨相應(yīng)的開(kāi)關(guān)元件的相應(yīng)端子的相應(yīng)的電容路徑，并且所述多個(gè)電容元件的每個(gè)相應(yīng)的電容值跨所述堆疊單調(diào)增加或者減少。

8.如權(quán)利要求7所述的射頻開(kāi)關(guān)模塊，其中，所述多個(gè)開(kāi)關(guān)元件包含場(chǎng)效應(yīng)晶體管、雙極結(jié)型晶體管、GaAs晶體管、二極管以及微機(jī)電器件中的至少一個(gè)。

9.如權(quán)利要求7所述的射頻開(kāi)關(guān)模塊，其中，所述地平面包括至少部分半導(dǎo)體基底。

10.如權(quán)利要求7所述的射頻開(kāi)關(guān)模塊，其中，所述多個(gè)電容元件中的至少一些利用半導(dǎo)體制造工藝中可用的附加的通孔和金屬來(lái)形成。

11.如權(quán)利要求7所述的射頻開(kāi)關(guān)模塊，其中，所述多個(gè)電容元件中的至少一些中的每一個(gè)電容元件在對(duì)應(yīng)的被用作開(kāi)關(guān)元件的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極與源極之間提供相應(yīng)的側(cè)向電容。

12.一種射頻設(shè)備，包括：

地平面；

與所述地平面相關(guān)地布置的堆疊，所述堆疊包含多個(gè)彼此串聯(lián)耦合的開(kāi)關(guān)元件；

多個(gè)電容元件，每個(gè)電容元件具有相應(yīng)的電容值并且每個(gè)相應(yīng)的電容元件提供跨相應(yīng)的開(kāi)關(guān)元件的相應(yīng)端子的相應(yīng)的電容路徑，并且所述多個(gè)電容元件的每個(gè)相應(yīng)的電容值跨所述堆疊單調(diào)增加或者減少；以及

通過(guò)所述堆疊耦合至收發(fā)器的天線，所述天線被配置為便于射頻信號(hào)的發(fā)送或接收。

13.如權(quán)利要求12所述的射頻設(shè)備，其中，所述射頻設(shè)備包含無(wú)線設(shè)備。

14.如權(quán)利要求13所述的射頻設(shè)備，其中，所述無(wú)線設(shè)備包含基站、中繼器、蜂窩電話、智能電話、計(jì)算機(jī)和計(jì)算機(jī)外圍設(shè)備中的至少一個(gè)。

15.如權(quán)利要求12所述的射頻設(shè)備，其中，所述地平面包括至少部分半導(dǎo)體基底。

16.如權(quán)利要求12所述的射頻設(shè)備，其中，所述多個(gè)電容元件中的至少一些利用半導(dǎo)體制造工藝中可用的附加的通孔和金屬來(lái)形成。

17.如權(quán)利要求12所述的射頻設(shè)備，其中，所述多個(gè)電容元件中的至少一些中的每一個(gè)電容元件在對(duì)應(yīng)的被用作開(kāi)關(guān)元件的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極與源極之間提供相應(yīng)的側(cè)向電容。