[發明專利]半導體發光元件有效
| 申請號： | 201580060112.9 | 申請日： | 2015-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN107078188B | 公開（公告）日： | 2019-07-16 |
| 發明（設計）人： | 藤井優作;杉山正和;M·瑪尼施 | 申請（專利權）人： | 斯坦雷電氣株式會社;國立大學法人東京大學 |
| 主分類號： | H01L33/24 | 分類號： | H01L33/24;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 呂俊剛;楊薇 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 發光 元件 | ||
1.一種半導體發光元件，所述半導體發光元件包括：
第一半導體層，所述第一半導體層具有第一導電類型；
發光功能層，所述發光功能層形成在所述第一半導體層上并且包括發光層；以及
第二半導體層，所述第二半導體層形成在所述發光功能層上并且具有與所述第一半導體層的導電類型相反的導電類型，其中
所述發光層包括：基底層，所述基底層具有從所述第一半導體層受到應力應變的組分，并且具有被多個組合凹槽分割成隨機網狀的多個基底區段，所述多個基底區段具有隨機尺寸；以及量子阱結構層，所述量子阱結構層形成在所述基底層上并且由至少一個量子阱層和至少一個勢壘層構成，并且
所述基底層具有AlxGa1-xN(0≤x≤1)的組分，所述至少一個勢壘層具有AlyGa1-yN(0≤y<1)的組分，并且組分x和組分y滿足x>y的關系。
2.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其中，所述第一半導體層具有GaN的組分，并且所述至少一個量子阱層具有InGaN的組分。
3.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其中，
所述量子阱結構層具有多量子阱結構，并且
所述多量子阱結構的每個勢壘層被形成為使得Al組分隨著到所述第二半導體層的距離減小而減少。
4.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其中，所述基底層具有引起載流子的隧道效應的層厚度。
5.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其中，所述基底層具有AlN組分，并且所述至少一個勢壘層中的最靠近所述第二半導體層的勢壘層具有GaN組分。
6.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其中，
在所述第一半導體層與所述發光層之間，所述發光功能層具有由至少一個量子阱層和多個勢壘層構成的發光層。
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