[發明專利]固體攝像裝置、固體攝像裝置制造方法和電子設備有效
| 申請號: | 201580060037.6 | 申請日: | 2015-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN107078141B | 公開(公告)日: | 2021-10-19 |
| 發明(設計)人: | 大井上昂志 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/14 | 分類號: | H01L27/14;H04N5/369;H04N5/374 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 陳桂香;曹正建 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固體 攝像 裝置 制造 方法 電子設備 | ||
本發明涉及固體攝像裝置、該固體攝像裝置的制造方法和含有該固體攝像裝置的電子設備。該固體攝像裝置被配置成:在布置有多個攝像部的情況下,入射至各所述攝像部的像素區域之間的間隙中的光能夠被所述像素區域接收。CMOS圖像傳感器具有包括多個像素的像素區域。多個CMOS圖像傳感器中的各者分別設置有凸透鏡。所述多個CMOS圖像傳感器被布置在支撐基板上。例如,本發明能夠被應用到在支撐基板上布置有多個CMOS圖像傳感器的固體攝像裝置等。
技術領域
本發明涉及固體攝像裝置、固體攝像裝置制造方法和電子設備,而且特別地,涉及在布置有多個攝像部的情況下入射至各所述攝像部的像素區域之間的間隙的光能夠被所述像素區域接收的固體攝像裝置、固體攝像裝置制造方法和電子設備。
背景技術
當大尺寸的CMOS(互補金屬氧化物半導體:complementary metal-oxidesemiconductor)圖像傳感器(CIS:CMOS image sensor)是由單個芯片形成時,由于從晶片獲取芯片的獲取效率很低,產量就下降了。因此,可以考慮把均由單個芯片形成的多個小尺寸CIS平鋪且通過引線接合(wire bonding)將所述多個小尺寸CIS電氣連接以制造出大尺寸CIS,由此提高大尺寸CIS的生產力(例如,參照專利文獻1)。
然而,由于以上述方式制造出來的大尺寸CIS中所包括的小尺寸CIS之間的引線接合,會存在毫米量級的大間隙(接縫),而且入射至該間隙的光不可能被所述小尺寸CIS接收。因此,為了產生一個在大小上與大尺寸CIS對應的所攝取圖像,就要求通過使用由各個小尺寸CIS攝取的圖像來進行諸如插補(interpolation)等圖像處理從而產生與入射至所述間隙的光對應的圖像,以致于在圖像處理中存在很大的負擔。因此,難以產生在大小上與大尺寸CIS對應的高分辨率和高幀速率的所攝取圖像,且這樣的大尺寸CIS不適合用于攝像用途。
引用文獻列表
專利文獻
專利文獻1:日本專利申請特開第2008-235768號
發明內容
本發明要解決的技術問題
因此,當通過將小尺寸CIS平鋪來制造大尺寸CIS時,需要通過使入射至小尺寸CIS的像素區域之間的間隙的光能夠被所述像素區域接收來減小圖像處理的負擔。
本發明是鑒于上述這樣的情形而被做出的,并且本發明的目的是:在布置有多個攝像部的情況下,入射至各所述攝像部的像素區域之間的間隙的光能夠被所述像素區域接收。
解決技術問題的技術方案
根據本發明的第一方面的固體攝像裝置是包括多個攝像部、第一透鏡和支撐基板的固體攝像裝置。所述多個攝像部中的各攝像部具有包括多個像素的像素區域。所述第一透鏡是對應于所述多個攝像部中的各攝像部而設置的。所述多個攝像部被布置在所述支撐基板上。
根據本發明的第一方面,設置了所述多個攝像部、所述第一透鏡和所述支撐基板。所述多個攝像部中的各攝像部具有包括多個像素的像素區域,所述第一透鏡是對應于所述多個攝像部中的各攝像部而設置的,并且所述多個攝像部被布置在所述支撐基板上。
根據本發明的第二方面的制造方法是固體攝像裝置制造方法,所述固體攝像裝置制造方法包括形成固體攝像裝置的步驟。所述固體攝像裝置包括:多個攝像部,所述多個攝像部中的各攝像部具有包括多個像素的像素區域;第一透鏡,所述第一透鏡是對應于所述多個攝像部中的各攝像部而設置的;以及支撐基板,所述多個攝像部被布置在所述支撐基板上。
根據本發明的第二方面,形成了設置有所述多個攝像部、所述第一透鏡和所述支撐基板的所述固體攝像裝置。所述多個攝像部中的各攝像部具有包括多個像素的像素區域,所述第一透鏡是對應于所述多個攝像部中的各攝像部而設置的,并且所述多個攝像部被布置在所述支撐基板上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





