[發明專利]等離子體耐蝕刻性得到提高的工藝部件及工藝部件的等離子體耐蝕刻性強化處理方法

在審

• 申請號: 201580059892.5
• 申請日: 2015-11-04
• 公開（公告）號: CN107004558A
• 公開（公告）日: 2017-08-01
• 發明（設計）人: 金沃律;金沃珉
• 申請（專利權）人: 株式公司品維斯;金沃律;金沃珉
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司11212
• 代理人: 楊立

1.一種等離子體耐蝕刻性得到提高的工藝部件，作為暴露于等離子體的半導體或顯示器制造設備工藝部件，其特征在于，在除去部分或全部谷和峰的狀態的工藝部件本體表面形成陶瓷涂敷膜，除去存在于上述涂敷膜表面的部分或全部谷和峰，以在表面粗糙度測定區間內由從與峰和谷的面積變相同的中心線平行的任意基準線至上述表面粗糙度測定區間內最低的5個谷V1、V2、V3、V4、V5的距離平均值(V1+V2+V3+V4+V5)/5與至最高的5個峰P1、P2、P3、P4、P5的距離平均值之差的絕對值[(P1+P2+P3+P4+P5)/5-(V1+V2+V3+V4+V5)/5]表示的表面粗糙度Rz值小于5.0μm。

2.根據權利要求1所述的等離子體耐蝕刻性得到提高的工藝部件，其特征在于，上述涂敷膜由氧化釔、氟化釔、氧化釔穩定氧化鋯、Y₄Al₂O₉、釔鋁石榴石及鋁酸釔中的一種以上形成。

3.根據權利要求1所述的等離子體耐蝕刻性得到提高的工藝部件，其特征在于，上述涂敷膜無氣孔及龜裂。

4.根據權利要求1所述的等離子體耐蝕刻性得到提高的工藝部件，其特征在于，上述涂敷膜表面粗糙度Rz值小于2.0μm。

5.根據權利要求1所述的等離子體耐蝕刻性得到提高的工藝部件，其特征在于，當根據相對亮度將與上述涂敷膜表面相關的光學顯微鏡照片區分為明部及暗部時，以上述暗部面積為基準，使得明部面積達到10％以上。

6.根據權利要求5所述的等離子體耐蝕刻性得到提高的工藝部件，其特征在于，當根據相對亮度將與上述本體表面相關的光學顯微鏡照片區分為明部及暗部時，以上述暗部面積為基準，使得明部面積達到10％以上。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的等離子體耐蝕刻性得到提高的工藝部件，其特征在于，上述工藝部件由陶瓷、石英、金屬材料、聚合物中的一種以上形成。

8.一種工藝部件的等離子體耐蝕刻性強化處理方法，作為提高暴露于等離子體的半導體或顯示器制造設備工藝部件的等離子體耐蝕刻性的方法，其特征在于，包括：

步驟(a)，準備工藝部件；

步驟(b)，從上述工藝部件本體表面除去部分或全部谷和峰，以在表面粗糙度測定區間內由從與峰和谷的面積變相同的中心線平行的任意基準線至上述表面粗糙度測定區間內最低的5個谷V1、V2、V3、V4、V5的距離平均值與至最高的5個峰P1、P2、P3、P4、P5的距離平均值之差的絕對值[(P1+P2+P3+P4+P5)/5-(V1+V2+V3+V4+V5)/5]表示的表面粗糙度Rz值小于5.0μm；

步驟(c)，在上述工藝部件本體表面形成陶瓷涂敷膜；以及

步驟(d)，從上述涂敷膜表面除去部分或全部谷和峰。

9.根據權利要求8所述的工藝部件的等離子體耐蝕刻性強化處理方法，其特征在于，在上述步驟(d)中，上述涂敷膜表面粗糙度Rz值小于2.0μm。

10.根據權利要求8所述的工藝部件的等離子體耐蝕刻性強化處理方法，其特征在于，在上述步驟(b)中，根據相對亮度將與上述涂敷膜表面相關的光學顯微鏡照片區分為明部及暗部，以上述暗部面積為基準，使得明部面積達到10％以上，在上述步驟(d)中，根據相對亮度將與上述本體表面相關的光學顯微鏡照片區分為明部及暗部，以上述暗部面積為基準，使得明部面積達到10％以上。

11.根據權利要求8至10中任一項所述的工藝部件的等離子體耐蝕刻性強化處理方法，其特征在于，作為從上述工藝部件本體表面和涂敷膜表面除去谷和峰的方法，適用切削、磨削、刷光、拋光、研磨、化學研磨中的一種以上方法。

12.根據權利要求8所述的工藝部件的等離子體耐蝕刻性強化處理方法，其特征在于，在上述步驟(c)中，在0～60℃及真空條件下，噴射氧化釔、氟化釔、氧化釔穩定氧化鋯、Y₄Al₂O₉、釔鋁石榴石及鋁酸釔中的一種或混合兩種以上的陶瓷粉末來形成涂敷膜。